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SUMMARY
목차
제1장 서론 8
제2장 실험 10
제1절 p-Si, WO₃／p-Si, 및 Pt／WO₃／p-Si 전극의 제조 10
제2절 광전기 화학 실험 장치 11
제3절 광전기 화학 변환 특성 측정 14
1. 광전류 밀도 측정 14
2. 수소 포집 14
3. 정전용량 측정 15
4. 반도체 전극의 화학 분석 및 표면 분석 15
제3장 결과 및 고찰 16
제1절 광전류-전압 특성 16
제2절 반도체 전극에서의 수소 발생 18
제3절 광전류-파장 특성 24
제4절 Quantum Efficiency 26
제5절 Flatband Potential 측정 28
1. Onset 전위로부터 구한 flatband potential 28
2. Mott-Schottky plot으로부터 구한 flatband potential 30
3. Onset 전위와 Mott-Schottky plot으로부터 구한 flatband potential의 비교 30
제6절 Transient 광전류 거동 33
1. p-Si 전극의 transient 광전류 거동 33
2. WO₃／p-Si와 Pt／WO₃／p-Si 전극의 transient 광전류 거동 35
3. Darkness time에 따른 transient 광전류 거동 38
제7절 전극의 안정성 40
1. 광학 현미경 관찰(원문불량;p.39) 40
2. XRD 분석[원문불량;p.41] 42
3. FTIR 분석 45
4. AES 분석 49
제4장／제5장 결론 53
참고문헌 54
[부록 : 채택된 투고논문] 62
1. 태양광 변환을 위한 p형 GaAs 광전극의 전기적 특성 62
2. Structural and photocurrent-voltage characteristics of tungsten oxide thin films on p-GaAs 63
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