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요약문
목차
제1장 서론 10
1. 이론적 배경 및 동향 10
2. 연구의 범위와 구성 13
제2장 이론적 고찰 14
1. 극자외선 노광 공정 14
1.1 극자외선 노광공정의 장점 15
1.2 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 16
1.3 다층박막의 구성 물질 선택기준 17
1.4 Mo/Si 다층박막 18
1.5 Mask 결함의 종류와 수정 20
1.5.1 다층막 결함의 분류 20
1.5.2 Amplitude defect 수정 22
1.5.3 Phase defect 수정 25
2. 집속 이온 빔 (Focused Ion Beam) 시스템 27
2.1 고체 표면에서의 이온들의 상호 작용 28
2.1.1 고체 내에서의 이온의 분산 28
2.1.2 주입된 이온에 의한 고체 내에서의 변화 28
2.1.3 집속 이온 빔 (FIB) 에 의한 열 발생 현상 29
2.2 집속 이온 빔(FIB) 시스템의 구조 31
2.2.1 이온 소스 (Ion Source) 32
2.2.2 Column 34
2.2.3 텅스텐 건 (W Gun) 40
제3장 실험 42
1. 실험 조건 및 실험 시료 42
2. Mask 결함 수정 44
제4장 실험 결과 및 토의 46
1. 이온 빔 특성 평가 실험 46
2. 결함 수정 방법 49
2.1 Amplitude defect 수정 및 반사도 측정 실험 49
3. 반사도 특성 전산 모사 62
제5장 결론 및 향후 과제 66
참고문헌 68
Abstract 72
[표 2-1] 다층 박막의 반사도 비교 19
[표 2-2] 집속 이온 빔 (FIB) 시스템의 이온 소스들 33
[표 3-1] Multiple Aperture의 조건 43
[표 4-1] 결함 수정 후 결과 비교 50
[표 4-2] Amplitude 결함 수정 계획 52
[표 4-3] Carbon deposition 53
[표 4-4] 50pA에서 Image Mode 수정 결과 56
[표 4-5] 10pA에서 Image Mode 수정 결과 59
[표 4-6] 1pA에서 Image Mode의 수정 결과 61
[표 4-7] 반사도 측정 결과 64
[그림 1.1] 2003년 ITRS Roadmap 11
[그림 2.1] 극자외선 리소그리피 시스템의 구조도 14
[그림 2.2] 극자외선 리소그라피용 반사형 마스크의 개략도 16
[그림 2.3] 13.5nm 파장에 대한 여러 가지 물질의 흡수계수 (허수부) 와 굴절지수 (실수부) 값 18
[그림 2.4] Mo/Si 모델의 이론적인 반사도 20
[그림 2.5] 극자외선 리소그라피용 마스크의 결함의 분류 21
[그림 2.6] Amplitude defect의 결함 수정 방법 및 수정후의 결과 23
[그림 2.7] Phase defect의 E-beam 수정후의 에너지 밀도 25
[그림 2.8] 의도적으로 삽입한 phase defect에 대한 결함 수정 후의 결과 26
[그림 2.9] 집속 이온 빔 (FIB) 시스템 27
[그림 2.10] 이온 주입에 의한 고체의 상태 변화 29
[그림 2.11] 이온 주입에 의한 열확산 현상의 기하학적 구조 30
[그림 2.12] 집속 이온 빔(FIB) 시스템 본체의 기하학적 구조 31
[그림 2.13] 집속 이온 빔(FIB) 시스템의 이온 소스 33
[그림 2.14] 질량 분리기 (Mass separator) 의 기하학적 구조 36
[그림 2.15] 질량 분리기(Mass separator) 에서 이온의 경로 37
[그림 2.16] 빔 공백기(Beam blanker) 의 동작 구조 39
[그림 2.17] Stigmator의 동작 구조 40
[그림 3.1] 극자외선 리소그라피용 마스크의 결함 수정 후 반사도 측정을 위한 실험 과정 44
[그림 3.2] Amplitude defect 수정을 위한 방법 (a) Image mode, (b) Spot mode, (c) Bar-rotation mode 45
[그림 4.1] 점(spot) mode etching-평면 TEM & AFM 사진 46
[그림 4.2] 선(line) mode etching-단면 SEM 사진 47
[그림 4.3] Amplitude defect repair 전과 후의 SIM image (a) Image mode, (b) Spot mode, (c) Bar-rotation mode 49
[그림 4.4] Image Mode (a) TEM 이미지, (b) etch rate 그래프 51
[그림 4.5] 50pA, 3×3um2, Carbon deposition (a) 3nm, (b) 5nm, (c) 7nm 54
[그림 4.6] 50pA, 1×1um2, Carbon deposition (a) 3nm, (b) 5nm, (c) 7nm 55
[그림 4.7] 10pA, 3×3um2, Carbon deposition (a) 3nm, (b) 5nm, (c) 7nm 57
[그림 4.8] 10pA, 1×1um2, Carbon deposition (a) 3nm, (b) 5nm, (c) 7nm 58
[그림 4.9] 1pA, 3×3um2, Carbon deposition (a) 3nm, (b) 5nm, (c) 7nm 60
[그림 4.10] Image Mode에서의 FIB Etch Depth(좌)와 Damage(우) 61
[그림 4.11] Mo/Si 40층의 다층막에 대한 반사도와 위상에 대한 전산모사 그래프 62
[그림 4.12] 극자외선 대역의 파장에 대한 Mo/Si 다층막의 반사도 전산모사 63
[그림 4.13] 극자외선 대역에서의 결함 수정과 Carbon Deposition 후 다층막의 반사도 전산모사 64
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