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기사명/저자명
대면적 GaN 발광다이오드의 제작과 특성 연구 / 김지영, 이강석, 박민아, 신민정, 이삼녕, 양민, 안형수, 유영문, 이효종, 신기삼, 김석환 인기도
발행사항
서울 : 한국물리학회, 2014.01.29
수록지명
새물리 = New physics : 한국물리학회지. 제64권 제1호 (2014년 1월), pp.24-29
자료실
[서울관] 정기간행물실(524호)  도서위치안내(서울관)
외부기관 원문
외부기관 원문
제어번호
KINX2014044691
주기사항
한국연구재단에서 제공한 KCI 등재학술(후보)지임
원문

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본 논문에서는 1개의 n 전극과 6개의 p 전극을 가지는 대면적 LED (light emitting diode)를 제작하였다. GaN을 기반으로 한 DH (double heterostructure) 에피층의 웨이퍼에 포토리소그래피와 전극형성을 위한 전자빔 증착법을 통해 6개의 발광영역을 구현하였다. LED 칩의 크기는 6 mm $\times$ 4 mm며, n 전극은 공통전극 (common electrode)이며 6개의 p 전극은 3개를 하나의 인가 전극으로 하여 2개의 공통전극을 형성하였다. 플립칩 패키징에 의해 6개의 영역에서 450 nm의 EL (electroluminescence) 파장을 확인하였으며, I-L (luminous flux)그래프를 통해 주입전류에 따른 빛의 세기를 조사하였다.

In this research, a large-size GaN light emitting diode (LED) was fabricated with one n-electrode and six p-electrodes. The LED chip was fabricated on a wafer on which a GaN-based DH (double heterostructure) epilayer had been grown. Six emitting areas were formed by using photolithography and e-beam evaporation to make the electrodes. The LED chip was 6 mm $\times$ 4 mm. The n-electrode was used as the common electrode, and the six p-electrodes were used as two common electrodes, each with three p-electrodes. A 450-nm EL (electroluminescence) wavelength was emitted from the six emitting areas with flip-chip packaging. The illuminance of the light was also investigated by using current-luminous flux measurements.

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대면적 GaN 발광다이오드의 제작과 특성 연구 김지영, 이강석, 박민아, 신민정, 이삼녕, 양민, 안형수, 유영문, 이효종, 신기삼, 김석환 pp.24-29 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
q-변형된 이산 시간미분을 이용한 역학 문제의 연구 정완상 pp.66-71 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
예비 물리교사들의 고전역학과 양자역학의 기초개념 이해 비교 임성민, 김재경 pp.56-65 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
준고전적 보미안 궤적의 적용 : 강한 레이저에 의한 일차원 원자모형의 이온화 변창우, 이민호, 최낙렬, 김대성 pp.72-77 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
비선형 물질을 통과하는 파의 해석적 해 이혁재 pp.78-81 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
깃털의 종횡비 및 날개 받음각에 의존하는 비행성능 연구 채규선, 김동균, 안형주, 임윤혁, 김민성, 오장원, 김세헌 pp.102-109 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
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일반 직업 영역에서 물리 전공의 유용성에 대한 물리 전공자의 인식 조사 진수영, 유준희 pp.35-45 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
Temperature-dependent Electronic Structure Change in Semiconducting BaTiO3 장영준 pp.15-18 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
Measures for the Characterization of Dynamic States of Dynamical Systems Youngtae Kim pp.1-7 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
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2009 개정 교육과정 고등학교 물리Ⅰ의 계열성과 계속성 분석 이재봉 pp.46-55 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
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1 M. Iwaya, S. Terao, T. Sano, T. Ukai and R. Nakamura et al., J. Cryst. Growth. 237, 951 (2002). 미소장
2 I. Akasaki and H. Amano, J. Cryst. Growth. 175/176, 29 (1997). 미소장
3 I. H. Lee, T. G. Kim and Y. Park, J. Cryst. Growth. 234, 305 (2002). 미소장
4 D. Morita, M. Sano, M. Yamamoto, T. Murayama and S. Nagahama et al., Jpn. J. Appl. Phys. 41, L1434 (2002). 미소장
5 T. K. Park, H. C. Ahn and S. I. Mho, J. Korean Phys. Soc. 52, 431 (2008). 미소장
6 J. H. Lee, J. T. Oh, I. S. Choi, Y. C. Kim and S. M. Lee et al., J. Korean Phys. Soc. 51, S249 (2007). 미소장
7 J. S. Kim, P. E. Jeon, J. C. Choi, H. L. Park and S. I. Mho et al., Appl. Phys. Lett. 84, 2931 (2004). 미소장
8 J. Park, M. Shin and C. C. Lee, Opt. Lett. 29, 2656(2004). 미소장
9 N. Narendran, Y. Gu, J. P. Freyssinier, H. Yu and L. Deng, J. Cryst. Growth. 268, 449 (2004). 미소장
10 L. Kim, J. H. Choi, S. H. Jang and M. W. Shin, Thermochim. Acta. 455, 21 (2007). 미소장
11 B. J. Kim, M. A. Mastro, H. J. Jung, H. Y. Kim and S. H. Kim, et al., Thin Solid Films 516, 7744(2008). 미소장
12 C. C. Lin, L. B. Chang, M. J. Jeng, C. Y. Yen and A. Das et al., Microelectron. Reliab. 50, 683 (2010). 미소장
13 G. Farkas, Qv. V. Vader, A. Poppe and G. Bognar, IEEE T. Compon. Pack. T. 28, 45 (2005). 미소장
14 P. F. Ji and C. H. Moon, Solid State Electron 85, 1(2013). 미소장
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