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SUMMARY
목차
제1장 기술개발과제의 개요 9
제1절 기술개발의 목적, 필요성 및 범위 9
제2장 국내외 기술개발 현황 11
제1절 국내외 기술개발 현황 11
1. 국내외 기술개발현황 11
2. 국내기술개발동향 11
3. 기술수준 평가 11
4. 산업동향 (해당기술 관련 시제품 개발 동향 등) 12
5. 시장동향 12
제3장 기술개발수행 내용 및 결과 13
제1절 Multi-layer Raised Bus 구조 및 구동 13
제2절 공정이 간소화된 Raised Bus구조 24
제3절 상하대향방전 2전극 구조 개발 44
제4절 상하대향방전 2전극 구동파형 개발 50
4-1. sub-field 구동 파형 50
4-2. 1st subfield-addressing 51
4-3. 2nd subfield-no_addressing 52
4-4. 3rd subfield-addressing 53
4-5. 4th subfield-no_addressing 54
4-6. 5th subfield-addressing 55
4-7. 6th subfield-no_addressing 56
4-8. 7th subfield-addressing 57
4-9. 8th subfield-no_addressing 58
제5절 Raised Bus 대향방전과 상판 Address가 혼합된 구조개발 60
제6절 상판 방전개시 보조전극을 채용한 Split-Common Electrode (SCE) 구동 68
제7절 External Capacitor를 이용한 저전류, 고효율 구동 84
제8절 사인파를 이용한 PDP 구동 (Sinusoidal Wave Driving of PDP) 95
제9절 구조와 구동법에 따른 방전 효율의 증가 메카니즘을 분광분석, ICCD 이미지 및 유체전산모사를 통해 밝힘 104
제10절 고속 Reset Waveform I (세종대학교) 111
제11절 고속 Reset Waveform II (세종대학교) 113
제12절 Address Bias Reset Driving Method (세종대학교) 114
제13절 고효율 Charge Restoring Sustain Driving Method (세종대학교) 116
제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 119
제5장 기술개발결과의 활용 계획 122
5-1. 기업화 추진방향 122
5-2. 기대효과 122
제6장 기술개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 123
6-1. 미국등록특허공보 제6184848호 123
6-2. 미국등록특허공보 제07067979호 124
6-3. 일본공개특허공보 제2002-014652호 125
제7장 참고문헌 126
표 1-1. 제작된 Test Panel 조건 15
표 2-1. Specification of suggested panel 27
표 6-1. 는 reference구조와 SSE 구조의 세부 사양 74
그림 1-1. 3층으로 형성된 Raised Bus 대향방전 상판구조의 Cross-Section 14
그림 1-2. 3층으로 형성된 제안된 대향방전 상판구조 16
그림 1-3. 제안된 구조의 제작 공정도 17
그림 1-4. 제안된 구조의 정마진 특성 18
그림 1-5. 제안된 구조의 휘도 특성 19
그림 1-6. 제안된 구조의 방전전류 특성 20
그림 1-7. 제안된 구조의 발광효율 특성 21
그림 1-8. ICCD를 이용한 기존 면방전 구조와 제안된 대향방전 구조의 방전형상 측정 22
그림 1-9. 기존 면방전 구조와 제안된 구조의 adressing jitter 특성 23
그림 2-1. 제안된 구조의 cross section 25
그림 2-2. 제안된 대향 방전 구조의 Top side view 26
그림 2-3. 제작된 구조의 상판 SEM 사진 28
그림 2-4. 제안된 구조의 정마진 특성 29
그림 2-5. 제안된 구조의 휘도 특성 30
그림 2-6. 제안된 구조의 방전전류 특성 31
그림 2-7. 제안된 구조의 발광효율 특성 32
그림 2-8. 방전시 제안된 구조와 기존구조에서의 전류파형과 IR 광파형 33
그림 2-9. 제안된 구조를 구동시키기 위해 개발된 파형 34
그림 2-10. 기존 면방전 구조와 제안된 구조의 adressing jitter 특성 35
그림 2-11. Addressing jitter에서 형성늦음 특성 36
그림 2-12. Addressing jitter에서 통계적늦음 특성 37
그림 2-13. 기존 면방전 구조와 제안된 구조의 스펙트럼 측정 및 IR/VIS 비 38
그림 2-14. 기존구조의 구간별 광파형 특성 39
그림 2-15. 제안된 구조(gap 250nm)의 구간별 광파형 특성 40
그림 2-16. 제안된 구조(gap 300nm)의 구간별 광파형 특성 41
그림 2-17. 제안된 구조(gap 350nm)의 구간별 광파형 특성 42
그림 2-18. ICCD를 이용한 기존 면방전 구조와 제안된 구조의 방전형상 측정 43
그림 3-1. 제작된 상하대향방전 구조의 개략도 45
그림 3-2. 정마진 특성 46
그림 3-3. 전력소모 특성 47
그림 3-4. IR intensity 특성 48
그림 3-5. 효율 특성 49
그림 4-1. 8 sub-field 구동 파형 50
그림 4-2. First sub-field Reset-Addressing-Sustain 광파형 51
그림 4-3. Second sub-field Reset-Addressing-Sustain 광파형 52
그림 4-4. 3rd sub-field Reset-Addressing-Sustain 광파형 53
그림 4-5. 4th sub-field Reset-Addressing-Sustain 광파형 54
그림 4-6. 5th sub-field Reset-Addressing-Sustain 광파형 55
그림 4-7. 6th sub-field Reset-Addressing-Sustain 광파형 56
그림 4-8. 7th sub-field Reset-Addressing-Sustain 광파형 57
그림 4-9. 8th sub-field Reset-Addressing-Sustain 광파형 58
그림 4-10. Addressing Jitter 특성 59
그림 5-1. 상판 어드레스를 가진 대향방전구조의 개념도 61
그림 5-2. 제작된 구조의 스펙 62
그림 5-3. 제작된 구조의 정마진 63
그림 5-4. 제작된 구조의 전력소모 특성 64
그림 5-5. 제작된 구조의 효율 특성 65
그림 5-6. 제안된 구조(gap 200um, Xe8%)의 ICCD 사진 66
그림 5-7. 제안된 구조(gap 200um, Xe15%)의 ICCD 사진 67
그림 6-1. simulation에 시용된 제안한 구조(2D) 70
그림 6-2. 각 구조들의 휘도 및 방전전류를 비교한 simulation 결과 71
그림 6-3. 제안된 SSE 구조의 2D simulation 결과(발광효율) 72
그림 6-4. 제안한 구조의 개략도(top view) 73
그림 6-5. 제안한 구조의 정마진특성 75
그림 6-6. 제안된 SSE 구조의 전기 광학적 특성(휘도) 76
그림 6-7. 제안된 SSE 구조의 전기 광학적 특성(소비전력) 77
그림 6-8. 제안된 SSE 구조의 전기 광학적 특성(발광효율) 78
그림 6-9. 각 mode에서 구동시 휘도 특성 80
그림 6-11. 각 mode에서 소비전력 특성 81
그림 6-12. 각 mode에서 발광효율 특성 82
그림 7-1. 85
그림 7-2. 외부 전원을 이용한 external capacitance 제어 86
그림 7-3. 제안된 구동에서 휘도와 발광효율의 변화 특성 87
그림 7-4. 제안된 구동에서 소비전력 특성 88
그림 7-5. sustain 회로의 switching FET(IR840)을 이용한 external capacitance 제어 방법 89
그림 7-6. 전압과 주파수 변화에 따른 발광효율 특성변화 90
그림 7-7. 전압과 주파수 변화에 따른 소비전력 특성변화 91
그림 7-7. 기존 구동방법과 제안된 구동방법에서 전류파형과 IR 광파형 특성 92
그림 7-8. 분광 분석 93
그림 8-1. 저주파 정현파 구동(50, 100, 150, 200 kHz)에서 V-I 특성 96
그림 8-2. 저주파 정현파 구동(50, 100, 150, 200 kHz)에서 Lissajous Patterns 97
그림 8-3. 저주파 정현파 구동(280, 320, 360, 400 V)에서 V-I 특성 98
그림 8-4. 저주파 정현파 구동(50, 100, 150, 200 kHz)에서 Lissajous Patterns 99
그림 8-5. 주파수에 따른 휘도, 효율 변화 특성 100
그림 8-6. 전압에 따른 휘도, 효율 변화 특성 101
그림 8-7. 각 구동 파형에서의 전자수 변화 양상 102
그림 8-8. 하전 입자별 전력 흡수비율 103
그림 8-1. 유체전산모사 방법으로 테스트한 다양한 대향방전 구조들 106
그림 8-2. 전산모사를 통해 얻은 휘도와 방전전류 106
그림 8-3. 전산모사를 통해 얻은 광효율 특성 107
그림 8-4. 테스트한 대향방전 구조와 기존 구조 108
그림 8-5. 방전전류형상 108
그림 8-6. 전자 수 변화 양상 109
그림 8-7. Xe 이온과 Metastables 의 수 변화 109
그림 8-8. 입자별 power absorption Ratio 특성 110
그림 6-1. 미국등록특허공보 제6184848호 123
그림 6-2. 미국등록특허공보 제07067979호 124
그림 6-3. 일본공개특허공보 제2002-014652호 125
원문구축 및 2018년 이후 자료는 524호에서 직접 열람하십시요.
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