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기사명/저자명
PEDOT:PSS/GaN 하이브리드 접합 소자의 PEDOT:PSS 두께에 따른 I-V 특성 / 신민정, 안형수, 이삼녕 인기도
발행사항
서울 : 한국물리학회, 2014.11.30
수록지명
새물리 = New physics : 한국물리학회지. 제64권 제11호 (2014년 11월), pp.1072-1076
자료실
[서울관] 정기간행물실(524호)  도서위치안내(서울관)
외부기관 원문
외부기관 원문
제어번호
KINX2015017284
주기사항
한국연구재단에서 제공한 KCI 등재학술(후보)지임

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본 연구에서는 유기물 반도체인 PEDOT:PSS와 무기물 반도체인 GaN를 이용하여 하이브리드 구조를 제작하였다. 스핀 코팅 방법을 이용해 GaN 위에 다양한 두께를 가지는 PEDOT:PSS층을 제작하였고 PEDOT:PSS층의 두께에 의존하는 전류-전압 특성을 연구하였다. 단면 측정을 통해, PEDOT:PSS 층이 GaN 에피층 위에 빈틈없이 균일하게 증착되었을 뿐만 아니라, 코팅 속도가 증가함에 따라 두께가 점차적으로 감소함을 확인할 수 있었다. 또한 PEDOT:PSS가 약 125 nm의 두께 일 때 가장 좋은 다이오드 특성을 확인 할 수 있었고, 이때 캐리어의 터널링 및 소자 계면에 존재하는 결함들에 의해 큰 값을 가지는 이상계수 (n ~ 14)를 관찰 할 수 있었다.

We fabricated a hybrid structure composed of an organic semiconductor poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) and an inorganic semiconductor GaN. PEDOT:PSS films with various thicknesses were deposited on to an n-GaN epilayer by using a spin coater, and the dependence of the current-voltage characteristics on the thickness of the PEDOT:PSS layer was examined. The PEDOT:PSS layer was homogeneously deposited on GaN epilayer, moreover the thickness of PEDOT:PSS layer was decreased by increasing the spin speed. An optimum device characteristic with the highest current-rectifying behavior was observed when the thickness of the PEDOT:PSS layer was about 125 nm. The relatively-high ideality factor (n ~14) seemed to be associated with carrier tunneling or recombination at the hybrid interface due to the presence of various defects.

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기사명 저자명 페이지 원문 기사목차
주사 전자 현미경 영상의 분석을 위한 몬테 칼로 전산시늉 송명춘, 김현희, 김성현, 김진승, 박병천 pp.1064-1071
Magneto-optical Imaging Using Bi2Y1Fe5O12 Thin Films Prepared on Glass Substrates by Using the MOD Method O. Galstyan, H. Lee, J. Park, Y. Lee, K. Lee, A. Babajanyan, D. Cha pp.1089-1092
SiC(0001) 표면에 Ag 삽입으로 형성된 준자유지지 단일층 그래핀 Altaibaatar Lkhavasuren, 김희동, 서재명 pp.1059-1063
DC마그네트론 스퍼터 기술로 제조된 ITO/Cu/ITO 박막의 특성 김미정, 채영안, 박환열, 김현숙, 차덕준 pp.1077-1082
PEDOT:PSS/GaN 하이브리드 접합 소자의 PEDOT:PSS 두께에 따른 I-V 특성 신민정, 안형수, 이삼녕 pp.1072-1076
진공증착법에 의한 Zn0.44Cd0.56S 박막의 성장 및 열처리 온도에 따른 물리적 성질 윤은정, 한동헌, 박창영, 이정주, 이종덕, 강광용 pp.1107-1115
탄소나노튜브 포화 흡수체를 쓴 광섬유 레이저의 펄스 특성 측정 윤승철, 김현우, 김명훈, 김진승 pp.1142-1147
변형된 QED 진공에 의한 빛의 휘어짐 각에 대한 어림계산 김진영, 이태균 pp.1116-1121
InGaN/GaN 청색 발광다이오드에서 전류 과밀 현상이 운반자 넘침에 미치는 영향에 대한 연구 유혜정, 이진규, 김태수, 오난초, 송정훈 pp.1054-1058
변환광학과 투명망토 전영철, 서인철, 임성찬 pp.1045-1053
과학적으로 표현된 언어적 다의성 공간과 확률 그리고 언어적 개념 모델의 구성 박상업, 김기옥 pp.1122-1132
두께 변화에 따른 펜타센 박막의 모폴로지, 결정구조와 전기적 특성 박종원, 이연섭, Ogsen Galstyan, 유나연, 이한주, 전성훈, 김용재, 이기진 pp.1083-1088
레이저 펄스 여기-탐지 실험에서 LaMnO3의 광학전도도의 시간에 따른 변화 시늉내기 Purevdorj Muknhbaatar, 김명훈 pp.1093-1098
신데렐라 이야기 구조에서 뉴톤 운동 법칙을 유도하기 박상업 pp.1133-1141
Tb 원소가 첨가된 BaO3-B2O3-Li2O 무연 유리의 합성과 광학적 성질 박종호 pp.1099-1106

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번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 Chin. Phys. Lett. 30, 037802 (2013). 미소장
2 J. Lumin. 147, 1 (2014). 미소장
3 Solar Energy Mater. Solar Cells 121, 28 (2014). 미소장
4 Solar Energy Mater. Solar Cells 121, 22 (2014). 미소장
5 J. Alloys Compd. 592, 1 (2014). 미소장
6 Thin Solid Films 518, e61 (2010). 미소장
7 Appl. Phys. Lett. 95, 253303 (2009). 미소장
8 Nano Lett. 8, 1219 (2008). 미소장
9 Phys. Status Solidi A 210, 470 (2013). 미소장
10 Chem. Commun. 50, 1417 (2014). 미소장
11 Nano Lett. 13, 607 (2013). 미소장
12 J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 224017 (2011). 미소장
13 A-1048400 is a novel, orally active, state-dependent neuronal calcium channel blocker that produces dose-dependent antinociception without altering hemodynamic function in rats 네이버 미소장
14 Appl. Phys. Lett. 102, 063303 (2013). 미소장
15 Org. Electron. 14, 2818 (2013). 미소장
16 J. Lumin. 132, 330 (2012). 미소장
17 Synth. Met. 161, 324 (2011). 미소장
18 Nat. Photonics 5, 763 (2011). 미소장
19 Optics Commun. 322, 66 (2014). 미소장
20 IEEE Photon. Technol. Lett. 26, 43 (2014). 미소장
21 J. Appl. Phys. 116, 014502 (2014). 미소장
22 Curr. Appl. Phys. 14, 1099 (2014). 미소장
23 Langmuir-Blodgett films of a Mo-blue nanoring [Mo(142)O(429)H(10)(H(2)O)(49)(CH(3)CO(2))(5)(CH(3)CH(2)CO(2))](30)(-) (Mo(142)) by the semiamphiphilic method. 네이버 미소장
24 Jpn. J. Appl. Phys. 52, 01AD02 (2013). 미소장
25 Synth. Met. 161, 2734 (2012). 미소장
26 Adv. Funct. Mater. 19, 1215 (2009). 미소장
27 Appl. Phys. Lett. 83, 2459 (2003). 미소장
28 J. Electron. Mater. 40, 2033 (2011). 미소장
29 Appl. Phys. Lett. 85, 6004 (2004). 미소장
30 Mater. Lett. 91, 191 (2013). 미소장
31 J. Appl. Phys. 87, 4254 (2000). 미소장
32 Proc. IRE 45, 1228 (1957). 미소장
33 Appl. Phys. Lett. 69, 1680 (1996). 미소장
34 J. Appl. Phys. 94, 2627 (2003). 미소장
35 Appl. Phys. Lett. 77, 3800 (2000). 미소장
36 Nano Lett. 9, 2183 (2009). 미소장
37 Appl. Phys. Lett. 68, 2867 (1996). 미소장
38 Mater. Lett. 61, 4967 (2007). 미소장
39 Org. Electron. 10, 1 (2009). 미소장
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