본 논문에서는 플라스틱 기판위에 폴리머 게이트 절연체를 사용하고, 은나노잉크를 이용하여 프린팅방법으로 소스드레인을 형성한 펜타센 기반의 유기박막트랜지스터를 제작하였다. PVP게이트 절연체의 가교결합 온도를 낮추기 위하여 자외선-오존 처리를 하였고, 그 결과 공정온도를 90도 까지 낮출수 있었다. 우리는 -OH기와 같은 trap states 와 grain boundary를 줄임으로써 유기박막트랜지스터의 특성을 향상시키기 위해서, 게이트 절연체와 반도체 사이의 계면에 산소플라즈마, HMDS, OTS와 같은 다양한 계면처리를 하였다. 최적화된 유기박막트랜지스터의 소자특성은 0.63 ㎠ V^(?1)s^(?1)의 전계이동도, 1.7 x 10^(-6)의 온/오프 전류비율, 0.75 V의 sub-threshold slop을 나타내었다.In this study, we fabricated the flexible pentacene TFTs with the polymer gate dielectric and
contact printing method by using the silver nano particle ink as a source/drain material on plastic
substrate. In this experiment, to lower the cross-linking temperature of the PVP gate dielectric,
UV-Ozone treatment has been used and the process temperature is lowered to 90℃ and the surface is
optimized by various treatment to improve device characteristics. We tried various surface treatments; O2
Plasma, hexamethyl-disilazane (HMDS) and octadecyltrichlorosilane (OTS) treatment methods of gate
dielectric/semiconductor interface, which reduces trap states such as ?OH group and grain boundary in
order to improve the OTFTs properties. The optimized OTFT shows the device performance with field
effect mobility, on/off current ratio, and the sub-threshold slope were extracted as 0.63 ㎠ V^(?1)s^(?1), 1.7 x
10^(-6), and of 0.75 V/decade, respectively.