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본 연구에서는 Mg acetate 수용액을 사용한 간편한 도핑방법으로 불순물을 주입하여 성장한 Ga₂O₃ 박막의 불순물 주입 효과에 대해 연구하였다. MOCVD 방법을 이용해 Si 기판 위에 undoped Ga₂O₃ 박막과 Mg-doped Ga₂O₃ 박막을 각각 600℃와 900℃의 성장온도에서 30분간 성장하였다. 표면 형상 분석 결과 Mg 불순물 주입에 따른 큰 차이는 확인되지 않았으며 900℃에서 성장한 박막의 표면이 600℃에서 성장한 박막의 표면보다 큰 거칠기를 가지고 다결정화 되는 것을 확인하였다. 광학적 특성 분석 결과, 도핑된 샘플의 경우 전체적인 발광 피크가 red shift 되었고 UV 방출 세기가 커지는 특성을 보였다. I-V 측정 결과로부터 Mg 불순물에 의해 600℃ 성장 박막의 누설전류가 감소하고, 900℃ 성장 박막의 광전류는 증가하는 효과를 확인하였다.In this study, we investigated the impurity effect of Ga₂O₃ doped thin film by simple doping method using Mg acetate solution. Both undoped Ga₂O₃ thin films and Mg-doped Ga₂O₃ thin films were grown on Si substrates at 600 and 900℃ for 30 minutes by means of a customized MOCVD method. As a result of the surface analysis, there were no obvious morphological differences by Mg impurity implantation. The surface of the thin film grown at 900℃ was rougher than those grown at 600℃ and polycrystallization was achieved. As a result of the optical property analysis, in the case of the doped sample, the overall emission peak was red shifted and the UV radiation intensity was increased. As a result of the I-V curve, the leakage current of the 600℃ growth thin film decreased by the Mg impurity and the photocurrent of the growth thin film of 900℃ increased.
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