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목차

[표제지 등]=0,1,2

제출문=1,3,1

최종보고서 초록=2,4,1

요약문=3,5,14

목차=17,19,3

제1장. 서론=19,22,1

제1절. 관련 기술 개발의 총괄적 필요성=19,22,2

제2절. 각 세부과제의 필요성 및 기술 개발의 범위=20,23,5

제2장. 국내외 기술 개발 현황=25,28,4

제3장. 본문=29,32,1

제1절. 광전자 회절, 저에너지 전자회절 및 자기 이색성을 이용한 구조 및 자성 분석=29,32,1

1. Co/Pd(111)계의 성장 형태 및 자기적 성질에 대한 연구=29,32,1

가. 개요=29,32,1

나. Co/Pd 초박막에 대한 XPD 실험=29,32,4

다. Co/Pd(111)계에 대한 MCD 실험=32,35,7

2. Mn/Ag(100)계에 있어서의 표면 합금 형성에 관한 연구=39,42,1

가. 개요=39,42,1

나. Mn/Ag(100)계에 대한 동역학적 LEED 실험 결과 및 분석=40,43,4

다. Mn/Ag(100)에 대한 XPS 실험=43,46,3

라. 결론=45,48,2

3. Cu(001) 표면 위의 Co 박막의 표면 섞임=47,50,1

가. 개요=47,50,1

나. Co/Cu(001)계의 PAX 실험=47,50,12

다. 결론=58,61,2

4. Eu 3가 부도체 화합물에서의 표면 원자가 전이 연구=60,63,1

가. 개요=60,63,2

나. Eu 3가 부도체 화합물의 광전자 분광학 실험=61,64,8

다. 결론=68,71,1

제2절. 방사광을 이용한 박막의 미세구조분석 기술개발=69,72,1

1. X-ray reflectivity 측정원리[1]=70,73,3

2. Pulsed Laser Deposition[2,3,4]=73,76,2

3. X-ray 반사율 측정의 응용=75,78,1

가. oxynitride 박막의 X-ray 반사율과 밀도 분포[5, 6]=75,78,2

나. X-선 이상 산란에 의한 원소선별적 밀도 분포[8]=77,80,2

다. 다층박막에서의 계면 구조의 특성 평가[1]=79,82,2

라. X선 공명 자기 산란[9, 11]=81,84,2

마. LaCaMnO₃박막[2, 4]=83,86,5

제3절. 중에너지 이온 산란 분광법(Medium Energy Ion Scattering Spectroscopy, MEIS)를 이용한 단원자층 표면/계면 분석=88,91,1

1. MEIS 이론=88,91,1

가. Kinetic 인자=88,91,2

나. 산란 단면적=89,92,2

다. 에너지 손실=90,93,3

라. Double Alignment=92,95,2

마. Straggling 효과=93,96,1

2. 실험장비=94,97,3

3. 연구 내용 및 결과=97,100,1

가. MEIS로 관찰한 Si-SiO₂계면의 구조=97,100,10

나. Epitaxial Ge growth on Si(001) with H surfactant=106,109,4

다. Electronic Stopping Power의 극대화=109,112,3

라. Cu3Au(100) 단결정을 이용한 단원자층 깊이 분해능의 확인=112,115,2

4. 결론=114,117,1

제4절. 이온산란을 이용한 표면/계면 원자의 조성 및 구조 분석=115,118,1

1. Pt/Al₂O₃, CoPt₃/Al₂O₃, Pt/Co/Pt/Al₂O₃자성박막의 표면/계면 원자구조 분석=115,118,1

가. 실험 방법=115,118,3

나. Pt(111)/Al₂O₃(0001)박막의 TEM 분석=117,120,5

다. Pt(111)/Al₂O₃(0001)박막의 BS/channeling 분석=122,125,5

2. Y₂O₃/Si계의 표면/계면 원자구조 분석 및 resonance-backscattering spectroscopy(BS)/channeling을 이용한 경원소 원자구조 분석=127,130,1

가. 실험 방법=127,130,1

나. Si(100)위에 적층 성장한 Y₂O₃박막의 BS/channeling 분석=128,131,6

다. Si(111)위에 적층 성장한 Y₂O₃박막의 BS/channeling 분석=133,136,4

라. 산소 공명 BS/channeling에 의한 경원소 분석=137,140,3

3. CMR재료인 LaCaMnO/LaAlO₃strain 및 구조분석=140,143,5

4. BS로 질량분해가 불가능한 GeSbTe/Si 시료의 PIXE 상호보완 분석=145,148,2

제4장. 연구목표 달성도 및 대외 기여도=147,150,3

제5장. 연구 개발 결과의 활용 계획=150,153,3

제6장. 참고문헌=153,156,8

영문목차

[title page etc.]=0,1,11

SUMMARY=10,12,4

CONTENTS=14,16,6

Chapter1. Introduction=19,22,6

Chapter2. Present development status=25,28,4

Chapter3. Results=29,32,1

Section1. Study on Structure and Magnetic Property of Ultra Thin Films using X-ray Photoelectron Diffraction, Low Energy Electron Diffraction and Magnetic Circular Dichroism=29,32,1

1-1. Research on the growth mode and magnetic property of Co/Pd(111) system=29,32,1

1-1-1. Introduction=29,32,1

1-1-2. XPD study on Co/Pd(111) system=29,32,4

1-1-3. MCD study on Co/Pd(111) system=32,35,7

1-1-4. Conclusion=38,41,1

1-2. Study on surface alloy formation of Mn/Ag(100) system=39,42,1

1-2-1. Introduction=39,42,1

1-2-2. Dynamic LEED study on Mn/Ag(100)=40,43,4

1-2-3. XPS study on Mn/Ag(100)=43,46,3

1-2-4. Conclusion=45,48,2

1-3. Study on surface alloying in Co/Cu(001) system=47,50,1

1-3-1. Introduction=47,50,1

1-3-2. PAX experiment on Co/Cu(001)=47,50,12

1-3-3. Conclusion=58,61,2

1-4. Research on Surface valence transition in trivalent Eu insulating compound=60,63,1

1-4-1. Introduction=60,63,2

1-4-2. PES experiment on trivalent Eu insulating compound=61,64,8

1-4-3. Conclusion=68,71,1

Section2. Development of Structural Analysis Tools on Ultra Thin Films using Syschrotron Light Source=69,72,1

2-1. Principle of X-ray reflectivity measurement=70,73,3

2-2. Pulsed Laser Deposition=73,76,2

2-3. Application of X-ray reflectivity measurement=75,78,1

2-3-1. X-ray reflectivity and density profiles of oxynitride thin layers=75,78,2

2-3-2. Element-specific density profiles by anomalous x-ray reflectivity=77,80,2

2-3-3. Characterization of interface morphologies in multilayers=79,82,2

2-3-4. X-ray resonant magnetic scattering=81,84,2

2-3-5. LaCaMnO₃thin films=83,86,5

Section3. Development of Surface/Interface Microanalysis with Single Atomic Layer Depth Resolution with Medium Energy Ion Scattering Spectroscopy=88,91,1

3-1. Theory of MEIS=88,91,1

3-1-1. Kinetic Factor=88,91,2

3-1-2. Scattering Cross Section=89,92,2

3-1-3. Energy Loss=90,93,3

3-1-4. Double Alignment=92,95,2

3-1-5. Straggling Effect=93,96,1

3-2. Instrumentation of MEIS=94,97,3

3-3. Results=97,100,1

3-3-1. The interface structure of Si-SiO₂=97,100,10

3-3-2. Epitaxial Ge growth on Si(001) with H surfactant=106,109,4

3-3-3. Maximization of Electronic Stopping Power=109,112,3

3-3-4. Confirmation of Single Atomic Depth Resolution with Cu₃Au(100)=112,115,2

3-4. Conclusions=114,117,1

Section4. Analysis of Composition and Structure of Surface and Interface using High Energy Ion Scattering Spectroscopy=115,118,1

4-1. Analysis of atomic composition and structure of Pt/Al₂O₃, CoPt₃/Al₂O₃, Pt/Co/Pt/Al₂O₃ magnetic thin film at surface an interface=115,118,1

4-1-1. Experimental=115,118,3

4-1-2. TEM analysis of Pt(111)/Al₂O₃(0001)=117,120,5

4-1-3. BS/channeling analysis of Pt(111)/Al₂O₃(0001)=122,125,5

4-2. Analysis of atomic composition and structure of Y₂O₃/Si and Resonance-backscattering(BS)/channeling for light element=127,130,1

4-2-1. Experimental=127,130,1

4-2-2. BS/channeling for Y₂O₃/Si(100)=128,131,6

4-2-3. BS/channeling for Y₂O₃/Si(111)=133,136,4

4-2-4. BS/channeling for light element using oxygen resonance=137,140,3

4-3. Analysis of strain and structure of CMR LaCaMnO/LaAlO₃=140,143,5

4-4. Complementary analysis of BS and PIXE for GeSbTe/Si=145,148,2

Chapter4. Accomplishment of Objectives and the Contributions=147,150,3

Chapter5. Utilization of the Results=150,153,3

Chapter6. References=153,156,8

18-1,21,1

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등록번호 청구기호 권별정보 자료실 이용여부
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