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SUMMARY
CONTENTS
목차
제1장 서론 21
제1절 중요성 및 문제점 23
1. 연구개발과제의 중요성 23
2. 연구개발과제 수행의 제약요인 26
3. 연구개발과제 수행결과 기대효과 27
제2절 현황 및 접근방법 30
1. 국내외 현황 30
2. 핵심요소 및 접근방법 38
3. 혁신성과 독창성 40
제2장 고품위 자발 형성 InAs 양자점 성장 43
제1절 MBE를 이용한 고품위 자발 형성 InAs 양자점 45
1. GaAs 기판에 형성한 자발형성 InAs 양자점 45
1.1. 성장온도 변화에 따른 InAs/GaAs 양자점 특성 45
1.2. As Flux 변화에 따른 양자점 특성 49
1.3. InAs 양자점의 증착량에 따른 특성 51
1.4. InAs/GaAs 양자점 적층 구조의 특성 52
1.5. 1.3 ㎛ 발광파장을 갖는 자발형성 InAs/GaAs 양자점 55
2. InP 기판에 형성한 자발형성 InAs 양자점 60
2.1. InP 기판에 격자정합한 In(Al,Ga)As 물질의 성장 60
2.2. InAl(Ga)As/InP 물질 위에 InAs 양자점 성장 61
2.3. 교번성장법을 이용한 고품위 InAs/lnAl/GaAs 양자점 성장 71
제2절 MOCVD를 이용한 고품위 자발 형성 InAs 양자점 76
1. InP 기판 위의 자발형성 InAs 양자점 성장 76
1.1. 실험 계획법에 의한 InAs/InGaAsP/InP 양자점 성장 76
1.2. 1.55㎛ 영역의 In(Ga)As 양자점 성장 81
2. InAs 양자점 레이저 다이오드의 구조 성장 84
2.1. InAs/InGaAsP/InP 양자점의 적층 구조 성장 85
2.2. InAs/GaAs/InGaAsP/InP 양자점 성장 88
2.3. Dots in a well(DWELL) 구조를 가지는 InAs 양자점 성장 90
2.4. 리지 도파로 레이저 다이오드 제작을 위한 InAs 양자점 성장 97
제3장 양자점 레이저 다이오드 제작에 관한 연구 101
제1절 양자점 DFB 레이저의 최적 구조 설계 103
1. 양자점 DFB레이저의 단일모드 발진 특성 103
1.1. DFB 레이저 해석 모델 103
1.1.1. 전달매트릭스 방법(Transfer Matrix Method) 103
2. 굴절률 결합 양자점 DFB 레이저의 단일 모드 발진 특성 111
2.1. 거울면 조건에 따른 발진 스펙트럼 특성 112
2.2. 거울면에서 회절격자의 위상 조건에 따른 발진 스펙트럼 특성 114
2.3/3.3. 발진모드 스펙트럼 분석 결과 116
3. 다 전극 양자점 DFB 레이저의 단일 모드 발진 특성 117
3.1. 다 전극 양자점 DFB 레이저의 동작 원리 및 구조 118
3.2. 3-전극 양자점 DFB 레이저의 단일 모드 동작 특성 119
4. 결합 계수 121
4.1. 결합 계수 이론 및 해석 모델 121
4.2. 결합계수 시뮬레이션 결과 분석 128
4.2.1. 양자점층 수, waveguide층 및 클래딩층 두께에 따른 유효 굴절률의 변화 128
4.2.2. 양자점층 수, waveguide층 및 클래딩층 두께에 따른 결합계수의 변화 129
4.2.3/4.3.3. 회절 격자구조에 따른 결합계수의 변화 130
제2절 양자점 반도체 레이저 제작 공정 132
1. 2.5Gbps급 Ridge FP-LD 제작 공정 132
2. 2.5Gbps급 DFB-LD 제작 공정 137
3. 10 Gbps급 양자점 레이저 다이오드 제작 142
제4장 양자점 레이저 다이오드의 특성 측정 149
제1절 양자점 레이저 다이오드의 정특성 151
1. FP (Febry-Perot) type 레이저 다이오드 151
2. DFB (Distributed Feedback) type 레이저 다이오드 157
제2절 양자점 레이저 다이오드의 동특성 161
1. FP (Febry-Perot) type 레이저 다이오드 161
2. DFB (Distrubuted Feedback) type 레이저 다이오드 164
제5장 양자점 레이저 다이오드의 신뢰성 및 패키징 171
제1절 양자점 레이저 다이오드의 신뢰성 173
1. Burn-in 시험 173
2. 가속 수명 시험 175
제2절 양자점 레이저 다이오드의 패키징 178
1. 2.5 Gbps급 To-can 패키징 178
2. 10 Gbps급 butterfly 패키징 181
제6장 결론 185
원문구축 및 2018년 이후 자료는 524호에서 직접 열람하십시요.
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