표제지
목차
요약 3
Ⅰ. 초저전압 미래 반도체 기술의 필요성 5
1. 4차 산업혁명과 정보통신기술의 발전 5
2. 반도체 소자 개발역사 및 초저전압 미래 반도체 기술 실태 7
Ⅱ. 정부 R&D 투자 현황 및 분석 12
1. 개요 12
2. 투자현황 및 분석 12
Ⅲ. 주요 이슈 19
1. 전략적 한계 19
2. 기초연구 투자 감소 및 투자 불균형 19
3. 산학연 협력 생태계 약화 20
Ⅳ. 결론 및 정책 제언 21
[부록] 24
참고문헌 28
판권기 33
〈표 1〉 부처별 초저전압 미래 반도체 기술 R&D 투자 현황 13
〈표 2〉 과제내용별 지원금액 및 비중 14
〈표 3〉 2016년도 초저전압 미래 반도체 분야 지원 금액 16
〈표 4〉 연구수행주체별 지원 금액 17
〈표 5〉 초저전압 미래 반도체 산학연 협력연구 현황 18
〈표 6〉 2016년 최고기술국 대비 기술수준 및 기술격차 19
〈표 7〉 2016년도 초저전압 미래 반도체 분야 전체 과제 목록 24
[그림 1] 글로벌 데이터센터 시장 전망(2015년-2020년) 6
[그림 2] 무어의 법칙 7
[그림 3] 100nm 이하 급 반도체 기술 개발 역사 요약 8
[그림 4] 급격한 on-off 변화를 보이는 초저전압 반도체 소자의 필요성 9
[그림 5] 터널링 트랜지스터의 개략도 및 동작원리 10
[그림 6] NEM 소자의 구조와 동작원리 10
[그림 7] PZT ferroelectric capacitor의 negative capacitance 특성 11
[그림 8] 지원내용별 정부 R&D 투자금액 분석 14
[그림 9] 수행주체별 정부 R&D 투자 금액 17