생몰정보
소속
직위
직업
활동분야
주기
서지
국회도서관 서비스 이용에 대한 안내를 해드립니다.
검색결과 (전체 1건)
원문 있는 자료 (1) 열기
원문 아이콘이 없는 경우 국회도서관 방문 시 책자로 이용 가능
초록보기 더보기
Block copolymers were used to achieve nanoscale patterning. Block copolymers, particularly polystyrene-block-poly(methyl methacrylate) (PS-b-PMMA), produce patterns from which one block polymer may be selectively etched. However, the selective wet etching of PMMA with acetic acid can induce the remaining PS structures to collapse due to capillary forces between adjacent PS domains during drying. This study presents an alternative approach to the formation of nanoscale patterns by using an atmospheric UV-ozone (AP-UVO, λ = 365 nm) exposure system. Compared with the general etching system, AP-UVO exposure is relatively low cost, can potentially be scaled up, and proceeds via a simple process. In addition, we demonstrate that the line and space (L/S) sizes of the block copolymer pattern can be controlled by using the AP-UVO etch time. Also, we were able to obtain well-ordered patterns from the combining the AP-UVO exposure process with a control process of block copolymers conditions. These results suggest that the AP-UVO exposure method with block copolymers may be used to form etch masks, particularly for the fabrication of graphene nanoribbons, quantum dots, nano grid wires, and nanopores.
권호기사보기
참고문헌 (7건) : 자료제공( 네이버학술정보 )더보기
원문구축 및 2018년 이후 자료는 524호에서 직접 열람하십시요.
도서위치안내: 정기간행물실(524호) / 서가번호: 국내17
2018년 이전 정기간행물은 온라인 신청(원문 구축 자료는 원문 이용)
우편복사 목록담기를 완료하였습니다.
* 표시는 필수사항 입니다.
* 주의: 국회도서관 이용자 모두에게 공유서재로 서비스 됩니다.
저장 되었습니다.
로그인을 하시려면 아이디와 비밀번호를 입력해주세요. 모바일 간편 열람증으로 입실한 경우 회원가입을 해야합니다.
공용 PC이므로 한번 더 로그인 해 주시기 바랍니다.
아이디 또는 비밀번호를 확인해주세요