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기사명/저자명
AlN 기반한 선택 성장 HVPE AlGaN LED의 특성 연구 / 박민아, 이강석, 김지영, 신민정, 이삼녕, 양민, 안형수, 김석환, 강희신 인기도
발행사항
서울 : 한국물리학회, 2013.12.31
수록지명
새물리 = New physics : 한국물리학회지. 제63권 제12호 (2013년 12월), pp.1340-1345
자료실
[서울관] 정기간행물실(524호)  도서위치안내(서울관)
외부기관 원문
외부기관 원문
제어번호
KINX2014044990
주기사항
한국연구재단에서 제공한 KCI 등재학술(후보)지임
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기사명 저자명 페이지 원문 기사목차
예비 물리 교사의 전공 전자기학 학습 과정에서 나타난 그레이디언트 개념 이해의 특징 조광희 pp.1364-1373 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
신경망에서 동역학적 상전이의 특성에 관한 연구 백운학, 김경식, 허무영 pp.1389-1393 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
후 열처리 온도에 따른 CoFe2O4 박막의 자기이등방성 변화 이두용, 조창우, 이승환, 김지웅, 김혜경, 이민영, 이지성, 박성균, 황선민 pp.1328-1332 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
Ta이 첨가된 무연(Na0.545K0.47)(Nb0.55Ta0.45)O3 세라믹의 온도에 따른 유전 및 압전특성 김진수, 임상윤, 김명호, 박태곤, 박종규, 송재성 pp.1323-1327 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
화학 기상 증착법에 의해 제작한 그래핀의 CH4 유량에 따른 구조적, 광학적, 및 전기적 특성 연구 김주환, 최석호, 김성 pp.1301-1305 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
AlN 기반한 선택 성장 HVPE AlGaN LED의 특성 연구 박민아, 이강석, 김지영, 신민정, 이삼녕, 양민, 안형수, 김석환, 강희신 pp.1340-1345 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
그물망 연결성을 통한 해양표면온도의 특성에 관한 연구 정운선, 이동인, 김경식 pp.1383-1388 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
CIGS 태양전지용 ZnS 박막증착에 관한 연구 이재희 pp.1333-1339 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
전기장 개념 이해와 관련된 대학 물리 교재의 설명 분석 조헌국 pp.1346-1352 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
연속적인 높이를 가지며 높이차에 제한이 있는 고체상고체 모형 김상우, 김진민 pp.1394-1397 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
양자계의 시간의존 섭동에 대한 모의실험과 이의 시각화 정기수, 정미윤 pp.1374-1382 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
1차원과 3차원 나노구멍들에 흡착된 4He 필름 남상탁 pp.1306-1312 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
희토류 금속화합물 CeCoGe3-xSix (1.1≤ x ≤1.5)의 자기 불안정 영역에서 비저항의 온도 의존성 엄두화 pp.1313-1316 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
고등학생들의 전자기학 문제 풀이 과정에서 겪는 개념 지식 관련 어려움 분석 임준홍, 이봉우 pp.1353-1363 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장된 ZnO:Ga 박막의 기판 온도에 따른 구조적, 광학적, 전기적 특성연구 박승민, 엄영호, 황영훈 pp.1317-1322 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )

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참고문헌 목록에 대한 테이블로 번호, 참고문헌, 국회도서관 소장유무로 구성되어 있습니다.
번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 M. Iwaya, S. Terao, T. sano, T. Ukai and R. Nakamura et al., J. Cryst. Growth 951, 237 (2002). 미소장
2 I. Akaski and H. Amano, J. Cryst. Growth. 29, 175 (1997). 미소장
3 L. Hirsch and A. S. Barriere, J. Appl. Phys. 94, 5014 (2003). 미소장
4 S. L. Hwang, J. Soc. Inf. Display 16, 541 (2008). 미소장
5 H. S. Jeon, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 01AG01 (2012). 미소장
6 III-Nitride Semiconductor Materials, Chap. 1. 미소장
7 B. Lam, G. G. Gainer, S. Bidnyk, A. Elgawadi, and G. H. Park et al., Res. Soc. Symp. Proc. 639, G6.4.1 (2001). 미소장
8 H. S. Ahn, K. H. Kim, M. Yang, J. Y. Yi and H. J. Lee et al., Phys. Status Solidi 202, 1048 (2005). 미소장
9 K. Hiramatsu, A. Motogaito, H. Miyake, Members and Y. Honda et al., IEICE Trans. Electron. E83-C, 620 (2000). 미소장
10 S. Nakamura, Semicond. Sci. Technol. 14, R27 (1999). 미소장
11 T. Zheleva, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, 38 (1999). 미소장
12 R. F. Davis, MRS Intrenet J. Nitride Semicond. Res. 6, 14 (2001). 미소장
13 S. Sanorpim, J. Wu, K. Onabe and Y. Shiraki, J. Cryst. Growth. 1124, 237 (2002). 미소장
14 S. Sohyama, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Tsuchida and T. Maeda, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L24 (2005). 미소장
15 D. Marx, Z. Kawazu, T. Nakayama, Y. Minhashi and T. Takami, et al., J. Cryst. Growth. 189/190, 87 (1998). 미소장
16 A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and Yamaguchi, J. Appl. Phys. 27, L964 (1988). 미소장

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