본 연구에서는 졸-겔 공정에서 소결 온도 조건에 따른 SnO$_2$ 박막의 구조적, 전기적 특성을 분석 하였다. 구조적 특성에서 SnO$_2$ 박막은 800 $\,^{\circ}\mathrm{C}$ 이상에서는 더 이상의 결정성 향상이 일어나지 않는 것을 확인하였으며, 박막의 표면 형상이 재결정화로 인해 표면요철이 증가 하였다. 전기적인 특성에서 열처리된 SnO$_2$ 박막의 전자캐리어는 약 10$^{18}$ $\sim$ 10$^{19}$/cm$^3$ 보였으며, 열처리 온도가 증가함에 따라 캐리어 수는 감소하는 경향을 보였다. SnO$_2$ 박막의 이동도는 0.83에서 4.74 cm$^2$/Vs의 값을 가지며, 비저항은 0.06에서 $\Omega\cdot$ cm 값을 가지는 것을 확인 하였다.In this study, the structural and the electrical properties of SnO$_2$ thin films were investigated according to the sintering-temperature conditions for the sol-gel process. The SnO$_2$ thin films annealed at temperatures over 800 $\,^{\circ}\mathrm{C}$ were shown not to have improved crystallinity and to have a surface morphology with increasing surface unevenness due to recrystallization. The carrier concentrations of the annealed SnO$_2$ thin films were confirmed to be about 10$^{18}$ $\sim$ 10$^{19}$/cm$^3$, and the carrier concentration decreased with increasing annealing temperature. The mobilities of the SnO$_2$ thin films ranged from 0.83 to 4.74 cm$^2$/Vs, and the resistivities were confirmed to range from 0.06 to 1.01 $\Omega\cdot$cm.