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자료명/저자사항
대면적 고효율 비정질 실리콘 태양전지 개발에 관한 연구. 1996 / 통상산업부 인기도
발행사항
과천 : 통상산업부, 1996
청구기호
621.31244 ㅅ198ㄷ
자료실
[서울관] 서고(열람신청 후 1층 대출대)
형태사항
120 p. : 도표, 사진 ; 27 cm
제어번호
MONO1199609826
원문
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[표제지 등]

제출문

요약문

Summary

칼라

목차

제1장 태양전지제조 단위공정 개발 9

제1절 n형 미세결정질 실리콘 박막 개발 9

제2절 레이저 식각공정 개선 15

제3절 Al 층 레이저 식각 19

제4절 Al 전극 제조공정 개선 21

제2장 단접합 태양전지 성능향상 23

제1절 p층 제조조건 개선 23

제2절 p/i buffer층 제조조건 개선 29

제3절 미세결정질 실리콘 n층 적용 33

제4절 단접합 태양전지 제조조건의 최적화 36

제3장 대면적 tandem 태양전지 성능향상 39

제4장 모듈 Encapsulation 공정 개발 43

제1절 Bus Bar 형성 43

제2절 밀봉 44

제3절 단자연결 46

제5장 결론 49

부록 : Tandem cell 기초연구 결과 51

목차 53

제1장 서론 55

제2장 이론 59

제1절 이온샤우어 도핑[17,18,19] 59

제2절 전기전도도 61

제3절 미세결정질 실리콘 박막의 증착 원리 63

제4절 미세결정질 실리콘의 전기적 특성 64

제5절 태양전지의 특성 66

제3장 실험 방법 및 장치 71

제1절 이온샤우어 도핑 시스템 71

제2절 미세결정질 실리콘의 증착 76

제3절 이온샤우어를 이용한 태양전지의 제작 77

제4장 결과 및 논의 81

제1절 증착 온도에 따른 미세결정질 실리콘 박막의 특성 81

제2절 가스 유량비에 따른 미세결정질 실리콘 박막의 특성 96

제3절 미세결정질 실리콘 박막의 이온도핑 효과 101

제4절 비정질 실리콘의 이온샤우어 도핑 107

제5절 이온샤우어를 이용하여 제작된 태양전지의 특성 107

제5장 결론 119

REFERENCES 123

[A list of submitted patents] 127

[A list of published papers (G-7 지원 표시)] 128

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등록번호 청구기호 권별정보 자료실 이용여부
0000685483 621.31244 ㅅ198ㄷ 1996 [서울관] 서고(열람신청 후 1층 대출대) 이용가능
0000685484 621.31244 ㅅ198ㄷ 1996 [서울관] 서고(열람신청 후 1층 대출대) 이용가능

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