목차
[표제지 등]=0,1,2
제출문=0,3,1
목차=i,4,2
그림목차=iii,6,3
표목차=iv,9,2
요약문=1,11,9
제1장 서론=10,20,1
제1절 사업의 목적=10,20,4
제2절 사업의 필요성=14,24,3
제2장 국ㆍ내외 기술개발 현황=17,27,1
제1절 국외의 기술개발 현황=17,27,8
제2절 국내의 기술개발 현황=25,35,2
제3절 국ㆍ내외 기술수준 비교=27,37,3
제3장 사업수행 내역 및 결과=30,40,1
제1절 층간절연물질의 필요성=30,40,5
제2절 층간 절연물질의 구비요건=35,45,3
제3절 저유전체의 종류 및 기초물성 조사=38,48,39
제4절 차세대 주문형 반도체용 초저유전체 개발동향=77,87,24
제5절 Damascence와 CMP 공정=101,111,15
제6절 관련 기초재료 제공업체 및 장비업체 현황 분석=116,126,6
제4장 관련 특허 조사=122,132,27
제5장 사업결과 및 활용 계획=149,159,1
제1절 층간절연물질의 개발현황=149,159,5
제2절 사업 활용 계획=154,164,2
Appendix=156,166,1
Appendix1. Overall Technology Characteristics Tables=157,167,2
Appendix2. Multiple Year Intra-generation Data=159,169,1
Appendix3. Interconnect Technology Requirements=160,170,1
Appendix4. Interconnect Difficult Challengers=161,171,1
Appendix5. Focus Center Research Program proposed Funding Plan Approach=162,172,1
Appendix6. Black DiamondTM(이미지참조) (Applied Materials)=163,173,4
Appendix7. ACCUGLASS(R)(이미지참조) T-11 (Allied Signal)=167,177,3
Appendix8. ACCUGLASS(R)(이미지참조) T-14 (Allied Signal)=170,180,3
Appendix9. ACCUFLO(R)(이미지참조) T-13EL (Allied Signal)=173,183,3
Appendix10. ACCUSPIN(R)(이미지참조) T-18 (Allied Signal)=176,186,2
Appendix11. AnoglassTM(이미지참조) (Allied Signal)=178,188,3
Appendix12. FLARE TM(이미지참조) (Allied Signal)=181,191,4
Appendix13. HOSP TM(이미지참조) (Allied Signal)=185,195,4
Appendix14. ASP TM(이미지참조) (Allied Signal)=189,199,3
Appendix15. VeloxTM(이미지참조) (Schumacher)=192,202,5
Appendix16. Fox(R)(이미지참조) (Dowcorning)=197,207,3
Appendix17. CYCLOTENE TM(이미지참조) 4000 Series (Dowchemical)=200,210,8
Appendix18. SiLK=208,218,3
Appendix19. AF4=211,221,4
Appendix20. Xerogel=215,225,1
참고문헌=216,226,14
표2-1. 차세대 반도체용 초저유전체 개발동향=20,30,1
표2-2. 주요 공정별 국내외 기술수준 비교=28,38,1
표2-3. 저유전물질의 특성별 주요 기술수준 비교=29,39,1
표3-1. Technology Road Map for Semiconductor=33,43,1
표3-2. Property Requierments of Low-Dielectric-Constant Inter-layer Dielectric Materials=35,45,1
표3-3. Desired Low-k(이미지참조) Materials Characteristics for Al-Alloy and Cu Integration=36,46,1
표3-4. Thermal Conductivity of Various Low-k Materials=37,47,1
표3-5. 대표적인 저유전물질의 종류와 특성=38,48,1
표3-6. 반도체용 저유전 재료의 종류와 피막형성 방식=40,50,1
표3-7. List of Inoganic and Organic Dieletric Constant=41,51,1
표3-8. Thermal Properties of Films and Wafer-Level Coating of Some Polyimides=46,56,1
표3-9. Physical Properties of Films and Wafer-Level Coating of Some Polyimides=47,57,1
표3-10. Some Properties of Fluorinated and Nonfluorinated PI=48,58,1
표3-11. In-Plane and Out-of-Plane Refractive Index Measurements on Fluorinated and Nonfluorinated Polyimides=49,59,1
표3-12. In-Plane and Out-of-Plane Refractive Index Measurements on DVS-BCB and PFCB=51,61,1
표3-13. Some Properties of DVS-BCB and PFCB=52,62,1
표3-14. Dry-etch CYCLOTENE Advanced Electronics Resins의 전기적 특성=54,64,1
표3-15. Dry-etch CYCLOTENE Advanced Electronics Resins의 기계적 특성=54,64,1
표3-16. 저유전체로서의 폴리노브론의 성질=60,70,1
표3-17. Some Thermal and Mechanical Properties of Polynoborene=61,71,1
표3-18. Refractive Index of Lo-K TM(이미지참조) 2000 and FLARE TM(이미지참조)2.0=62,72,1
표3-19. Thermal and Mechanical Properties of Poly(arylene ether)=63,73,1
표3-20. Hardness and Modulus for 340 nm, 800 nm thickness HSSQ Films=68,78,1
표3-21. Properties of Hydrogensilsesquioxane(HSSQ) and Methylsilsesquioxane(MSSQ-Accuspin T18)=74,84,1
표3-22. 차세대 반도체용 초저유전체 개발동향=78,88,1
표3-23. 저비점 용매의 예=86,96,1
표3-24. 고비점 용매의 예=86,96,1
표3-25. Dow사의 저유전 물질과 다른 업체의 기본 물성 비교=89,99,1
표3-26. Elements of CMP Characteristics=109,119,1
표3-27. 초저유전 재료와 생산업체 현황=116,126,1
표5-1. 유ㆍ무기계 저유전 재료=150,160,1
표5-2. 다공성 초저유전재료의 특성비교=153,163,1
그림1-1. Expected interconnect delay for copper and low-k devices=11,21,1
그림2-1. Chemical structure of the candidate interlayer-dielectric materials=18,28,1
그림2-2. Power PC 750: 6 levels of Cu interconnects (0.12 ㎛ gate)=23,33,1
그림3-1. Schematic diagram of an interconnect system=30,40,1
그림3-2. Resistance-capacitance delay time versus integrated-circuit (IC) feature size=32,42,1
그림3-3. Total capacitance Ctotal(이미지참조), line-to-line capacitance CLL(이미지참조), and line-to-ground capacitance CLG(이미지참조) as a function of IC feature size=32,42,1
그림3-4. 대표적인 유기계의 저유물질의 특징과 기본구조=42,52,1
그림3-5. Preparation of polymide (Kapton)=43,53,1
그림3-6. Reaction mechanism of imide formation=44,54,1
그림3-7. Resonance effect on phthalic anhydride group=44,54,1
그림3-8. 대표적인 Polyimide의 분자구조=45,55,1
그림3-9. Fluorinated polyimide DuPont FPI-136M=48,58,1
그림3-10. Benzocyclobutane(BCB) cycloaddition reaction and the structure of divinylsiloxane BCB monomer=50,60,1
그림3-11. Structrue of perfluorocyclobutane monomer=51,61,1
그림3-12. The dependence of the etch rate of the low-k dielectrics on NF₃concentration in a a NF₃/O₂plasma afterglow=55,65,1
그림3-13. Change of the refractive indices of BCB and SILK as a result of the etching in NF₃plasma afterglow=56,66,1
그림3-14. Etch rates of pristine and fluorinated BCB in NF₃/O₂plasma afterglow=56,66,1
그림3-15. The generic structure for a polynorbornene=57,67,1
그림3-16. Synthetic route of (a) PNB-A and (b) PNB-M=58,68,1
그림3-17. 촉매에 따른 폴리노브론의 다양한 구조=58,68,1
그림3-18. Synthesis of two new class of norbornene monomers with ehter or ester bridges=59,69,1
그림3-19. 다양한 기능기가 첨가된 폴리노브론=60,70,1
그림3-20. Synthesis of poly(arylene ethers)=61,71,1
그림3-21. 다양한 poly(arylene ethers) derivatives=62,72,1
그림3-22. Polymeric silsesquioxane 합성법=64,74,1
그림3-23. Ladder structure of hydrogensilsesquioxane=65,75,1
그림3-24. Cage structure of HSSQ=65,75,1
그림3-25. HSSQ cage structures T-8, T-10 and T-12 oligomers=65,75,1
그림3-26. 경화온도에 따른 HSSQ의 온도별 유전상수=66,76,1
그림3-27. FTIR Si-H peak intensity vs. curing temperature=67,77,1
그림3-28. Indentation force vs. penetration depth film thickness 340 nm at 400℃=68,78,1
그림3-29. Indentation force vs. penetration depth film of 340 nmthickness at 460℃=69,79,1
그림3-30. Onset of cracking vs. curing temperature=69,79,1
그림3-31. Steady-state crack velocity in HSSQ thin film in various environments as a function of film thickness=70,80,1
그림3-32. Eetching rate of HSSQ films as a function of Depth=71,81,1
그림3-33. 에칭 깊이에 따른 유전상수(1 MHz)=72,82,1
그림3-34. Methysilsesquioxane 합성법=73,83,1
그림3-35. Ladder structure of MSSQ=73,83,1
그림3-36. Random structure of MSSQ=73,83,1
그림3-37. MSSQ의 온도별 유전상수와 유전손실=75,85,1
그림3-38. Polyimide, HSSQ, MSSQ 그리고 PSSQ의 온도별 유전상수의 온도 의존성=76,86,1
그림3-39. 졸-겔 공정의 개략도=80,90,1
그림3-40. 졸-겔법의 대표적인 반응=80,90,1
그림3-41. 나노포러스 실리카 제조방법=82,92,1
그림3-42. Dielectric constant of porous silica as a function of porosity=82,92,1
그림3-43. High aspect ratio (6:1) gapfill with xerogel=83,93,1
그림3-44. Example intergration of xerogel into aluminum metallization=84,94,1
그림3-45. Example intergration of xerogel into copper damascene structure=84,94,1
그림3-46. HSSQ의 기공형성 과정과 겔화 반응=85,95,1
그림3-47. 고비점 용매 함량에 따른 유전상수와 굴절율=87,97,1
그림3-48. 고비점 용매 함량에 따른 modulus와 절연파괴전압=88,98,1
그림3-49. 경화 시간에 따른 modulus와 유전상수=88,98,1
그림3-50. Gap fill with XLK=89,99,1
그림3-51. Synthetic route to the polyimide poly(propylene oxide) copolymer=91,101,1
그림3-52. 대표적인 유ㆍ무기 하이브리드용 고분자 (a) Poly(amic ester) precursor to functionalized polyimide (b) Soluble, functionalized polymer precursor to a poly benzoxazole=92,102,1
그림3-53. Porogen용 특수 고분자=93,103,1
그림3-54. Scheme of nanotemplating technology of IBM system=93,103,1
그림3-55. Molecular structure of polycaplolactone (PCL)=94,104,1
그림3-56. Decomposition of PCL=95,105,1
그림3-57. Porosity data of various PCL/MSSQ composition=96,106,1
그림3-58. MSSQ와 PCL/MSSQ(10 wt%)의 DMA 곡선=97,107,1
그림3-59. 다양한 porogen을 이용한 공극율에 따른 유전상수의 변화=97,107,1
그림3-60. Porogen 함량에 따른 유전 손실 값 비교=98,108,1
그림3-61. Porous PMSSQ Films Prepared from 10 wt% Sample of 6-arm PCL (Dp=5.8/arm)=99,109,1
그림3-62. Domain size vs. degree of polymerization for 30 % loading polymer in MSSQ=99,109,1
그림3-63. Porogen 함량에 따른 전기전도도 실험=100,110,1
그림3-64. Cu damascene process=101,111,1
그림3-65. 기존의 배선 형성 기술과 Damascene Process와의 비교=102,112,1
그림3-66. Single damascene (a) 과 dual damascene (b)=103,113,1
그림3-67. Cu dual damascene process=104,114,1
그림3-68. Copper interconnect on to layers and damascence process using as interconnect materials=105,115,1
그림3-69. Schem of conventional CMP process=109,119,1
그림3-70. Schem of Cu CMP process=111,121,1
그림3-71. 업계 최초로 출시된 Applied Materials의 구리 배선용 시드막 증착용 Endura Electra=118,128,1
그림3-72. 노벨러스가 최근 발표한 구리 증착용 공정 솔루션 장비(PVD)을 수행하는 인노바 장비=120,130,1