[표제지 등]
제출문
요약문
SUMMARY
칼라
목차
제1장 개괄 23
제2장 원심분리에 의한 세라믹 성형공정의 평가 27
제1절 서론 27
제2절 사용 분말 28
제3절 실험 방법 30
제4절 결과 및 고찰 30
제5절 결론 39
제3장 고온 재료의 침식 특성 연구 41
제1절 서론 41
제2절 고상 입자 침식 43
제3절 고온 재료의 상온 고상 입자 침식 특성 59
제4절 결론 84
제5절 참고문헌 85
제4장 III-V 족 질화물 반도체 성장기술 개발 86
제1절 서론 86
제2절 고품위 III-V 족 질화물반도체 성장을 위한 flow pattern의 고안 및 제작 92
제3절 GaN 핵생성층의 성장 거동과 GaN 에피층의 2-step 성장 특성 96
제4절 고품위 undoped GaN 에피층의 성장 특성 110
제5절 n-GaN:Si 에피층의 성장 특성 117
제6절 p-GaN : Mg 에피층의 성장 특성 125
제7절 요약 및 결론 139
제5장 III-V 족 질화물 반도체 특성평가 기술 개발 142
제1절 서론 142
제2절 결정구조 및 물질특성 144
제3절 전기적 특성 153
제4절 광학적 특성 168
제5절 구조적 특성 185
제6절 결론 189
제6장 나노클러스터 평가기술 205
제1절 Hot Filament 방법에 의한 다이아몬드와 흑연의 식각 양상 205
제7장 CAD4를 이용한 산화물 구조해석 기술개발 256
제1절 서론 256
제2절 문헌연구 257
제3절 Li₃B7O12 단결정의 구조해석(이미지 참조) 274
제4절 Pb1.89(Mg0.24Nb1.76)O6.53 단결정의 구조해석(이미지 참조) 285
제5절 결론 및 향후 실험 계획 290
제8장 고분해능 TEM을 이용한 고주파 유전체 재료의 변조구조 연구 292
제1절 마이크로파 유전체의 특성과 응용 292
제2절 Ba(Zn1/3Ta2/3)O₃세라믹에서 Zn vacancy ordering에 의한 변조구조의 고분해능 TEM 관찰(이미지 참조) 295
제3절 Ba(Mg1/3Ta2/3)O₃화합물에서 1 : 2 ordered domain 경계의 미세구조 관찰(이미지 참조) 310