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표제지
국문요지
목차
약어정리 10
제1장 서론 11
제2장 GaN HEMT 특징 및 비선형 특성 13
2.1. GaN HEMT 특징 13
2.2. 비선형 특성 16
2.3. 크기 왜곡과 위상 왜곡의 특성 17
2.4. Pulsed I-V 측정 18
제3장 GaN HEMT를 이용한 회로 설계 20
3.1. 회로 디자인 20
3.2. 로드 풀 정합 22
제4장 도허티 증폭기 이론 및 설계 26
4.1. 도허티 증폭기 이론 26
4.2. 도허티 증폭기 동작원리 27
4.3. 도허티 증폭기 설계 29
제5장 DPD 이론 및 연동 측정 결과 33
5.1. DPD(Digital Pre-Distortion) 구조 33
5.2. DPD 연동 Cancel량 측정 36
제6장 결론 39
참고문헌 40
ABSTRACT 42
표 2.1. 반도체 물질에 따른 전기적 특성 14
표 5.1. 측정 장비 리스트 36
그림 2.1. 전자 이온화 계수에 대한 전계 의존성 15
그림 2.2. 전력 증폭기의 크기 왜곡 특성 17
그림 2.3. Pulsed I-V 그래프 18
그림 2.4. EGNC160MK MTTF 측정 그래프 19
그림 3.1. EGNC160MK 모델링 회로도 20
그림 3.2. 증폭기 블록도 21
그림 3.3. 로드 풀 측정 결과 22
그림 3.4. 드라이브 회로도 23
그림 3.5. 메인 회로도 23
그림 3.6. 출력 DET 회로도 24
그림 3.7. 전원 부 회로도 24
그림 3.8. 모듈 전면도 25
그림 4.1. 도허티 증폭기 구성도 27
그림 4.2. 입력 구간에 따른 도허티 증폭기 동작 28
그림 4.3. 도허티 분기 파장 모델링 29
그림 4.4. 도허티 분기 파장 레이아웃 30
그림 4.5. 스미스 차트 시뮬레이션 데이터 30
그림 4.6. 포트1, 포트2 양단간에 로스차 31
그림 4.7. 포트1, 포트2 양단간에 위상차 31
그림 4.8. DPD 피드백 커플러 회로 모델링 32
그림 5.1. 디지털 선형화기 구성도 33
그림 5.2. 디지털 전치 왜곡 신호 구현 다차항 FIR 필터 35
그림 5.3. 순람표를 사용하는 전치 왜곡기 내부 구조 35
그림 5.4. PAR 데이터 37
그림 5.5. 출력 파워 데이터 37
그림 5.6. DPD OFF 시 성능 데이터 38
그림 5.7. DPD ON 시 성능 데이터 38
초록보기 더보기
LTE(Long Term Evolution) 30W(44.8dBm) 전력 증폭기의 효율과 선형을 개선하기 위하여 GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor) DPD(Digital Pre-Distortion)선형화기를 본 논문에서 사용하였다. LTE 30W 고효율 증폭기는 국내 LTE 서비스 대역인 869MHz~884MHz에서Eudyna사의 EGNC160 MK를 이용하여 설계하였다.
측정결과 LTE 15MHz 신호입력시 30W(44.8dBm)에서 출력 전력에서 전체 적인 DPD 개선량은 -24.58dBc를 얻었고, LTE 15MHz 소스 입력시 30W (44.8dBm) 출력 오프셋 주파수 1.98MHz에서 -24.58dBc 개선 효과를 얻었다. GaN HEMT 및 도허티를 이용하여 최대 출력에 7.5dB 백 오프 지점에서 35.952% 전력 부가 효율을 갖게 하여 기존 AB급에 비해 10%이상의 높은 효율의 개선효과를 얻었다.
GaN LTE 30W 디지털 선형 증폭기는 LTE 서비스 대역에서 사용되는 중계기 및 기지국용 전력 증폭기에 응용하여 효율 및 상호 혼변조 특성을 개선하는데 적용할 수 있다.
원문구축 및 2018년 이후 자료는 524호에서 직접 열람하십시요.
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