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자료명/저자사항
양성자 및 중성자 빔 조사를 이용한 인듐산화아연 기반의 박막트랜지스터 이동도 특성 향상에 관한 연구 / 과학기술부 [편] 인기도
발행사항
[과천] : 과학기술부, 2009
청구기호
전자형태로만 열람가능함
자료실
전자자료
형태사항
49장 : 도표 ; 30 cm
제어번호
MONO1200948842
주기사항
주관연구기관: 한양대학교 산학협력단
주관연구책임자: 박종완
"사이클로트론 이용연구"의 세부과제임
단면인쇄임
원문
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보고서 초록

요약문

SUMMARY

CONTENTS

목차

제1장 연구개발과제의 개요 13

가. 연구기술의 필요성 13

(1) 기술적 측면 13

(2) 경제, 사회적 측면 14

(3) 사회, 문화적측면 14

나. 최종 목표 14

1. 양성자 및 중성자빔 조사에 의한 IZO 박막의 특성 변화에 관한 원인 규명 15

2. 양성자 및 중성자 빔 조사된 IZO 박막의 채널층 적용 가능성 평가 15

3. 산화물 반도체 기반의 트랜지스터의 안정성 향상 15

제2장 국내외 기술 개발 현황 16

가. 국외 기술 현황 16

나. 현기술상태의 취약성 18

제3장 연구개발 수행 내용 및 결과 20

가. 양성자 빔 조사를 통한 IZO 박막의 특성 조절 20

나. 양성자 빔 조사에 의한 IZO 박막 트랜지스터의 특성 평가 27

다. 중성자 빔 조사를 통한 IZO 박막의 특성 조절 34

라. 중성자 빔 조사에 의한 IZO 박막트랜지스터의 특성 평가 39

제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 43

가. 단계목표 및 달성도 43

제5장 연구개발 결과의 활용계획 45

가. 당해연도 활용계획 45

나. 활용방법 45

다. 차년도 이후 활용계획 46

라. 기대효과 47

제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술 정보 48

제7장 참고문헌 50

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