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목차
[표제지 등]=0,1,2
인사말씀/한국전자통신연구원 원장 오길록=0,3,1
제출문=1,4,2
요약문=3,6,6
SUMMARY=9,12,4
CONTENTS=13,16,2
목차=15,18,2
표목차=17,20,1
그림목차=18,21,5
제1장 서론=23,26,10
제2장 진행파형 Mach-Zehnder 변조기 전극 설계=33,36,3
제1절 방향성 결합기로 살펴본 광도파로의 일반적인 특성=35,38,2
제2절 여러 종류의 광 변조기／switch 중 Mach-Zehnder 광변조 장점과 특성 비교=37,40,2
제3절 고속동작을 위한 진행파형 전극의 설계 및 구조=38,41,5
1. Coplanar waveguide(CPW) 구조=43,46,1
2. Coplanar stripline=44,47,1
3. Grounded-coplanar waveguide=45,48,5
제4절 진행파형 40 Gbps InP Mach-Zehnder 변조기 전극 library=50,53,9
제3장 고출력 DFB-LD 및 Mach-Zehnder 변조기 제작 및 특성=59,62,3
제1절 고출력,고수율 DFB-LD 제작 및 특성=61,64,18
제2절 Mach-Zehnder 변조기 제작=78,81,6
제3절 M-Z 변조기 집적 DFB-LD의 특성 평가=83,86,8
제4장 초고속 광변조기 집적 광원 패키지 기술=91,94,3
제1절 40 Gbps M-Z 변조기 집적 DFB-LD 모듈 설계=93,96,5
제2절 40 Gbps M-Z 변조기 집적 DFB-LD 모듈 하우징 및 서브마운트 설계=97,100,8
제5장 결론=105,108,5
영문목차
[title page etc.]=0,1,15
CONTENTS=13,16,10
Chapter 1. Introduction=23,26,10
Chapter 2. Design of traveling wave electrode of M-Z modulator=33,36,3
Section 1. Typical waveguide characteristics of directional coupler=35,38,2
Section 2. Comparison of Mach-Zehnder modulator and optical modulator／switch=37,40,2
Section 3. Structure and design of traveling wave electrode for high speed operation=38,41,5
1. Structure of coplanar waveguide electrode=43,46,1
2. Structure of coplanar stripline=44,47,1
3. Structure of grounded coplanar waveguide=45,48,5
4. Library of traveling wave type electrode of 40Gbps InP M-Z modulator=50,53,9
Chapter 3. Fabrication and characterization of high power DFB-LD and M-Z modulator=59,62,3
1. Fabrication and characterization of high yield／power DFB-LD=61,64,18
2. Fabrication of Mach-Zehnder modulator=78,81,6
3. Characterization of M-Z modulator integrated DFB-LD=83,86,8
Chapter 4. Package technology of high speed optical modulator integrated light source=91,94,3
1. 40 Gbps M-Z modulator integrated DFB-LD module design=93,96,5
2. 40 Gbps M-Z modulator integrated DFB-LD module housing and submount=97,100,8
Chapter 5. Conclusions=105,108,5
(표 2-1) 진행파형 전극 library=52,55,1
(그림 2-1) (a) 진행파형 광변조기의 개략도,(b) 전극해석을 위한 등가회로=40,43,1
(그림 2-2) h:W＝1:1(Zocp1(이미지참조)),h:W＝2:1(Zocp2(이미지참조)),h:W＝3:1(Zocp3(이미지참조))의 비율로 CPW 전극의 특성임피던스＝50Ω을 얻기 위한k의 조건=43,46,1
(그림 2-3) h:W＝1:1(Zocp1(이미지참조)),h:W＝2:1(Zocp2(이미지참조)),h:W＝3:1(Zocp3(이미지참조))의 비율로 CPS 전극의 특성임피던스＝50Ω을 얻기 위한 k의 조건=44,47,1
(그림 2-4) 실제 기판 구조에서 진행파형 전극의 단면 개략도=45,48,1
(그림 2-5) 균일한 전극 폭을 가지는 초고주파 전송선 소자들의 제작,측정=46,49,1
(그림 2-6) 한쪽 방향 tapered G-CPW 전극의 제작사진=47,50,1
(그림 2-7) 양쪽 방향 taper형을 가지는G-CPW 전극의 제작사진=47,50,1
(그림 2-8) 단방향 taper pattern을 가지는G-CPW 전극의 15GHz까지 Smith chart및 반사(S11) 특성=49,52,1
(그림 2-9) 양방향 taper pattern을 가지는G-CPW 전극의 15GHz까지 Smith chart및 반사(S11) 특성=49,52,1
(그림 2-10) Grounded CPW 개략도=50,53,1
(그림 2-11) W＝100um,G＝437um,L＝20um인 GCPW의 s-parameter값=53,56,1
(그림 2-12) W＝90um,G＝390um,L＝20um인 GCPW의 s-parameter값=53,56,1
(그림 2-13) W＝80um,G＝341um,L＝20um인 GCPW의 s-parameter값=54,57,1
(그림 2-14) W＝40um,G＝152um,L＝20um인 GCPW의 s-parameter값=54,57,1
(그림 2-15) W＝10um,G＝9.6um,L＝:20um인 GCPW의 s-parameter값=55,58,1
(그림 2-16) W＝10um,G＝9.6um,L＝1500um인 GCPW의 s-parameter값=55,58,1
(그림 2-17) W＝10um,G＝9.6um,L＝2000um인 GCPW의 s-parameter값=56,59,1
(그림 2-18) W＝90um,G＝390um,L＝1500um인 GCPW의 s-parameter값=56,59,1
(그림 2-19) W＝90um,G＝390um,L＝2000um인 GCPW의 s-parameter값=57,60,1
(그림 2-20) GCPW LINE의 Layout=57,60,1
(그림 3-1) 활성층의 well을 InGaAs를 사용하였을 경우 stripe LD의 발진 임계 전류 밀도와 파장 특성=64,67,1
(그림 3-2) 활성층의 well을 InGaAsP로 사용하여 제작된 LD의 공진기 길이에 따른 발진 임계 전류 밀도=64,67,1
(그림 3-3) 제작된 DFB-LD 및 회절격자 위에 형성된 활성층의 단면 사진=66,69,1
(그림 3-4) Index-coupled DFB-LD의 I-V,I-L및 파장 특성=67,70,1
(그림 3-5) Absorption-coupled DFB-LD의 I-V,I-L및 파장 특성=67,70,1
(그림 3-6) AR coating된 absorptive grating을 가지는 DFB-LD의 L-I특성=70,73,1
(그림 3-7) AR coating된 index grating을 가지는 DFB-LD의 L-I특성=71,74,1
(그림 3-8) 공진기 길이 따른 DFB-LD의 기울기 효율,임계 전류 및 특성 온도=72,75,1
(그림 3-9) 공진기 길이에 따른 DFB-LD의 이득 스펙트럼 특성=74,77,1
(그림 3-10) 주입 전류에 따른 DFB-LD의 발진 파장 특성=75,78,1
(그림 3-11) Absorption coupled DFB-LD의 주입 전류에 따른 발진 스펙트럼과 광출력 특성=76,79,1
(그림 3-12) Absorption grating과 Index grating의 발진파장 비교=77,80,1
(그림 3-13) BPM 방법을 이용하여 설계된 MMI 및 Y-branch 구조=79,82,1
(그림 3-14) M-Z변조기 도파로 제작을 위한 RIE 및 wet treatment후 단면 사진=80,83,1
(그림 3-15) M-Z변조기의 도파로에 curing하여 형성된polyimide와self align된 변조기 arm 영역의 단면 사진=81,84,1
(그림 3-16) Hot plate와 고온용 oven을 사용하여 curing한M-Z변조기 arm 영역의 polyimide의 단면 비교 사진=82,85,1
(그림 3-17) 제작된M-Z변조기 집적 DFB-LD의 chip 사진=83,86,1
(그림 3-18) M-Z 변조기의 arm 영역의 역방향 I-V 특성=85,88,1
(그림 3-19) M-Z변조기의 파장에 따른 DC 변조 특성=86,89,1
(그림 3-20) M-Z 변조기 집적 DFB-LD의 광출력 특성=87,90,1
(그림 3-21) M-Z변조기 집적 DFB-LD의 발진 스펙트럼=89,92,1
(그림 3-22) 진행파형 M-Z 변조기의 소신호 응답 특성=90,93,1
(그림 4-1) Sliding contact 접합부의 RF 특성을 측정하기 위한 모듈=93,96,1
(그림 4-2) RF 특성 측정 모듈 측정 결과 및 해석 결과=94,97,1
(그림 4-3) M-Z 변조기 모듈의 HFSS 모델=95,98,1
(그림 4-4) HFSS 해석 결과=96,99,1
(그림 4-5) 소자 아래 Si을 놓아 surface resonance를 줄인 모듈의 HFSS 해석 결과=97,100,1
(그림 4-6) 모듈 하우징 설계 도면=98,101,1
(그림 4-7) 높이 설계=99,102,1
(그림 4-8) On-water test를 위한 metal block의 설계 도면=100,103,1
(그림 4-9) Submount 도면=101,104,2
(그림 4-10) Submount s-parameter 측정결과=103,106,1
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