본 논문에서는 선박평형수 처리방법으로 이용되는 자외선 램프 방식에 UV LED를 적용하기 위해 기존의 GaN계 LED를 대체하기 위해 ZnO에 Mg를 첨가한 MgxZn1-xO 박막에 연구를 수행하였다. MgxZn1-xO 박막은 ZnO와 MgO 타겟을 이용한 co-sputtering 법을 통해 상온에서 성장시켰다. 증착 파워를 변화시키며 박막을 MgxZn1-xO 제작하였으며 이에 따른 박막의 구조적 특성을 분석하였다. Co-sputtering 법을 통한 MgxZn1-xO 박막 증착 시 ZnO 타겟에 인가되는 파워가 증가할수록 ZnO (002)면의 피크의 크게 증가하여 결정성이 좋아지며 Mg의 함량이 감소함을 알 수 있었다. ZnO 100 W, MgO 100 W의 RF power를 인가하여 증착된 박막은 Mg0.1Zn0.9O의 조성을 나타내었다. MgxZn1-xO 박막 증착 시 MgO 타겟에 인가되는 파워가 증가할수록 ZnO(002) peak의 FWHM이 증가하여 결정성이 나빠지며 Mg 함량이 크게 증가함을 알 수 있었다.The effect of co-sputtering condition on the structural properties of MgxZn1-xO thin films
grown by RF magnetron co-sputtering system was investigated for manufacturing UV LED. MgxZn1-xO
thin films were grown with ZnO and MgO target varying RF power. Structural properties were
investigated by X-ray diffraction (XRD) and Energy dispersive spectroscopy (EDS). The MgxZn1-xO thin
films have sufficient crystallinity on the high ZnO power. The EDS analyzed showed that the Mg content
in the MgxZn1-xO films decreased from 3.99 to 24.27 at.% as the RF power of ZnO target increased. The
Mg content in the MgxZn1-xO films could be controlled by co-sputtering power.