본문 바로가기 주메뉴 바로가기
국회도서관 홈으로 정보검색 소장정보 검색

목차보기

목차 1

Characterizations of microscopic defect distribution on (-201) Ga2O3 single crystal substrates = (-201)면 산화갈륨 단결정 기판 미세 결함 분석 / 최미희 ; 신윤지 ; 조성호 ; 정운현 ; 정성민 ; 배시영 1

[본문] 1

권호기사

권호기사 목록 테이블로 기사명, 저자명, 페이지, 원문, 기사목차 순으로 되어있습니다.
기사명 저자명 페이지 원문 목차
결함제어를 통한 열전 반도체 연구 동향 = Defect engineering for high-performance thermoelectric semiconductors 민유호 p. 419-430

보기
강유전 세라믹의 전기장 인가에 따른 in situ X-선 회절 실험 = In situ electric-field-dependent X-ray diffraction experiments for ferroelectric ceramics 최진산, 김태헌, 안창원 p. 431-438

보기
레이저 기반 플라즈모닉 어닐링을 통한 은 나노입자 자가 생성 및 소결 공정과 이를 활용한 메탈메쉬 전극 기반 투명 웨어러블 히터 = Ag nanoparticle self-generation and agglomeration via laser-induced plasmonic annealing for metal mesh-based transparent wearable heater 황윤식, 남의연, 김연욱, 우유미, 허재찬, 박정환 p. 439-444

보기
PZT-PZN 세라믹의 미세구조가 압전 특성 및 TCC 거동에 미치는 영향 = Effect of microstructure on piezoelectric properties and TCC behavior in PZT-PZN ceramics 서인태, 최용수, 조유리, 강형원, 김강산, 천채일, 한승호 p. 445-451

보기
플래시메모리소자의 구조에 대한 열적 데이터 삭제 효율성 비교 = Comparison of efficiency of flash memory device structure in electro-thermal erasing configuration 김유정, 이승은, 이광선, 박준영 p. 452-458

보기
IoT를 사용한 센서 네트워크 기반의 실시간 토양 습도 모니터링 = Real-time soil humidity monitoring based on sensor network using IoT 김경헌, 김희동 p. 459-465

보기
빛의 밝기가 일정한 교류 구동 LED 조명기술 = Alternating current (AC) powered LED lighting technology with constant brightness 이동원, 안호명, 김병철 p. 466-470

보기
매개변수 평가법을 이용한 압전재료의 재료물성 최적화 연구. Optimization study for material properties of piezoelectric material using parameter estimation method. 1, Polycrystal PZT ceramics / 1, 다결정 PZT 세라믹스 신호용, 이호용, 홍일곡, 김종호, 임종인 p. 471-479

보기
진공인터럽터의 내전압 성능 향상을 위한 전류컨디셔닝 기법 연구 = Study on current conditioning process for improving withstand voltage performance of vacuum interrupter 차영광, 이일회, 전기범, 장지훈, 주홍진 p. 480-487

보기
듀얼 마그네트론 스퍼터링 법으로 제조된 Pd-Doped Carbon 박막의 물리적 특성에서 Pd 타겟 전력의 영향에 대한 연구 = Study of Pd target power effects on physical characteristics of Pd-doped carbon thin films using dual magnetron sputtering method 최영철, 박용섭 p. 488-493

보기
백금 난연제에 의한 실리콘 고무의 정전기 대전 특성 = Eloctrostatic electrification properties of silicone rubber in the presence of Pt flame retardant 이성일 p. 494-498

보기
서미스터로의 응용을 위한 La0.7Sr0.3MnO3 박막의 구조적, 전기적 특성 = Structural and electrical properties of La0.7Sr0.3Mno3 thin films for thermistor applications 임정은, 박병준, 이삼행, 이명규, 박주석, 김병철, 김영곤, 이성갑 p. 499-503

보기
Characterizations of microscopic defect distribution on (-201) Ga2O3 single crystal substrates / (-201)면 산화갈륨 단결정 기판 미세 결함 분석 최미희, 신윤지, 조성호, 정운현, 정성민, 배시영 p. 504-508

보기
스마트팩토리를 위한 데이터 수집 관리 프로그램 개발 = Data collection management program for smart factory 김현진, 김진사 p. 509-515

보기
BaTiO3 첨가에 따른 Bi1/2Na1/2TiO3-SrTiO3 무연 압전 세라믹스의 전기적 특성 및 상전이 거동 연구 = Electrical properties and phase transition behavior of lead-free BaTiO3-modified Bi1/2Na1/2TiO3-SrTiO3 piezoelectric ceramics 강유빈, 박재영, 무클리사 아이샤 데비타, 즈엉 짱 안, 안창원, 김병우, 한형수, 이재신 p. 516-521

보기

참고문헌 (28건) : 자료제공( 네이버학술정보 )

참고문헌 목록에 대한 테이블로 번호, 참고문헌, 국회도서관 소장유무로 구성되어 있습니다.
번호 참고문헌 국회도서관 소장유무
1 S. J. Pearton, J. Yang, P. H. Cary, F. Ren, J. Kim, M. J. Tadjer, and M. A. Mastro, Appl. Phys. Rev., 5, 011301 (2018). [DOI:https://doi.org/10.1063/1.5006941] 미소장
2 M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki, IEEE Electron Device Lett., 40, 431 (2019). [DOI:https://doi.org/10.1109/LED.2018.2884542] 미소장
3 M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett., 103, 123511 (2013). [DOI: https://doi.org/10. 1063/1.4821858] 미소장
4 M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett., 100, 013504 (2012). [DOI:https://doi.org/10.1063/1.3674287] 미소장
5 X. Wang, M. Faizan, G. Na, X. He, Y. Fu, and L. Zhang, Adv. Electron. Mater., 6, 2000119 (2020). [DOI: https://doi.org/10. 1002/aelm.202000119] 미소장
6 H. Y. Playford, A. C. Hannon, E. R. Barney, and R. I. Walton, Chem. Eur. J., 19, 2803 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1002/chem.201203359] 미소장
7 S. S. Kumar, E. J. Rubio, M. Noor-A-Alam, G. Martinez, S. Manandhar, V. Shutthanandan, S. Thevuthasan, and C. V. Ramana, J. Phys. Chem. C, 117, 4194 (2013). [DOI: https://doi. org/10.1021/jp311300e] 미소장
8 K. Akaiwa, K. Kaneko, K. Ichino, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., 55, 1202BA (2016). [DOI: https://doi.org/10.7567/JJAP. 55.1202BA] 미소장
9 M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 77, 4166 (2000). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.1330559] 미소장
10 A. Kuramata, K. Koshi, S. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Masui, and S. Yamakoshi, Jpn. J. Appl. Phys., 55, 1202A2 (2016). [DOI:http://doi.org/10.7567/JJAP.55.1202A2] 미소장
11 M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett., 100, 013504 (2012). [DOI:https://doi.org/10.1063/1.3674287] 미소장
12 K. Hoshikawa, T. Kobayashi, Y. Matsuki, E. Ohba, and T. Kobayashi, J. Cryst. Growth, 545, 125724 (2020). [DOI:https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125724] 미소장
13 K. Hoshikawa, E. Ohba, T. Kobayashi, J. Yanagisawa, C. Miyagawa, and Y. Nakamura, J. Cryst. Growth, 447, 36 (2016). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.04.022] 미소장
14 E. G. Víllora, K. Shimamura, Y. Yoshikawa, K. Aoki, and N. Ichinose, J. Cryst. Growth, 270, 420 (2004). [DOI: https://doi. org/10.1016/j.jcrysgro.2004.06.027] 미소장
15 H. Cui, H. F. Mohamed, C. Xia, Q. Sai, W. Zhou, H. Qi, J. Zhao, J. Si, and X. Ji, J. Alloys Compd., 788, 925 (2019). [DOI:https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.02.076] 미소장
16 N. Suzuki, S. Ohira, M. Tanaka, T. Sugawara, K. Nakajima, and T. Shishido, Phys. Status Solidi C, 4, 2310 (2007). [DOI:https://doi.org/10.1002/pssc.200674884] 미소장
17 Z. Galazka, Semicond. Sci. Technol., 33, 113001 (2018). [DOI:https://doi.org/10.1088/1361-6641/aadf78] 미소장
18 A. Kuramata, K. Koshi, S. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Masui, and S. Yamakoshi, Proc. SPIE 10533, Oxide-based Materials and Devices IX, 105330E (SPIE, California, 2018), p. 9-14. [DOI: https://doi.org/10.1117/12.2301405] 미소장
19 Z. Galazka, S. Ganschow, K. Irmscher, D. Klimm, M. Albrecht, R. Schewski, M. Pietsch, T. Schulz, A. Dittmar, A. Kwasniewski, R. Grueneberg, S. B. Anooz, A. Popp, U. Juda, I. M. Hanke, T. Schroeder, and M. Bickermann, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater., 67, 100511 (2021). [DOI: https://doi. org/10.1016/j.pcrysgrow.2020.100511] 미소장
20 E. Ohba, T. Kobayashi, T. Taishi, and K. Hoshikawa, J. Cryst. Growth, 556, 125990 (2021). [DOI: https://doi.org/10.1016/j. jcrysgro.2020.125990] 미소장
21 Z. Galazka, K. Irmscher, R. Uecker, R. Bertram, M. Pietsch, A. Kwasniewski, M. Naumann, T. Schulz, R. Schewski, D. Klimm, and M. Bickermann, J. Cryst. Growth, 404, 184 (2014). [DOI:https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.07.021] 미소장
22 J. D. Blevins, K. Stevens, A. Lindsey, G. Foundos, and L. Sande, IEEE Trans. Semicond. Manuf., 32, 466 (2019). [DOI:https://doi.org/10.1109/TSM.2019.2944526] 미소장
23 Z. Galazka, J. Appl. Phys., 131, 031103 (2022). [DOI:https://doi.org/10.1063/5.0076962] 미소장
24 T. S. Ngo, D. D. Le, J. Lee, S. K. Hong, J. S. Ha, W. S. Lee, and Y. B. Moon, J. Alloys Compd., 834, 155027 (2020). [DOI:https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.155027] 미소장
25 O. Ueda, N. Ikenaga, K. Koshi, K. Iizuka, A. Kuramata, K. Hanada, T. Moribayashi, S. Yamakoshi, and M. Kasu, Jpn. J. Appl. Phys., 55, 1202BD (2016). [DOI: https://doi.org/10.7567/JJAP.55.1202BD] 미소장
26 K. Hanada, T. Moribayashi, T. Uematsu, S. Masuya, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, and M. Kasu, Jpn. J. Appl. Phys., 55, 030303 (2016). [DOI: https://doi.org/10.7567/JJAP. 55.030303] 미소장
27 Y. Yao, Y. Ishikawa, and Y. Sugawara, Phys. Status Solidi A, 217, 1900630 (2020). [DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.201900630] 미소장
28 Y. Yao, Y. Sugawara, and Y. Ishikawa, J. Appl. Phys., 127, 205110(2020). [DOI: https://doi.org/10.1063/5.0007229] 미소장