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마이크로파 버랙터 다이오드의 실제 사용 조건에서의 실험적 등가회로 / 임종식 ; 이준 ; 이재훈 ; 한상민 ; 안달 인기도
발행사항
아산 : 한국정보기술학회, 2010.08.31
수록지명
한국정보기술학회논문지. 제8권 제8호 (2010. 8), pp.25-32
자료실
[서울관] 정기간행물실(524호)  도서위치안내(서울관)
외부기관 원문
외부기관 원문
제어번호
KINX2010134491
원문

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목차

마이크로파 버랙터 다이오드의 실제 사용 조건에서의 실험적 등가회로 / 임종식 ; 이준 ; 이재훈 ; 한상민 ; 안달 1

요약 1

Abstract 1

I. 서론 2

II. 다이오드의 등가회로에 대한 고찰 2

III. 실제 사용 조건에서의 실험적 방법에 의한 등가회로의 추출 4

IV. 결론 6

참고문헌 7

저자소개 7

초록보기 더보기

본 논문에서는 마이크로파 버랙터 다이오드의 등가회로에 대한 실제 사용 조건하에서의 실험적 추출에 대하여 기술한다. 데이터 쉿에서 제시하는 버랙터 다이오드 자체의 등가회로는 본래적인 역할을 위한 가변 접합 커패시턴스(Cj), 기생 인덕턴스(Lp), 기생 병렬 커패시턴스(Cp)로 구성된다. 그러나 실제 사용 조건하에서는 회로에 사용되는 유전체 기판과 비어홀 효과까지 나타나므로 특히 기생 인덕턴스에서 많은 차이를 보이게 된다. 본 논문에서는 다이오드가 부착되는 유전체 기판 특성과 비어홀 효과까지 고려된 실제 사용 조건에서의 유효 기생 인덕턴스(Lp,eff)를 포함하는 등가회로를 실험적으로 추출한다. 예로써 사용한 다이오드 MSV34,060-0805-2의 데이터 쉿에 제공된 Cj, Lp, Cp는 4V의 바이어스 조건하에서 각각 0.4pF, 0.4nH, 0.06pF이었으나, 실험적으로 구한 Cj, Lp,eff, Cp는 각각 0.487pF, 1.526nH, 0.121pF이었다. 또한 실험적으로 구한 Lp,eff와 Cp는 0~15V의 가변 바이어스 조건하에서 1.476~1.567nH, 0.109~0.133pF의 비교적 균일한 값을 가져서 추출된 등가회로의 신뢰성도 우수함을 보인다.

An empirical equivalent circuit under practical application conditions of microwave varactor diodes is described. The equivalent circuit of varactor diodes in the data sheet provided by the manufacturer consists of adjustable junction capacitance(Cj) which is inherent, parasitic inductance(Lp) and capacitance(Cp). However they are not accurate under the practical usage situation in most case, because the effects of dielectric substrate and via-holes are not considered for the practical usage situation. In this work, the equivalent circuit including the effective parasitic inductance(Lp,eff) which contains the effect of the practical dielectric substrate and via-holes is extracted. The sample diode, MSV34,060-0805-2, is adopted as an example, and its Cj, Lp and Cp on the data sheet are 0.4pF, 0.4nH and 0.06pF, while the empirically extracted Cj, Lp,eff and Cp are 0.487pF, 1.526nH and 0.121pF, respectively. In addition, the extracted Lp,eff and Cp under the variable bias voltages of 0~15V are 1.476~1.567nH and 0.109~0.133pF, which are fairly uniform values with a good reliability.

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번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 "Tuning Diode Design Techniques," Motorola Application Note AN551. 미소장
2 "Varactor SPICE Models for RF VCO Applications," Application Note APN1004, Alpha Industries. 미소장
3 "Varactor Diodes", Application Note AN200824A, Skyworks Inc., Aug., 2008. 미소장
4 "A new evaluation method for rf characteristics of varactor diodes," Microwave and Optical Technology Letters, Vol.3, Issue 1,... 미소장
5 "Finding the Lumped Element Varactor Diode Model," High Frequency Electronics, pp. 22-28, 2003. 미소장
6 Microwave Filters, Impedance-Matching Networks, and Coupling Structures, Artech House, 1980. 미소장
7 A design of the low-pass filter using the novel microstrip defected ground structure 네이버 미소장
8 Design of low-pass filters using defected ground structure 네이버 미소장
9 Aeroflex "Microwave & RF Semiconductor products", data sheet, Oct., 2005. 미소장
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