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SUMMARY
CONTENTS
목차
I. 야금학적 정련을 이용한 태양광급 실리콘 제조기술 개발 23
제1장 서론 23
제1절 기술 개발의 배경 및 목적 23
제2절 기술 개발의 내용 및 범위 24
1. 연구 개발의 목표 24
2. 기술 개발 내용 24
제2장 국내외 기술개발 현황 25
제1절 국내 현황 25
제2절 국외 현황 26
1. JFE Steel 27
2. Elkem Solar 29
3. Becancour(이미지참조) Silicon (BSI) 32
4. Dow Corning 34
5. NS Solar Material 35
6. Solarvalue 36
7. Globe Special Metals 38
8. Jaco Solasi (중국) 39
제3장 야금학적 방법에 의한 금속 실리콘 정련 42
제1절 국내·외 특허 분석 42
1. 서론 42
2. 금속 정련 관련 전체 특허 동향 분석 47
가. 연도별 특허 동향 분석 47
나. 국가 및 출원인별 특허 동향 및 점유율 분석 47
다. 특허 기술별 특허 동향 분석 50
라. 주요 출원인별 특허 동향 분석 52
3. 붕소/탄소 제거기술 관련 특허 분석 54
가. 붕소/탄소 제거 관련 분야 특허의 연도별 동향 54
나. 붕소/탄소 제거 관련 분야 국가별 특허 동향 및 점유율 54
다. 세부 기술별 특허 동향 분석 56
라. 주요 출원인 분석 57
4. 금속 제거 관련 특허 분석 59
가. 금속 제거 관련 분야의 특허의 연도별 동향 분석 59
나. 국가별 특허 동향 및 점유율 분석 59
다. 세부 기술별 특허 동향 분석 61
5. 인(P) 제거 관련 특허 분석 63
가. 인(P) 제거 관련 분야 특허의 연도별 동향 분석 63
나. 국가별 특허동향 및 점유율 분석 63
다. 세부 기술별 특허 동향 분석 65
라. 주요 출원인 분석 67
6. 금속 정련 관련 특허 분석 69
가. Kawasaki Steel의 특허 기술별 분류 69
나. 금속실리콘 정련 기술 동향 70
다. 주요 특허 분석 72
7. 결론 97
제2절 산세에 의한 금속실리콘 정련 99
1. 서론 99
2. 실험방법 100
3. 결과 및 고찰 101
가. 금속실리콘의 순도 측정 101
나. 금속실리콘의 입자 크기의 영향 104
다. 산세 시간의 영향 105
라. 산세용액 종류에 다른 산세 효과 106
4. 결론 106
제3절 전자빔 용융(용용) 진공 정련에 의한 금속 실리콘 정련 107
1. 개요 107
2. 전자빔 용해 시스템 108
가. 전자총 109
나. Beam guide unit 111
다. 용융 chamber 및 수냉 시스템 111
라. 진공 장치 112
마. Crystallizer 및 ingot puller 114
바. Bar feeder와 granule feeder 115
3. 전자빔 용해 시스템 설계 및 제작 116
4. 전자빔 용해 시스템 시운전 117
가. 전자빔 용융 예비 실험 117
나. 원료 공급장치 예비 실험 118
다. 금속실리콘 용융을 위한 전자빔 용융 장치 시운전 121
5. 결론 126
II. 고온 캐스팅법을 이용한 리본형 기판 제조기술 개발 127
제1장 서론 127
제1절 개요 127
1. 기술 내용 127
2. 기술의 당위성 127
3. 기술의 차별성 128
4. 기술의 필요성 128
제2절 국내외 기술 동향 129
1. EFG (Edge-defined Film Growth, type 1) 133
2. SR (String Ribbon, type 1) 136
3. DW (Dentric Web, type 1) 138
4. RGS (Ribbon Growth on Substrate, type 2) 139
5. CDS (Crystallization on Dipped Substrate, type 2) 143
6. SSP Ribbon (Silicon sheets from powder) 147
제3절 관련 기술 특허 동향 149
1. 출원연도별 분석 149
가. 출원연도별 동향 149
나. 포트폴리오로 본 관련 기술 분야의 위치 151
2. 출원국가별 분석 152
가. 국가별 현황 및 점유율 152
나. 국가별 연도별 동향 153
3. 출원인 분석 155
가. 주요 출원인 현황 및 점유율 155
나. 주요 출원인 출원 연도별 동향 156
다. 출원국가별 출원인 현황 158
라. 주요출원인 공동 출원현황 164
4. 국제특허분류 분석 165
가. 국제특허분류 섹션별 현황 165
나. 세부 국제특허분류 현황 166
제2장 연구 결과 및 토의 177
제1절 실리콘 용융 기술 개발 178
1. 무접촉 실리콘 용융 기술 178
2. 무접촉 실리콘 용융의 개발 방법론 182
3. 도가니 설계 및 수치해석 183
4. 무접촉 도가니를 이용한 용융 연구 결과 191
제2절 실리콘 출탕 시스템 개발 198
제3절 리본형 기판 제조 기술 개발 203
III. 리본형 기판을 이용한 태양전지 제조기술 개발 212
제1장 서론 212
제1절 개요 212
제2절 국내외(국내와) 결정질 실리콘 태양전지 기술 및 시장 동향 214
1. 국외 동향 214
2. 국내 동향 217
제2장 연구개발수행 내용 및 결과 220
제1절 웨이퍼 준비 및 습식 방식을 이용한 표면 텍스쳐 220
제2절 p-n 접합을 위한 확산 공정 225
제3절 수소화된 실리콘 질화막(SiNx : H)을 이용한 표면 패시베이션 228
제4절 EFG 리본형 태양전지 제작 234
IV. 결론 237
참고문헌 240
서지정보양식 241
BIBLIOGRAPHIC INFORMATION SHEET 242
I. 야금학적 정련을 이용한 태양광급 실리콘 제조기술 개발 21
〈표 1-1.〉 JFE steel의 야금법에 의한 태양전지용 실리콘의 품질 28
〈표 1-2.〉 Elkem Solar의 UMG-Si 공장 개요 및 건설 스케쥴 29
〈표 1-3.〉 Elkem Solar제 태양전지용 실리콘 제조공정(UMG-Si 제조공정) 30
〈표 1-4.〉 Elkem Solar의 태양전지용 실리콘(ESSR(이미지참조))의 불순물 함유량 30
〈표 1-5.〉 Elkem Solar제 태양전지용 실리콘(ESS™)의 개요 31
〈표 1-6.〉 Becancour(이미지참조) Silicon의 UMG-Si의 분석치 32
〈표 1-7.〉 Becancour(이미지참조) Silico가 체결한 폴리실리콘의 공급선 (공개분만 기술, 일부는 추정치임) 34
〈표 1-8.〉 Dow corning의 태양전지용 실리콘 사업 계획 34
〈표 1-9.〉 Solsil의 태양전지용 실리콘의 불순물 함유량(ppmw) 39
〈표 1-10.〉 사업 계획 40
〈표 1-11.〉 Solasi을 이용하여 태양전지용 cell을 가공할 때의 가격 예상 41
〈표 1-12.〉 분석대상 기술 분야 42
〈표 1-13.〉 선행 조합식 및 raw-data 43
〈표 1-14.〉 기술별 data 수집현황 45
〈표 1-15.〉 기술 분야별 최종 data 수집 현황 46
〈표 1-16.〉 금속 정련 관련 특허의 국가별 주요 출원인 53
〈표 1-17.〉 붕소/탄소 제거 관련 기술 분야별 주요 출원인 현황 58
〈표 1-18.〉 실리콘 정련 관련 특허의 세부기술의 연도별 동향 71
〈표 1-19.〉 금속 정련 관련 분석데이터 72
〈표 1-20.〉 금속 실리콘의 성분 분석 결과 101
〈표 1-21.〉 [그림 1-40.]의 밝은색 부분의 EDX 분석 102
〈표 1-22.〉 Allowable leakage rate of EMO 100k EBM system[49]. 113
〈표 1-23.〉 EMO 100K EBM system[49]의 진공장치 사양 113
〈표 1-24.〉 예비운전을 위한 출발원료 및 실험조건 117
〈표 1-25.〉 예비운전을 위한 출발원료 및 실험조건 118
II. 고온 캐스팅법을 이용한 리본형 기판 제조기술 개발 22
〈표 2-1.〉 리본 성장 방식에 따른 비교 132
〈표 2-2.〉 리본 기술 별 특성 비교 143
〈표 2-3.〉 리본형 기판 관련특허의 주요 출원인의 출원연도별 출원동향 157
〈표 2-4.〉 리본형 기판 관련 일본특허의 주요 출원인출원연도별 출원동향 159
〈표 2-5.〉 리본형 기판 관련 미국특허의 주요 출원인출원연도별 출원동향 161
〈표 2-6.〉 리본형 기판 관련 유럽특허의 주요 출원인출원연도별 출원동향 163
〈표 2-7.〉 리본형 기판 관련 한국특허의 출원인 163
〈표 2-8.〉 리본형 기판 관련 한국특허의 출원인출원연도별 출원동향 164
〈표 2-9.〉 주요 출원인의 공동 출원 현황 164
〈표 2-10.〉 전기분야 국제특허분류 기술 내용 169
〈표 2-11.〉 화학, 야금분야 국제특허분류 기술 내용 173
〈표 2-12.〉 화학, 야금분야 국제특허분류 기술 내용 176
〈표 2-13.〉 흑연, 실리콘, 공기의 물성 데이터 184
〈표 2-14.〉 전자기 필드 해석 결과의 heat source 188
III. 리본형 기판을 이용한 태양전지 제조기술 개발 22
〈표 3-1.〉 태양광 분야별 국내외 주요 업체 및 기술 수준 비교 219
〈표 3-2.〉 Schott사의 EFG 리본형 웨이퍼 사양 220
〈표 3-3.〉 용액비에 따른 Acid texture 실험 조건 221
I. 야금학적 정련을 이용한 태양광급 실리콘 제조기술 개발 15
[그림 1-1.] NEDO 용융 정제법의 제조공정 27
[그림 1-2.] Becancour(이미지참조) Silico의 실리콘 정제로 33
[그림 1-3.] 슬래그 처리 장치의 모식도 36
[그림 1-4.] Sloarvalue의 자본 관계 37
[그림 1-5.] Solarvalue에 의한 태양전지용 실리콘 생산공정 38
[그림 1-6.] 금속정련 관련 특허 출원 동향 47
[그림 1-7.] 금속 정련 관련 특허 출원 국가별 현황 및 점유율 48
[그림 1-8.] 금속 정련 관련 특허의 출원 국가 연도별 동향 48
[그림 1-9.] 출원인 국적별 특허 현황 및 점유율 49
[그림 1-10.] 금속정련 관련특허 세부 기술별 현황 및 점유율 50
[그림 1-11.] 세부기술별 특허비율 51
[그림 1-12.] 금속정련 관련 기술분야별 특허 연도별 동향 52
[그림 1-13.] 금속정련 관련특허 주요출원인 현황 및 점유율 53
[그림 1-14.] 붕소/탄소 제거 관련 특허 출원 동향 54
[그림 1-15.] 붕소/탄소 제거 관련특허 출원국가별 현황 및 점유율 55
[그림 1-16.] 붕소/탄소 제거 관련특허 출원 국가별 연도별 동향 55
[그림 1-17.] 붕소/탄소 제거 관련특허 세부기술별 현황 및 점유율 56
[그림 1-18.] 붕소/탄소 제거 관련특허 주요출원인 현황 및 점유율 57
[그림 1-19.] 붕소/탄소 제거 관련 기술 분야별 주요 출원인 현황 58
[그림 1-20.] 금속 제거 관련 특허 출원동향 59
[그림 1-21.] 금속 제거 관련특허 출원국가별 현황 및 점유율 60
[그림 1-22.] 금속 제거 관련특허 출원국가별 연도별 동향 60
[그림 1-23.] 금속 제거 관련특허 세부 기술별 현황 및 점유율 61
[그림 1-24.] 금속 제거 관련특허 출원국가별 연도별 동향 62
[그림 1-25.] 세부기술별 국가별 특허출원 현황(금속 제거 관련) 62
[그림 1-26.] 인(P) 제거 관련 특허 출원동향 63
[그림 1-27.] 인(P) 제거 관련 특허출원 국가별 현황 및 점유율 64
[그림 1-28.] 인(P) 제거 관련특허 출원국가별 연도별 동향 64
[그림 1-29.] 인(P) 제거 관련 특허 세부 기술별 현황 및 점유율 65
[그림 1-30.] 인(P) 제거 관련특허 출원국가별 연도별 동향 66
[그림 1-31.] 세부기술별 국가별 특허출원 현황(인(P) 제거 관련) 67
[그림 1-32.] 인(P) 제거 관련 특허 주요출원인 현황 및 점유율 67
[그림 1-33.] 인(P) 제거 관련 기술 분야별 주요 출원인 현황 68
[그림 1-34.] Kawasaki Steel사의 세부 기술별 현황 69
[그림 1-35.] 실리콘 정련 관련 특허 세부 기술별 현황 및 점유율 70
[그림 1-36.] 실리콘 정련 관련 특허의 세부기술의 연도별 동향 71
[그림 1-37.] 진공 용융 정련에 의한 금속 불순물 정련 99
[그림 1-38.] 전자빔 용융 정련에 의한 금속 불순물 정련 100
[그림 1-39.] 실리콘 분쇄 장치 101
[그림 1-40.] 연마한 금속실리콘 표면의 SEM 사진 102
[그림 1-41.] 5wt% 질산 및 불산 혼합 수용액에서 연마 금속실리콘 표면의 산세시간 변화에 따른 광학현미경 사진 103
[그림 1-42.] 5wt% 질산 및 불산 혼합수용액에서 25시간 산세한 후 금속불순물 제거 효율 104
[그림 1-43.] 5wt% 질산 및 불산 혼합수용액에서 5시간 및 25시간 산세한 후 금속불순물 제거 효율 105
[그림 1-44.] 다양한 산세용액을 이용하여 25시간 동안 산세후 금속불순물 제거 효율 106
[그림 1-45.] 독일 Von Aden의 100kW급 전자빔 용융장치인 EMO-100K 외관 109
[그림 1-46.] EMO 100K EBM system의 진공 개요도 114
[그림 1-47.] Bar feeder 및 granule feeder 장착 도면 115
[그림 1-48.] 100kW급 전자빔 용융 시스템 개요도 116
[그림 1-49.] 100kW급 전자빔 용융 시스템 외관 117
[그림 1-50.] 〈표 1-23.〉의 조건으로 제조한 응고 실리콘 사진 118
[그림 1-51.] 금속 실리콘 분당 공급량 119
[그림 1-52.] 금속 실리콘 시간당 공급량 119
[그림 1-53.] 금속 실리콘 1회당 공급량 120
[그림 1-54.] 금속 실리콘 총공급량 120
[그림 1-55.] 전자빔 용융 장치를 이용하여 21kW에서 5분간 용융한 금속 실리콘 외관 121
[그림 1-56.] 전자빔 용융 장치를 이용하여 30kW에서 5분간 용융한 금속 실리콘 외관 122
[그림 1-57.] 전자빔 용융 장치를 이용하여 30kW에서 25분간 용융한 금속 실리콘 외관 123
[그림 1-58.] 30kW 전자빔 용융(60분)을 이용한 용탕 및 외관 124
[그림 1-59.] 30kW 전자빔 용융(60분)을 이용한 용탕 및 외관 124
[그림 1-60.] 전자빔 용융 제조장치 진공도 및 온도 125
[그림 1-61.] 전자빔 패턴에 따른 실리콘 용탕 및 응고상태 125
II. 고온 캐스팅법을 이용한 리본형 기판 제조기술 개발 17
[그림 2-1.] RGS (ribbon growth on substrate) 공정 개략도 128
[그림 2-2.] 메니스커스 모양에 따른 분류 (M1, M2 : 타입1, M3 : 타입2) 129
[그림 2-3.] 결정 성장 방향에 따른 분류 130
[그림 2-4.] 열응력 감소를 위한 후열처리 방식 (EFG 방식) 131
[그림 2-5.] Edge-defined Film-fed Growth (EFG) 방식의 개략도 133
[그림 2-6.] EFG 성장 장치와 8각기둥형태로 제작된 기판 사진 134
[그림 2-7.] EFG로 제작된 기판 사진 (EFG-Cell 125 × 125 mm) 135
[그림 2-8.] EFG 웨이퍼를 이용한 태양전지 셀 효율 136
[그림 2-9.] SR 법 공정 개략도 137
[그림 2-10.] SR 법 장치 137
[그림 2-11.] Dendritic web 장치 138
[그림 2-12.] 기술별 리본 태양전지의 효율 추이 (Lab scale) 139
[그림 2-13.] RGS 성장 장치 139
[그림 2-14.] RGS 방법에서의 결정 성장과 온도 분포 140
[그림 2-15.] RGS 방식에서 성장조건에 따른 결정구조 비교 141
[그림 2-16.] 초기 기판 온도에 따른 RGS 웨이퍼 두께(a) 및 성장속도(b) 141
[그림 2-17.] RGS 방법에서의 shunting mechanisms 142
[그림 2-18.] RGS 기판의 효율 추이 142
[그림 2-19.] Sharp에서 제조한 CDS 웨이퍼 (기판 크기 : 156 × 156 mm) 144
[그림 2-20.] CDS를 이용한 실리콘 웨이퍼 제조공정 개념도 144
[그림 2-21.] CDS 공정을 통한 웨이퍼 크기와 생산량 변화 145
[그림 2-22.] CDS 웨이퍼의 평면 IPF mapping결과 146
[그림 2-23.] CDS 웨이퍼를 이용한 태양전지 셀 효율 146
[그림 2-24.] CDS 웨이퍼를 이용한 태양전지 모듈 147
[그림 2-25.] SSP 공정 개략도 148
[그림 2-26.] Silicon ribbon of 20 cm 148
[그림 2-27.] 재결정 과정을 거친 SSP sheet 149
[그림 2-28.] SSP Sheet의 미세구조 149
[그림 2-29.] 리본형 기판 관련 특허 출원동향 150
[그림 2-30.] 포트폴리오로 본 리본형 기판 관련 기술분야의 위치 151
[그림 2-31.] 리본형 기판 관련특허 출원국가별 현황 및 점유율 152
[그림 2-32.] 리본형 기판 관련 특허 출원국가별 출원연도별 동향 153
[그림 2-33.] 리본형 기판 관련특허 주요출원인 현황 및 점유율(상위 15위) 155
[그림 2-34.] 리본형 기판 관련 일본특허의 주요 출원인 현황 (상위 15위) 158
[그림 2-35.] 리본형 기판 관련 미국특허의 주요 출원인 현황 (상위 15위) 160
[그림 2-36.] 리본형 기판 관련 유럽특허의 주요 출원인 현황 (상위 15위) 162
[그림 2-37.] 리본형 기판 관련특허의 국제특허분류 섹션별 현황 165
[그림 2-38.] 전기 분야의 세부 국제특허분류 현황 167
[그림 2-39.] 화학, 야금분야의 세부 국제특허분류 현황 171
[그림 2-40.] 처리, 조작 분야의 세부 국제특허분류 현황 175
[그림 2-41.] 전자기력에 의한 무접촉 메카니즘 178
[그림 2-43.] 전형적인 전자기연속주조장치의 전체 구성도 179
[그림 2-43.] 전자기연속주조용장치의 단면도 180
[그림 2-44.] (a)냉도가니와 (b)냉도가니+흑연도가니의 비교 단면도[원문불량;p.159] 181
[그림 2-45.] SiC 코팅층 및 함침층에 대한 모식도 182
[그림 2-46.] 개발 흐름도 183
[그림 2-47.] 수치 해석을 위한 도가니 설계 183
[그림 2-48.] 공기에 대한 (a) 구리 도가니와 (b) 흑연 도가니의 수치해석 185
[그림 2-49./2-49.(a)] 알루미늄에 대한 (a) 구리 도가니와 (b) 흑연 도가니의 수치해석 186
[그림 2-50.] 실리콘에 대한 흑연 도가니의 수치해석 187
[그림 2-51.] Lorentz force 187
[그림 2-52.] 슬릿이 없는 도가니의 열해석 188
[그림 2-53.] (a) 전자기 해석 면의 이미지이며, (b) 전자기 해석 부분을 나타낸 이미지 189
[그림 2-54.] (a) Slit부분과 (b) Non-Slit 부분에서의 전자기 흐름 밀도 결과 189
[그림 2-55.] 슬릿(Slit)있는 도가니 내부의 온도 분포 190
[그림 2-56.] 슬릿(Slit)있는 도가니 단면의 온도 분포 190
[그림 2-57.] 1차 도가니 설계 및 실제 사진 191
[그림 2-58.] 1차 도가니를 사용한 실리콘 용융 실험 장치 192
[그림 2-59.] 1차 도가니를 사용한 실리콘 용융 실험 결과 193
[그림 2-60.] 2차 도가니 설계도 194
[그림 2-61.] 전자기 유도 용융 시스템 194
[그림 2-62.] 2차 도가니 사진 195
[그림 2-63.] 2차 도가니를 사용한 실리콘 용융 실험 196
[그림 2-64.] 2차 도가니를 사용한 실리콘 용융 실험 196
[그림 2-65.] 게이트 바(gate bar) 설계도 198
[그림 2-66.] 출탕을 위해 제작된 도가니 하부 199
[그림 2-67.] 게이트 바의 체결 시 모습 199
[그림 2-68.] 용융된 실리콘의 이미지 200
[그림 2-69.] 도가니 및 실리콘의 온도 변화 200
[그림 2-70.] 용융된 실리콘의 출탕 후 도가니 201
[그림 2-71.] 용융된 실리콘의 출탕 도가니 하부 202
[그림 2-72.] RGS공정과 molding body 203
[그림 2-73.] Mold 및 Substrate 204
[그림 2-74.] RGS의 연속 공정 205
[그림 2-75.] RGS공정의 공정변수에 따른 태양전지의 특성 205
[그림 2-76.] 리본 casting 공정시 온도 및 결정화 206
[그림 2-77.] RGS 공정 구조 207
[그림 2-78.] 유도로2기 전체 설계도 208
[그림 2-79.] 알루미나 단열재 사용 및 단열재 제거 208
[그림 2-80.] 파손된 유도코일 알루미늄 지지체 및 써스 지지체로 교체 209
[그림 2-81.] 실리콘이 노즐에 덩어리진 사진 209
[그림 2-82.] 파손 된 기판 guide 및 수정된 기판과 guide 210
[그림 2-83.] 실리콘이 새어나온 후 굳은 실리콘 210
[그림 2-84.] 유도로 전체사진 211
III. 리본형 기판을 이용한 태양전지 제조기술 개발 20
[그림 3-1.] 태양전지 발전 원리도 212
[그림 3-2.] 기술의 범위 및 적용분야 213
[그림 3-3.] 단결정 실리콘 태양전지 효율의 발전 214
[그림 3-4.] 다결정 실리콘 태양전지 효율의 발전 217
[그림 3-5.] 태양전지 분야 연도별 과제 추진 현황 218
[그림 3-6.] HF, HNO3, DI water로 구성된 조성 그래프 221
[그림 3-7.] 공정 시간에 따른 텍스쳐된 실리콘 표면의 광학 현미경 사진 222
[그림 3-8.] 공정 시간의 증가에 따른 텍스쳐된 실리콘 표면의 Effective 반송자 수명. 223
[그림 3-9.] 공정 시간 가변에 따른 (a) 표면 반사도 및 (b) 전체 영역에서의 평균 반사도 224
[그림 3-10.] POCl₃ 액체 소스를 이용한 확산 시스템 개략도 및 주요 구성 사진 225
[그림 3-11.] Pre-deposition 온도에 따른 면저항 변화 226
[그림 3-12.] 균일도 확보를 위한 웨이퍼 부위별 면저항 측정 227
[그림 3-13.] Drive-in 시간에 따른 면저항 분포 비교 227
[그림 3-14.] 면저항의 변화에 따른 표면 반송자 수명도(carrier lifetime) 228
[그림 3-15.] 가스비 R(R = NH₃ / SiH₄ + NH₃)에 따른 증착률 및 굴절률 변화. 230
[그림 3-16.] 가스비 R(R = NH₃ / SiH₄ + NH₃)의 변화에 따른 반사도 평균값 231
[그림 3-17.] 수소화된 실리콘 질화막(SiNx : H)의 급속 열처리 공정 시스템 232
[그림 3-18.] 급속 열처리 공정을 이용한 열처리 온도에 따른 수소화된 실리콘 질화막의 Effective 반송자 수명 변화. 233
[그림 3-19.] 태양전지 제작 순서 234
[그림 3-20.] 제작된 태양전지의 전기적 특성 파라미터 비교 235
[그림 3-21.] 제작된 태양전지의 광전류-전압(LIV) 특성 236
[그림 3-22.] EFG 리본형 실리콘 웨이퍼 및 태양전지 236
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