[표지] 1
제출문 2
보고서 요약서 3
요약문 4
SUMMARY 6
CONTENTS 8
목차 9
제 1 장 연구개발과제의 개요 10
제 1 절 연구 개발의 목적 10
제 2 절 연구 개발의 필요성 11
제 2 장 국내외 기술개발 현황 12
제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과 13
제 1 절 중성자 조사 평가 13
1. 중성자 조사 전/후 epi-layer 도핑농도 비교평가 13
제 2 절 소자 제작 14
1. SiC SBD 제작 14
제 3 절 중성자 조사 조건 18
제 4 절 중성자 조사 영향 분석 18
1. 중성자 조사 후 SiC SBD의 표면 변화 18
2. 중성자 조사 후 SBD소자의 전기적 특성 변화 20
3. 중성자 조사 후 MOSFET 소자 제작과 전기적 특성 변화 21
조사시험 실무협의서 25
제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 26
제 1 절 중성자 조사 영향 분석 연구 26
제 2 절 대외기여도 27
1. 학술적 기술적 측면 27
2. 경제적 산업적 측면 27
3. 기술적 측면 27
제 5 장 연구개발결과의 활용계획 28
제 6 장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 29
가. Silicon carbide 29
나. Neutron Irradiation 29
제 7 장 참고문헌 30
[뒷표지] 32