본 연구에서는 낮은 온도에서 수열합성법으로 상화 아연 (ZnO) 나노 막대를 성장 시켰다. p형 실리콘 기판 위에 RF-스퍼터링 시스템을 이용하여 20 nm 두께의 ZnO 완충층을 증착한 후, 수열 합성법의 성장 시간에 따른 ZnO 나노 막대의 구조적.광학적 특성 변화를 고찰하였다. c-축으로 우선 성장된 ZnO 나노 막대는 성장 시간이 중가함에 따라 직경과 길이가 증가하였으나 7시간에서는 수용액 속의 소스 부족으로 인하여 더 이상의 크기 성장에 제약을 받았다. 광 발광특성으로부터 382 nm 부근에서 UV 발광을 확인 할 수 있었으며, 성장 시간이 증가함에 따라 나노 막대끼리 서로 뭉쳐지므로써 발생하는 ZnO의 나노 막대 계면 사이의 결함으로 인하여 UV 발광 강도에 대한 불순물 발광 비율이 다소 감소하였다.In this study, ZnO nanorod arrays were grown on ZnO/Si (100) substrates by hydrothermal method. The ZnO buffer layer with a thickness of 20 nm was deposited by RF-sputter. The struc-tural and optical properties of ZnO nanorod arrays are controlled by growth time. ZnO nanorods grow along the c-axis and the diameter and length of ZnO nanorods increase and then plateau with increasing growth time because of insufficient Zn? source. From the results of Photoluminescence, ZnO nanorods have UV emission at about 382 nm and a weak green band emission at about 550 nm.