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기사명/저자명
고효율 파워 반도체 소자를 위한 Mg-doped AlN 에피층의 HVPE 성장 = HVPE growth of Mg-doped AlN epilayers for high-performance power-semiconductor devices / 배숭근, 전인준, 양민, 이삼녕, 안형수, 전헌수, 김경화, 김석환 인기도
발행사항
서울 : 한국결정성장학회, 2017.12.31
수록지명
한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 제27권 제6호 (2017년 12월), pp.275-281
자료실
[서울관] 정기간행물실(524호)  도서위치안내(서울관)
외부기관 원문
외부기관 원문
제어번호
KINX2018009604
주기사항
한국연구재단에서 제공한 KCI 등재학술(후보)지임
원문

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AlN는 넓은 밴드 갭 및 높은 열전도율로 인해 넓은 밴드 갭 및 고주파 전자 소자로 유망한 재료이다. AlN은 전력 반도체의 재료로서 더 큰 항복전압과 고전압에서의 더 작은 특성저항의 장점을 가지고 있다. 높은 전도도를 갖는 p형 AlN 에피층의 성장은 AlN 기반 응용 제품 제조에 중요하다. 본 논문에서는 Mg이 도핑된 AlN 에피층을 혼합 소스 HVPE에 의해 성장하였다. Al 및 Mg 혼합 금속은 Mg-doped AlN 에피 층의 성장을 위한 소스 물질로 사용하였다. AlN 내의 Mg 농도는 혼합 소스에서 Mg 첨가 질량의 양을 조절함으로써 제어되었다. 다양한 Mg 농도를 갖는 AlN 에피 층의 표면 형태 및 결정 구조는 FE-SEM 및 HR-XRD에 의해 조사하였다. Mg-doped AlN 에피 층의 XPS 스펙트럼으로 부터 혼합 소스 HVPE에 의해 Mg을 AlN 에피 층에 도핑할 수 있음을 증명하였다.

AlN is a promising material for wide band gap and high-frequency electronics device due to its wide bandgap and high thermal conductivity. AlN has advantages as materials for power semiconductors with a larger breakdown field, and a smaller specific on-resistance at high voltage. The growth of a p-type AlN epilayer with high conductivity is important for a manufacturing an AlN-based applications. In this paper, Mg doped AlN epilayers were grown by a mixed-source HVPE. Al and Mg mixture were used as source materials for the growth of Mg-doped AlN epilayers. Mg concentration in the AlN was controlled by modulating the quantity of Mg source in the mixed-source. Surface morphology and crystalline structure of AlN epilayers with different Mg concentrations were characterized by FE-SEM and HR-XRD. XPS spectra of the Mgdoped AlN epilayers demonstrated that Mg was doped successfully into the AlN epilayer by the mixed-source HVPE.

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기사명 저자명 페이지 원문 기사목차
정밀주조법으로 제조된 Co계 초내열 합금의 미세구조 = Microstructure of Co-base superalloy prepared by a investment casting 이정일, 이호준, 조현수, 팽종민, 박종범, 류정호 pp.313-318 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
원자층 두께를 갖는 대면적 TiOₓ 나노쉬트 합성 = The synthesis of atomically thin TiOₓ nanosheets with large size 이상은, 원종한, 박희정 pp.289-294 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
수열합성공정에 의한 ZrₓCe_1-x_O₂촉매 분말의 제조 및 특성 = Fabrication and characterization of ZrₓCe_1-x_O₂catalytic powder by a hydrothermal process 최연빈, 손정훈, 손정호, 배동식 pp.309-312 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
IGCC 용융 슬래그를 이용한 경량 지오폴리머 제조 = Fabrication of lightweight geopolymer based on the IGCC slag 박수빈, 김강덕, 강승구 pp.319-326 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
철-니켈 합금 에칭구액 용매추출 공정 용액으로부터 고순도 탄산니켈 제조에 관한 연구 = A study on the preparation of high purity nickel carbonate powders in solvent extraction processing solution from waste iron-nickel alloy etchant 채병만, 황성옥, 이석환, 김득현, 이상우, 김대원, 최희락 pp.303-308 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
고효율 파워 반도체 소자를 위한 Mg-doped AlN 에피층의 HVPE 성장 = HVPE growth of Mg-doped AlN epilayers for high-performance power-semiconductor devices 배숭근, 전인준, 양민, 이삼녕, 안형수, 전헌수, 김경화, 김석환 pp.275-281 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
광전음극 소자용 GaAs/AlGaAs 구조의 LPE 성장 = Growth of GaAs/AlGaAs structure for photoelectric cathode 배숭근, 전인준, 김경화 pp.282-288 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )
IGCC 용융 슬래그로 제조된 지오폴리머의 강도증진에 Pre-curing이 미치는 영향 = Effects of pre-curing process on improvement of the compressive strength of IGCC-slag-based-geopolymer 박수빈, 김강덕, 강승구 pp.295-302 원문보기 (음성지원, 국회도서관 방문 후 이용 가능 )

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번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 Very high breakdown voltage and large transconductance realized on GaN heterojunction field effect transistors 네이버 미소장
2 On the mechanism of highly efficient p-type conduction of Mg-doped ultra-wide-bandgap AlN nanostructures 네이버 미소장
3 Sub-Milliwatt Power III-N Light Emitting Diodes at 285 nm. 네이버 미소장
4 n-i-p-i doping superlattices—metastable semiconductors with tunable properties 네이버 미소장
5 Doping of Nitride Semiconductors by Using Mixed-source HVPE. Vol. 56. 미소장
6 Hole Compensation Mechanism of P-Type GaN Films 네이버 미소장
7 Characterization of AlGaN, Te‐doped GaN and Mg‐doped GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 네이버 미소장
8 P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI) 네이버 미소장
9 Growth of InP high electron mobility transistor structures with Te doping 네이버 미소장
10 Tunable electronic structures of p-type Mg doping in AlN nanosheet. Vol. 116. 미소장
11 An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres. 네이버 미소장
12 Investigation on structural, optical and electrical properties of Cp2Mg flow varied p-GaN grown by MOCVD. Vol. 1731. 미소장
13 Magnesium doping of (Al,Ga)As in metalorganic chemical vapor deposition 네이버 미소장
14 Mg doping for p -type AlInN lattice-matched to GaN 네이버 미소장
15 Characteristics of a non-phosphor white LED grown by using mixed-source HVPE 소장
16 Structural phase variation of InGaN micro-structures grown by mixed-source HVPE. Vol. 56. 미소장
17 Doping of nitride semiconductors by using mixed-source HVPE. Vol. 56. 미소장
18 Growth and characteristics of an AlGaN layer deposited by a hydride vapor phase epitaxy method. Vol. 50. 미소장
19 Hydride vapor phase epitaxy for the growth of AlGaN crystal. Vol. 48. 미소장
20 The properties of AlGaN epi layer grown by HVPE 소장
21 Characterizations of graded AlGaN epilayer grown by HVPE 소장
22 Investigation of blue luminescence in Mg doped AlN films 네이버 미소장
23 Room temperature ferromagnetism in Mg-doped AlN semiconductor films 네이버 미소장
24 XPS analysis of aluminum nitride films deposited by plasma source molecular beam epitaxy 네이버 미소장
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