본 연구에서 장기 안정성이 낮은 유기 물질을 대체하여 수분, 고온, 빛 환경에서 장기 안정성이 높은 무기 물질 Cs+ 이온을 이용한 CsPbX₃ 페로브스카이트 태양전지에서 CsPbI₂Br 페로브스카이트 물질을 이용하였다. CsPbI₂Br 페로브스카이트 물질로 태양전지를 제작하기 위하여 전자, 정공 수송층을 고밀도, 균일한 성막이 가능한 Thermal-ALD로 이용하여 제작하기 위해서 태양전지의 구조를 p-i-n 구조로 선정하였고 p-i-n 구조는 SLG/ITO/NiO/CsPbI₂Br/SnO₂/Au 혹은 Ag 전극으로 구성하였다. 먼저, CsPbI₂Br 페로브스카이트 흡수층을 제작하기 위해서 CsPbI₂Br 용액은 Cesium iodide(CsI), Lead(II) bromide(PbBr₂), Lead(II) iodide(PbI₂)의 용질과 N,N-dimethylformamide(DMF)와 Dimethly sulfoxide(DMSO)의 용매를 이용하였다. CsPbI₂Br 용액을 1.2M의 농도로 용매(DMF:DMSO)의 비율을 3:7 v/v%, 4:1 v/v%로 제조하였다. 그리고 흡수층 제작은 hot-air 공정을 이용하지 않은 스핀 코팅과 hot-air 공정을 이용한 스핀 코팅으로 나누어 진행하였다. CsPbI₂Br층은 hot-air 공정을 이용하지 않은 조건보다 hot-air 공정을 이용한 조건이 균일하게 코팅되었고, 높은 광학적 흡수율이 나왔으며, 광학적 밴드갭이 1.91 eV로 CsPbI₂Br의 이상적인 밴드갭(1.91 eV)과 근접하게 측정되었다. 이를 통해 hot-air 공정이 적용된 CsPbI₂Br 층을 p-i-n 구조로 적용하기 위해서 Thermal-ALD로 H₂O 산화제를 이용하여 SnO₂ 층을 증착하였다. 그 결과, 용매(DMF:DMSO)의 비율이 3:7 v/v%로 제작된 CsPbI₂Br 층이 산화되지 않았으며, Black α-Cubic 상을 유지하였다. 그리고 제작된 무기 CsPbI₂Br 페로브스카이트 태양전지의 XRD 분석 결과 CsPbI₂Br Black α-Cubic상을 확인하였다. 그리고 솔라 시뮬레이터를 이용하여 Au 혹은 Ag 전극을 이용한 태양전지의 단락전류밀도-전압 곡선을 측정한 결과 Au 전극을 이용한 태양전지의 전력변환효율은 2.75%(순방향), 5.11%(역방향)으로 측정되었으며, Ag 전극을 이용한 태양전지의 전력변환효율이 4.73%(순방향), 6.79%(역방향)으로 측정되었다.