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기사명 저자명 페이지 원문 목차
Surface stoichiometry dependence of ambipolar SiGe tunnel field-effect transistors and its effect on the transient performance improvement Minjeong Ryu, Woo Young Choi p. 1-7
Provisioning CSD-based storage systems with erasure-coding offloaded to the CSD Hongsu Byun, Safdar Jamil, Junghyun Ryu, Sungyong Park, Myungcheol Lee, Sung-Soon Park, Youngjae Kim p. 8-17
Interfacial trap-based 1-row hammer analysis of BCAT and nitride layer BCAT structures in dynamic random access memory Chang Young Lim, Yeon Seok Kim, Min-Woo Kwon p. 18-24
Improved performance of normally-off GaN-based MIS-HEMTs with recessed-gate and ultrathin regrown AlGaN barrier Shogo Maeda, Shinsaku Kawabata, Itsuki Nagase, Ali Baratov, Masaki Ishiguro, Toi Nezu, Takahiro Igarashi, Kishi Sekiyama, Suguru Terai, Keito Shinohara, Melvin John F. Empizo, Nobuhiko Sarukura, Masaaki Kuzuhara, Akio Yamamoto, Joel T. Asubar p. 25-32
Analysis of high temperature characteristics of double gate feedback field effect transistor Myeongho Park, Kichan Kim, Seungyeon Oh, Il Hwan Cho p. 33-40
(A) high power supply rejection and fast-transient LDO with feed-forward compensation using current sensing technique Bongsu Kim, Seung-Myeong Yu, Jongchan An, Gwangmyeong An, Junyoung Song p. 41-46
(A) more practical indicator of MAC operational power efficiency inside memory-based synapse array Seongjae Cho, Sung-Tae Lee, Soomin Kim, Hyungcheol Shin p. 47-54
(A) 1.03MOPS/W lattice-based post-quantum cryptography processor for IoT devices ByungJun Kim, Han-Gyeol Mun, Shinwoong Kim, JongMin Lee, Jae-yoon Sim p. 55-61

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