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표목차=0,5,1
그림목차=0,6,6
국문요약문=0,12,1
SUMMARY=0,13,1
제1장 연구개발과제의 개요=1,14,1
1.1 연구의 목표=2,15,1
1.2 연구의 필요성=3,16,2
1.3 연구내용 및 범위=5,18,1
제2장 국내외 기술개발 현황=6,19,1
2.1 OTFT=6,19,2
2.2 OLED=7,20,2
2.3 Flexible AMOLED=8,21,1
제3장 연구개발 수행내용 및 결과=9,22,1
3.1 OTFT 단위소자 제작공정 개발 및 성능 개선=10,23,1
3.1.1 TFT의 기본 구조=10,23,1
3.1.2 TFT의 동작원리=11,24,3
3.1.3 OTFT 제작공정=14,27,1
가. 기판의 세척=14,27,1
나. PR 도포(spin coating) 및 게이트 형성=14,27,1
다. 소스-드레인 패턴 형성=14,27,1
라. 펜타센 증착=14,27,1
3.1.4 OTFT 전기적 특성 분석=15,28,5
3.1.5 유기박막 성막공정=20,33,1
가. 유기박막 성막의 중요성 및 성장 원리=20,33,2
나. 유기박막 성막방법=21,34,2
다. 유기박막 성막 최적 공정 개발=23,36,11
3.1.6 표면처리에 의한 OTFT 성능 개선=34,47,1
가. O₂ 플라즈마 표면처리효과=34,47,5
나. MNB 전극도포효과=39,52,2
다. OTS 채널 도포효과=41,54,2
라. OTS/MNB 채널 도포효과=43,56,2
3.1.7 유기 절연체를 이용한 OTFT=45,58,8
3.1.8 유기 박막 형상화 공정 개발=53,66,8
3.1.9 펜타센 OTPT를 이용한 IC회로 제작=61,74,1
가. 논리회로 마스크 설계=61,74,1
나. 논리회로 제작 공정=62,75,1
3.2 OLED 단위소자 제작공정 개발 및 성능개선=63,76,1
3.2.1 OLED 제작공정=63,76,1
가. ITO 기판의 패턴(pattern)=63,76,2
나. ITO 기판의 세척=64,77,1
다. 진공 증착 (Vacuum evaporation)=65,78,1
3.2.2 OLED 특성분석=66,79,1
가. 유기 EL 소자의 측정 방법=66,79,1
3.2.3 유기 EL 단위소자 개발 및 특성분석=67,80,1
가. Red 유기 EL단위소자:동작 전압이 DC 7V 이하,휘도 200 cd/㎡이상=67,80,1
나. Green 유기 EL 단위소자:동작 전압이 DC 7V 이하,휘도 200 cd/㎡ 이상=67,80,2
다. Blue 유기 EL 단위소자:동작 전압이 DC 7V 이하,휘도 200 cd/㎡ 이상=68,81,3
3.2.4 유기 EL 성능 개선=71,84,1
가. Red 유기 EL 성능 개선 동작전압 DC 5V 이하,휘도 200 cd/㎡ 이상=71,84,11
나. Green 유기 EL 성능 개선 동작전압 DC 5V 이하,취도 200cd/㎡ 이상=82,95,4
다. Blue 유기 EL 성능 개선 동작전압 DC 5V 이하,휘도 200cd/m2 이상=86,99,3
3.2.5 Plastic 봉지=89,102,1
가. PET(125fn),PES(100fn)의 기판의 특성 조사=89,102,3
나. 열증착법으로 형성시킨 유/무기 박막을 이용한 보조 보호층 연구=92,105,4
다. Class 및 Plastic ITO 기판에 따른 소자의 특성 평가=96,109,2
라. 향후 연구진행 방향=98,111,2
3.3 AMOLED 디스플레이 패널 시제품 제작=100,113,1
3.3.1 OTFT-OLED 단위픽셀 설계 및 제작=100,113,4
3.3.2. AMOLED 디스플레이 패널 설계=104,117,1
가. ANOLED의 설계 (1Transistor,1Capacitor)=104,117,2
나. AMOLED의 설계 조건 (2Transistor,1Capacitor)=106,119,4
3.3.3. ANGLED 구동회로 설계=110,123,3
3.3.4. ANGLED 디스플레이 패널 제작=113,126,3
제4장 목표달성도 및 관련분야에서의 기여도=116,129,2
제5장 연구개발 결과의 활용계획=118,131,2
제6장 참고문헌=120,133,6
표 1.1 정책연구과제 개요=1,14,1
표 1.2 연구목표=2,15,1
표 1.3 연구내용 및 범위=5,18,1
표 2.1 Flexible AMOLED 연구동향=8,21,1
표 3.1 연구개발 수행내용 및 결과=9,22,1
표 3.2 OTFT의 성능지수=15,28,1
표 3.3 채널 길이에 따른 OTFT의 열처리 효과 비교=18,31,1
표 3.4 Effusion Cell의 셋팅온도에 따른 펜타센 OTFT 성능지수=27,40,1
표 3.5 OTFT의 성능지수 정리=44,57,1
표 3.6 PVP의 농도변화에 대한 파라미터=47,60,1
표 3.7 poly(melamine-co-formaldehyde)의 농토변화에 대 한 파라미터=48,61,1
표 3.8 최종 OTFT 구조 및 성능(PVP유기 절연체)=52,65,1
표 3.9 사용되어진 물질들=55,68,1
표 3.10 수성 포토레지스트를 사용한 소자와 쉐도우 마스크를 사용한 소자의 특성 비교(WPR)=58,71,1
표 3.11 수성 포토레지스트를 사용한 소자와 쉐도우 마스크를 사용한 소자의 특성 비교(WPR-2)=59,72,1
표 3.12 DCJTB 도핑 농도에 따른 색순도와 양자효율=81,94,1
표 3.13 DCJTB 도핑 농도에 따른 색순도와 양자효율=81,94,1
표 3.14 ITO/PEDOT:PSS/aNPD/청색발광층/Alq3/LiF/Al.구조의 청색 OLED의 발광 특성=88,101,1
표 3.15 연차별 개발된 R,G,B 삼원색 OLED의 특성 정리=98,111,1
표 3.16 AMOLED 설계 파라미터=109,122,1
표 3.17 Flexible AMOLED panel=113,126,1
표 4.1 본 연구과제의 분야별 최종목표 및 달성도=117,130,1
그림 1.1 유기 EL 디스플레이 시장 예측 및 기술 로드맵 (NRI 2000 자료)=4,17,1
그림 2.1 OTFT용 유기반도체들의 전하이동도 발전 추이(1986~2003)=7,20,1
그림 3.1 TFT의 다양한 구조=10,23,1
그림 3.2 OTFT의 구조와 동작 원리=12,25,1
그림 3.3 OTFT의 a) ID-VG(이미지참조) 및 b) ID-VD(이미지참조) 특성=15,28,1
그림 3.4 a) Au 전극 주변의 유기박막 AFM 사진과 b) 전극의 모서리 효과 개념도=16,29,1
그림 3.5 as-deposited OTFT의 μ-VG 관계 그래프=17,30,1
그림 3.6 열처리된 OTFT의 a) ID-VG(이미지참조) 관계그래프,b) ID-VD(이미지참조) 관계그래프=18,31,1
그림 3.7 요오드 도핑된 OTFT의 a) ID-VG(이미지참조) 관계그래프,b) ID-VD(이미지참조) 관계그래프=19,32,1
그림 3.8 누설전류와 도핑농도 및 박막 두께 관계 그래프=19,32,1
그림 3.9 펜타센 박막의 성막과정=21,34,1
그림 3.10 기판의 온도와 증착율에 따른 유기 박막의 AFM 사진=23,36,1
그림 3.11 기판온도와 증착비,열처리 효과에 따른 유기 박막의 전기전도도 비교=24,37,1
그림 3.12 박막 형성 매카니즘=24,37,1
그림 3.13 Effusion cell의 증착온도에 따른 증발율과 입계크기와의 관계그래프=26,39,1
그림 3.14 Effusion Cell의 세팅온도 (a)190℃ (b)218℃에서 증착시킨 펜타센의 AFM 사진=26,39,1
그림 3.15 Effusion Cell의 셋팅온도가 (a)190℃ (b)218℃에서 증착시킨 펜타센의 FESEM 사진=27,40,1
그림 3.16 Effusion Cell의 셋팅온도가 190℃의 온도로 증착시킨 펜타센 박막의 XRD 그래프=27,40,1
그림 3.I7 Effusion Cell의 셋팅온도가 193℃,190℃,188℃일때의 OTFT의 (a)ID-VC 특성곡선,(b)ID-VD 특성곡선=28,41,1
그림 3.18 증착온도와 두께에 따른 (a)이동도의 변화 (b) VT의 변화=28,41,1
그림 3.19 Effusion cell의 증착온도 190℃에서 (a)30min 증착,(b)90min 증착 (c) 150min 증착시킨 펜타센 박막의 FESEM사진=29,42,1
그림 3.20 상부전극 구조의 (a)~(f)증착시간별 ID-VD(이미지참조) 관계 그래프 (g) 두께에 따른 VDSat(이미지참조) 관계 그래프=29,42,2
그림 3.21. 펜타센 TFT의 (a) 하부 전극 (b) 상부 전극 구조=31,44,1
그림 3.22 상부전극과 하부전극의 낮은 드레인 전압에서의 ID-VD(이미지참조) 전류 특성 그래프=32,45,1
그림 3.23 하부전극구조 OTFT의 펜타센 박막 두께에 따른 a) ID-VG(이미지참조) 및 b) ID-VD(이미지참조) 그래프=33,46,1
그림 3.24 상부전극구조 OTFT의 펜타센 박막 두께에 따른 a) ID-VG(이미지참조) 및 b) ID-VD(이미지참조) 그래프=33,46,1
그림 3.25 a) 박막상태와 b) 벌크상태 때 펜타센 그레인과 절연층 표면과의 밀착상태=33,46,1
그림 3.26 O₂플라즈마 처리 전후의 펜타센 OTFT의 ID-VD(이미지참조) 관계 그래프=36,49,1
그림 3.27 전극 주변의 펜타센 박막 AFM 사진 (a)처리전 OTFT (b)O₂플라즈마 처리후 OTFT=37,50,1
그림 3.28 O₂플라즈마 처리시간에 따른 전계이동도와 저항의 변화=37,50,1
그림 3.29 O₂플라즈마 처리시간에 따른 C-V 특성 변화=38,51,1
그림 3.30 O₂플라즈마 처리된 OTFT의 a) ID-VG(이미지참조) 및 b) ID-VD 관계그래프,c) AFM 사진,d) μ-VG(이미지참조) 관계 그래프=38,51,1
그림 3.31 MNB treating process=39,52,1
그림 3.32 MNB 도포된 OTFT의 a) ID-VG(이미지참조),b) ID-VD(이미지참조),c) AFM,d) μ-VG(이미지참조) 관계 그래프=40,53,1
그림 3.33 OTS 처리 공정=41,54,1
그림 3.34 OTS 도포된 OTFT의 a) ID-VG,b) ID-VD,c) AFM,d) μ-VG 관계 그래프=42,55,1
그림 3.35 OTS&MNB treating process=43,56,1
그림 3.36 OTS/MNB 처리된 OTFT의 a) ID-VG b) ID-VD,c) μ-VG 관계 그래프=44,57,1
그림 3.37 ITO Patterning 에 따른 transfer curve와 output curve=45,58,1
그림 3.38 cross-linked PVP가 아세톤에 대한 영향=46,59,1
그림 3.39 PVP의 농도변화에 대한 transfer curve=47,60,1
그림 3.40 poly(melamine-co-formaldehyde)의 농도변화에 대한 transfer curve=48,61,1
그림 3.41 C-V측정용 마스크와 소자 구조=49,62,1
그림 3.42 PVP polymer와 cross-linked PVP의 C-V그래프=49,62,1
그림 3.43 경화온도 변화에 대한 transfer curve;a) 160℃ (b) 170℃ (c) 180℃ (d) 190℃ (e) 200℃=51,64,1
그림 3.44 쉐도우 마스크를 이용한 증착 및 2층층을 이용한 증착=53,66,1
그림 3.45 폴리아닐린의 황화고분자 (sulfonated polymer)형태=55,68,1
그림 3.46 산화막 위의 패턴 형상=56,69,1
그림 3.47 FESEM 자료=56,69,1
그림 3.48 소자의 특성=58,71,1
그림 3.49 특성곡선=59,72,1
그림 3.50 수성 포토래지스트를 사용한 소자와 쉐도우 마스크를 사용한 소자의 특성 비교=60,73,1
그림 3.51 플라스틱 기판에 제작된 인버터 사진=62,75,1
그림 3.52 펜타센 TFT를 이용한 인버터의 출력특성 (a) 유리기판,(b) 플라스틱 기판=62,75,1
그림 3.53 ITO 패터닝을 위한 노광 과정=64,77,1
그림 3.54 진공 열 증착기(Thermal evaporator)의 구조=65,78,1
그림 3.55 측정 장치 개략도=66,79,1
그림 3.56 a-NPD/Alq3:DCM2/Alq3/Lif/Al 적색 유기 발광소자의 전류-전압-발광 특성 (왼쪽)과 전기 발광 스펙트럼 (오른쪽)=67,80,1
그림 3.57 ITO 기판/cupc/a-NPD/Alq3/Alq3/tiF/Al 녹색 운기 발광소자의 기판에 따른 전류-전압-발광 특성 (왼쪽)과 전기 발광 스펙트럼 (오른쪽)=68,81,1
그림 3.58 a-NPD/BCP:DPA(5%)/BCP/Alq3/LiF/Al 청색 유기 발광소자의 전류-전압-발광 특성 (왼쪽)과 전기 발광 스펙트럼 (오른쪽)=69,82,1
그림 3.59 TPD/Malq/Alq3/LiF/Al 구조의 청색 유기 발광소자의 전류-전압-발광 특성(왼쪽)과 양자효율 (오른쪽)=70,83,1
그림 3.60 TPD/Malq/Alq3/LiF/Al 구조의 청색 유기 발광소자의 전기 발광 스펙트럼=70,83,1
그림 3.61 적색 유기 전기발광소자의 구조와 화학적 구조=71,84,1
그림 3.62 전류-전압(I-V) 특성 그래프=72,85,1
그림 3.63 전기발광-전압 (EL-V) 특성 그래프 (a) Alq3:DCJTB(0.5%) (b) Alq3:Rubrene(1:1):DCJTB(0.5%) (c) Rubrene:DCJTB(0.5%)=73,86,1
그림 3.64 전류 밀도 함수에 따른 양자효율(QE) 그래프=73,86,1
그림 3.65 전기발광 스펙트럼 그래프(오른쪽) 및 색도 좌표(CIExyz) (a) Alq3:DCJTB(0.5%) (b) Alq3:Rubrene(1:1):DCJTB (0.5%) (c) Rubrene:DCJTB(0.5%)=74,87,1
그림 3.66 ITO/(PEDOT:PSS 또는 pentacene 10 ㎚)/a-NPD(50 ㎚)/Alq3:DCJTB(30㎚,0.5%)/Alq3(40 ㎚)/LiF(0.5 ㎚)/Al 구조의 적색 유기 발광소자의 정공 주입층(원:PEDOT:PSS,사각형:pentacne,세모:정공 주입층 없음)에 따른 전류-전압 특성(왼쪽) 및 발광-전압 특성(오=75,88,1
그림 3.67 ITO/(PEDOT:PSS 또는 pentacene 10 ㎚)/a-NPD(50 ㎚)/Atq3:DCJTB(30㎚,0.5%)/Alq3(40 ㎚)/LiF(0.5 ㎚)/Al 구조의 적색 유기 발광소자의 정공 주입층에(원:PEDOT:PSS,사각형:pentacne,세모:정공 주입층 없슴) 따른 양자효율-전류밀도 그래프=75,88,1
그림 3.68 DCJTB 0.5%일 경우 전기 발광-전압그래프(Alq3:Rubrene(x%):DCJTB(0.5%),x=(a)0%,(b)5%,(c)10%,(d)25%,(e)50%)=76,89,1
그림 3.69 DCJTB 0.5%일 경우 전류-전압 특성그래프(Alq3:Rubrene(x%):DCJTB(0.5%),x=(a)0%,(b)5%,(c)10%,(d)25%,(e)50%)=77,90,1
그림 3.70 DCJTB 5%일 경우 전류-전압 특성그래프(Alq3:Rubrene(x%):DCJTB(5%),x=(f)0%,(g)5%,(h)10%,(i)25%,(j)50%)=77,90,1
그림 3.71 DCJTB 5%일 경우 전류-전압 특성그래프(Alq3:Rubrene(x%):DCJTB(5%),x=(f)0%,(g)5%,(h)10%,(i)25%,(j)50%)=78,91,1
그림 3.72 Alq3:Rubrene(1:1) Host에 DCJTB 도핑 농도 변화에 따른 전류-전압(I-V)특성 그래프(a:0%,b:0.5%,c:1%,d:5%,e:10%,f:20%)=78,91,1
그림 3.73 Alq3:Rubrene(1:1) Host에 DCJTB 도핑 농도 변화에 따른 전기 발광-전압(EL-V) 특성 그래프 (a:0%,b:0.5%,c:1%,4:5%,e:10%,f:20%)=79,92,1
그림 3.74 Alq3:Rubrene(1:1) Host에 DCJTB 도핑 농도 변화에 따른 외부 양자 효율 특성 그래프=79,92,1
그림 3.75 ITO/PEDOT:PSS/a-NPD (50 ㎚)/Alq3:Rubrene (1:1):DCJTB (x%,30 ㎚)/Alq3 (40 ㎚)/LiF(0.5 ㎚)/Al 구조의 적색 OLED 소자의 DCITB 농도에 따른 전기발광 스펙트럼=80,93,1
그림 3.76 ITO/PEDOT:PSS/ a-NPD(50 ㎚)/Alq3:Rubrene:DCJTB(x:y:z,30 ㎚)/Alq3(40㎚)/LiF(0.5 ㎚)/Al 구조의 적색 OLED 소자의 DCJTB의 농도에 따른 색좌표=80,93,1
그림 3.77 ITO/PEDOT:PSS/a-NPD(50 ㎚)/Alq3:C540(30 ㎚,0.5%)/Alq3(20 ㎚)/LiF(0.5㎚)/Al 구조의 녹색 유기 발광소자의 전류밀도-전압특성 및 휘도-전압 특성(왼쪽)과 전기발광 스펙트럼(오른쪽)=82,95,1
그림 3.78 ITO/TPD(60 ㎚)/Alq3(50 ㎚)/pentacene (0,10,20 ㎚)/Al 구조의 녹색 유기 발광소자의 Pentacene(실선:0㎚,점선:10 ㎚,굵은실선:20 ㎚) 두께에 따른 전류-전압(왼쪽) 및 발광-전압(오른쪽) 그래프=83,96,1
그림 3.79 ITO/TPD(60 ㎚)/Alq3(50 ㎚)/pentacene (0,10,20 ㎚)/Al 구조의 적색 유기 발광소자의 Pentacene(실선:0㎚,점선:10 ㎚,굵은실선:20 ㎚) 두께에 따른 양자효율-전류밀도 그래프=83,96,1
그림 3.80 양극 및 음극 계면에 각 각 p-type과 n-type 도핑한 녹색 유기 발광소자의 전류밀도-전압 특성 (왼쪽) 과 휘도-전압 특성 (오른쪽) 1 (도핑하지 않은 비교 소자):ITO/a-NPD(30 ㎚)/Alq3(30 nnl)/Al P-I (p-type 도핑한 소자):ITO/a-NPD:FaTCNQ(30 ㎚,2%)/aNPD=84,97,1
그림 3.81 양극 및 음극 계면에 각 각 p-type과 n-type 도핑한 녹색 유기 발광소자의 양자효율=85,98,1
그림 3.82 양극 및 음극 계면에 각 각 p-type과 n-type 도핑한 녹색 유기 발광소자의 EL spectrum=85,98,1
그림 3.83 ITO/PEDOT:Pss/a-NPD(50 ㎚)/DPVBi(30 ㎚)/Alq3(20 ㎚)/LiF(0.5 ㎚)/Al구조의 청색 유기 발광소자의 전류밀도-전압 특성 및 휘도-전압 특성(왼쪽)과 전기발광 스펙트럼(오른쪽)=86,99,1
그림 3.84 ITO/PEDOT:Pss/a-NPD(50 ㎚)/DPVBi(30 ㎚)/Alq3(30 ㎚)/LiF(0.5 ㎚)/Al구조의 청색 유기 발광소자의 전류밀도-전압 특성 및 휘도-전압 특성=87,100,1
그림 3.85 ITO/PEDOT:PSS/aNPD/청색발광층/Alql/Lif/Al. 구조의 청색 OLED의 EL spectra=87,100,1
그림 3.86 ITO/PEBOT:PSS/aNPD/청색발광층/AlqS/LiF/Al. 구조의 청색 OLED의 전류밀도에 따른 양자 효율=88,101,1
그림 3.87 기판의 빛의 손실=89,102,1
그림 3.88 기판의 굴절률=89,102,1
그림 3.89 Bare PET=90,103,1
그림 3.90 Bare PES=90,103,1
그림 3.91 SiO₂ on PES by E-Beam=90,103,1
그림 3.92 Theoretical values=90,103,1
그림 3.93 SiO₂ on PET by I-Beam=91,104,1
그림 3.94 Theoretical values=91,104,1
그림 3.95 Bare PET (*6000(이미지참조))=91,104,1
그림 3.96 SiO₂ Coated on PET=91,104,1
그림 3.97 CuPC(40 ㎚)/LiF(100 ㎚)/Al(10 ㎚) 층 유무에 따른 수명 측정=92,105,1
그림 3.98 CuPC:C60 (1:2,220 ㎚)/Al(90 ㎚) 층 유무에 따른 수명 측정=93,106,1
그림 3.99 CuPC:C60 (1:2,220 ㎚)/Al(90 ㎚) 층 유무에 따른 전류-전압-발광 특성=93,106,1
그림 3.100 CuPC:C60 (1:2,220 ㎚)/Al(90 ㎚) 층 유무에 따른 양자 효율=94,107,1
그림 3.101 CuPC,C60,C60/CUPC 층 유무에 따른 수명 측정=95,108,1
그림 3.102 CuPC,C60,C60/CUPC 층 유무에 따른 전류-전압-발광 특성=95,108,1
그림 3.103 CuPC,C60,C60/CUPC 층 유무에 따른 양자효율=95,108,1
그림 3.104 기판 종류에 따른 전류-전압-발광 특성 (a)glass ITO,(b)PET ITO,(c)제작한 PET ITO=96,109,1
그림 3.105 기판 종류에 따른 양자효율,(a)glass ITO,(b)PET ITO,(c)제작한 PET ITO=96,109,1
그림 3.106 기판의 종류에 따른 수명(a) glass ITO,(b) PET ITO,(c) 제작한 PET ITO=97,110,1
그림 3.107 R.G.B 및 백색 유기 발광 소자 및 CIExy 색좌표 비교=99,112,1
그림 3.108 Test panel layout=100,113,1
그림 3.109 Test panel 의 단면도와 등가회로=102,115,1
그림 3.110 Test panel 구동=102,115,1
그림 3.111 게이트 전압에 따른 휘도 변화=103,116,1
그림 3.112 64 × 64 AMOLED display layout=104,117,1
그림 3.113 픽셀 그림=105,118,1
그림 3.114 AMOLED 기본회로=106,119,1
그림 3.115 스위칭 트랜지스터와 캐패시터=107,120,1
그림 3.116 CTr 의 구조=108,121,1
그림 3.117 구동회로설계=111,124,1
그림 3.118 구동회로 스캔라인설계=112,125,1
그림 3.119 CPU 설계=112,125,1
그림 3.120 공정순서=113,126,1
그림 3.121 제작된 display panel=115,128,1
그림 3.122 Flexible 2"AMOLED panel 시연=115,128,1
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