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중간보고서 초록
목차
Ⅰ. 총괄과제 : 고융점/백금족 희유금속의 초고순도화 기술개발 10
제1장 서론 10
제1절 개발기술의 개요 10
1. 개발기술 필요성 10
2. 국내ㆍ외 관련기술의 현황 12
3. 기술개발시 예상되는 파급효과 및 활용방안 16
제2절 개발기술 목표 18
1. 최종목표 18
2. 세부과제별 최종 기술개발 목표 18
3. 세부과제별 당해년도(2차년도) 기술개발 목표 19
제3절 기술개발 내용 20
1. 세부과제 1 - 전략희유금속 복합가치창출형 고순도화 기술 20
2. 세부과제 2 - 고융점 희유금속 복합용해 정련기술 20
3. 세부과제 3 - 고융점 희유금속 침입형원소 임계제어기술 21
4. 세부과제 4 - 고순도 희유금속 선택적 상제어 소재화 기술 22
5. 세부과제 5 - 백금족 촉매소재의 임계성능 극대화 기술 22
제2장 본론 23
제1절 2차년도 추진현황 23
1. 기술개발 추진일정 23
2. 해당연도 (2차년도) 수행실적 28
3. 기술개발 결과 (종합) 35
제2절 수행주체별 담당내용 및 협력 41
1. 수행주체별 담당내용 및 수행실적 41
2. 수행주체별 협력 수행실적 44
3. 수행주체별 인력 및 연구기자재 시설의 투입 실적 46
제3장 결론 및 차년도 계획 47
제1절 결론 47
1. 전략희유금속 복합가치창출형 고순도화 기술개발 (세부1) 48
2. 고융점 희유금속 복합용해 정련기술 (세부2) 48
3. 고융점 희유금속 침입형원소 임계제어 (세부3) 49
4. 고순도 희유금속 선택적 상제어 소재화 기술 (세부4) 50
5. 백금족 촉매소재의 임계성능 극대화 기술 (세부5) 50
제2절 차년도 계획 51
1. 전략희유금속 복합가치창출형 고순도화 기술개발 (세부1) 51
2. 고융점 희유금속 복합용해 정련기술 (세부2) 52
3. 고융점 희유금속 침입형원소 임계제어 (세부3) 52
4. 고순도 희유금속 선택적 상제어 소재화 기술 (세부4) 53
5. 백금족 촉매소재의 임계성능 극대화 기술 (세부5) 54
Ⅱ. 세부과제 55
Ⅱ-1. 제1세부과제 : 전략희유금속 복합가치 창출형 고순도화 기술개발 (한국지질자원연구원) 55
제1장 서론 55
제1절 세부과제 개요 55
제2절 기술개발 목표 56
1. 최종목표 56
2. 2차년도 개발목표 56
제3절 기술개발 내용 56
1. 공정물질순환형 친환경 용해화기술 56
2. 백금의 초고순도 시스템화 기술 56
3. 초고순도 루테늄 금속분말 소재화 기술 57
4. 공정고도순환기술 57
제2장 본론 58
제1절 해당 연도 추진현황 58
1. 기술개발의 추진일정 58
2. 해당 연도 수행실적 59
3. 기술개발 결과(종합) 62
제2절 수행주체별 담당내용 및 협력 65
1. 수행주체별 담당내용 수행실적 65
가. 주관기관 수행실적 65
나. 위탁기관 수행실적 87
2. 수행주체별 협력 수행실적 109
3. 수행주체별 인력 및 연구기자재ㆍ시설의 투입 실적 110
제3장 결론 및 차년도 계획 115
제1절 결론 115
1. 주관기관 결론 115
2. 위탁기관 결론 117
제2절 차년도 계획 118
1. 주관기관 차년도 계획 118
2. 위탁기관 차년도 계획 119
부록(논문, 특허, 시험성적서 등 연구실적물 첨부) 120
Ⅱ-2. 제2세부과제 : 고융점 희유금속 복합용해 정련기술(포항산업과학연구원) 125
제1장 서론 125
제1절 세부과제 개요 125
제2절 기술개발 목표 126
제3절 기술개발 내용 126
제2장 본론 127
제1절 해당 연도 추진현황 127
1. 기술개발의 추진일정 127
2. 해당 연도 수행실적 128
3. 기술개발 결과(종합) 129
제2절 수행주체별 담당내용 및 협력 131
1. 수행주체별 담당내용 수행실적 131
가. 세부주관 : 포항산업과학연구원 131
나. 위탁기관 : 경북대학교 155
2. 수행주체별 협력 수행실적 172
3. 수행주체별 인력 및 연구기자재ㆍ시설의 투입 실적 173
제3장 결론 및 차년도 계획 174
제1절 결론 174
1. 세부주관기관 : 포항산업과학연구원 174
2. 위탁기관 : 경북대학교 174
제2절 차년도 계획 176
1. 세부주관기관: 포항산업과학연구원 176
2. 위탁기관 : 경북대학교 176
부록(논문, 특허, 시험성적서 등 연구실적물 첨부) 178
Ⅱ-3. 제3세부과제 : 고융점 희유금속 침입형원소 임계제어 (재료연구소) 185
제1장 서론 185
제1절 세부과제 개요 185
제2절 기술개발 목표 189
1. 최종 목표 189
2. 당해년도 목표 189
제3절 기술개발 내용 190
1. 주관기관 190
2. 위탁기관 191
제2장 본론 193
제1절 해당 연도 추진 현황 193
1. 기술개발의 추진일정 193
2. 해당 연도 수행실적 194
3. 기술개발 결과(종합) 196
제2절 수행주체별 담당내용 및 협력 199
1. 수행주체별 담당내용 수행실적 199
가. 주관기관(KIMS) 수행실적 199
나. 위탁기관 1(금오공대) 수행실적 225
다. 위탁기관 2(모나쉬대) 수행실적 259
라. 위탁기관 3(한양대학교) 수행실적 283
2. 수행주체별 협력 수행실적 314
3. 수행주체별 인력 및 연구기자재ㆍ시설의 투입 실적 316
제3장 결론 및 차년도 계획 317
제1절 세부 주관 (KIMS) 317
제2절 위탁기관 1 (금오공대) 318
제3절 위탁기관 2 (모나쉬대) 319
제4절 위탁기관 3 (한양대) 320
제5절 차년도 계획 321
부록(논문, 특허, 시험성적서 등 연구실적물 첨부) 322
Ⅱ-4. 제4세부과제 : 고순도 희유금속 선택적 상제어 소재화기술 (한국생산기술연구원) 341
제1장 서론 341
제1절 세부과제 개요 341
제2절 기술개발 목표 341
제3절 기술개발 내용 342
제2장 본론 344
제1절 해당 연도 추진현황 344
1. 기술개발의 추진일정 344
2. 해당 연도 수행실적 345
3. 기술개발 결과(종합) 345
제2절 수행주체별 담당내용 및 협력 349
1. 수행주체별 담당내용 수행실적 349
가. 주관기관 349
나. 위탁기관 1 (송도 TP) 419
다. 위탁기관 2 (세종대학교) 420
라. 위탁기관 3 (고등기술원) 421
2. 수행주체별 협력 수행실적 423
3. 수행주체별 인력 및 연구기자재ㆍ시설의 투입 실적 424
제3장 결론 및 차년도 계획 426
1. 제 2차년도 결론 426
2. 제 3차년도 개발목표 및 연구내용 427
부록(논문, 특허, 시험성적서 등 연구실적물) 429
Ⅱ-5. 제5세부과제 : 백금족 촉매소재의 임계성능 극대화 기술(한국화학연구원) 434
제1장 서론 434
제1절 세부과제 개요 434
제2절 기술개발 목표 434
1. 최종 개발 목표 434
2. 2차년도 개발 목표 435
제3절 기술개발 내용 436
제2장 본론 437
제1절 해당 연도 추진 현황 437
1. 기술개발의 추진일정 437
2. 해당 연도 수행실적 437
3.기술개발 결과(종합) 439
제2절 수행주체별 담당내용 및 협력 441
1. 수행주체별 담당내용 수행실적 441
가. 주관기관 : 한국화학연구원 441
나. 위탁연구: 서울시립대학교 449
2. 수행주체별 협력 수행실적 460
3. 수행주체별 인력 및 연구기자재ㆍ시설의 투입 실적 461
제3장 결론 및 차년도 계획 463
1. 결론 463
2. TRL (Technology Readiness Level) 463
3. 차년도 계획 463
부록(논문, 특허, 시험성적서 등 연구실적물 첨부) 465
Ⅰ. 총괄과제 : 고융점/백금족 희유금속의 초고순도화 기술개발 14
[표 Ⅰ-1] 희유금속 기술분야별 국내ㆍ외 기술수준 비교 14
[표 Ⅰ-2] 세부과제별 최종 기술개발 목표 18
[표 Ⅰ-3] 세부과제별 2차년도 기술개발 목표 19
[표 Ⅰ-4] 수행주체간 담당내용과 수행실적 요약 43
Ⅱ-1. 제1세부과제 : 전략희유금속 복합가치 창출형 고순도화 기술개발 (한국지질자원연구원) 71
Table 1-1. Chemical composition of leaching solution of spent auto-catalyst 71
Table 1-2. Chemical composition of eluent solution through extraction D2EHPA resin chromatography column. 74
Table 1-3. Chemical composition of eluent solution through extraction TBP resin chromatography column. 76
Table 1-4. EDS result of element mass percentage (180 ℃, 4 hrs). 81
Ⅱ-2. 제2세부과제 : 고융점 희유금속 복합용해 정련기술(포항산업과학연구원) 136
[표 2-1] N type과 R type cold crucible에서 부양력과 Joule 발열량 136
[표 2-2] GD-MS를 이용한 3N, 4N 몰리브덴 중 주요 불순물 분석 결과 153
[표 2-3] Crude MoO3의 성분분석표. 155
[표 2-4] 공업용 MoO3의로부터 환원한 금속 Mo의 성분. 170
Ⅱ-3. 제3세부과제: 고융점 희유금속 침입형원소 임계제어 (재료연구소) 206
표 3-1. Ti 분말의 입자간 마찰 시험 및 유동도 측정 결과 206
표 3-2. Ti 분말의 화학성분 분석 결과 206
표 3-3. 분말 크기 및 롤 간격에 따른 스트립 밀도 특성 215
표 3-4. 분말 크기 및 롤 간격에 따른 Ti 판재의 소결 후 밀도 218
표 3-5. 분말 크기 및 롤 간격에 따른 Ti 소결 판재의 기공분율 219
표 3-6. 분말 크기 및 롤 간격에 따른 Ti 재압연 판재의 기공분율 및 밀도 221
표 3-7. 원소재 분말 및 소결 후 Ti 판재의 침입형원소 함량 분석결과 221
Table 3-8. 위탁기술 정량적 목표 달성도 225
Table 3-9 Particle size characters of -200 Mesh and -400 Mesh CP-Ti powders 230
Table 3-10. Chemical Composition of -400 Mesh CP-Ti Powders 231
Table 3-11: Compaction constants andintercepts calculated from the density/pressure relationship for the variousfractions 261
Table 3-12: Oxygen, nitrogen and hydrogen levels achieved after different heat treatments. 263
Table 3-13: Konopicky and Heckel analysesfor the oxygenated powders. 271
Table 3-14: Results from the Konopickyand Heckel analyses for the nitrogenated and hydrogenated powders. 272
Table 3-15: Estimations of relative density based on the chemical analyses of the treated powders, and the density compensated green strength values. 280
Table 1. 공정변수에 따른 유한요소해석 결과 289
표 1. DPR 공정변수 (KIMS 실험조건과 동일) 303
Ⅱ-4. 제4세부과제 : 고순도 희유금속 선택적 상제어 소재화기술 (한국생산기술연구원) 427
표 1. 공정에 따른 텅스텐 후판소재의 특성 비교 427
Ⅱ-5. 제5세부과제 : 백금족 촉매소재의 임계성능 극대화 기술(한국화학연구원) 444
표 5-1. ICP-AES 분석 결과 444
표 5-2. 설정온도에 따른 각각의 구조체의 저항 측정 값 455
표 5-3. 설정온도에 따른 구조체의 인가전압. 456
표 5-4. ICP-AES 분석 결과 460
Ⅰ. 총괄과제 : 고융점/백금족 희유금속의 초고순도화 기술개발 11
[그림 I-1 ] 희유금속의 고순도화에 따른 부품소재 용도 11
Ⅱ-1. 제1세부과제 : 전략희유금속 복합가치 창출형 고순도화 기술개발 (한국지질자원연구원) 66
Fig 1-1. 공정물질순환형 백금용해/QCM 용해속도 측정 시스템의 모식도. 66
Fig 1-2. 공정물질순환형 백금용해/QCM 용해속도 측정 시스템의 사진. 66
Fig 1-3. 염산농도에 따른 백금의 용해곡선변화 (용액온도 60 ℃, 용존염소농도 15 mmol L-1) 67
Fig 1-4. 용존염소농도 따른 백금의 용해속도변화 (용액온도 60 ℃, 염산농도 5 mol L-1) 68
Fig 1-5. Scheme of chromatography apparatus 72
Fig 1-6. Chromatogram of leaching solution through D2EPHA resin column 73
Fig 1-7. Chromatogram of leaching solution through TBP resin column 76
Fig 1-8. Photograph of chemical electrochemical dissolution distillation system (CEDDS). 77
Fig 1-9. Flow sheet of ruthenium leaching by Chemical Electrochemical Dissolution Distillation System (CEDDS). 78
Fig 1-10. Change of ruthenium percentage concentration with reaction time at pH 10 (2 A, 70 ℃, ozone : 0.16 g/h). 79
Fig 1-11. Photograph of Ruthenium chemical-electrochemical combined dissolution distillation technology (CECDD Tech.). 79
Fig 1-12. EDS result of ruthenium(Ⅲ) chloride (180 ℃, 4 hrs). 80
Fig 1-13. Schematic diagram of hydrogen reduction apparatus. 82
Fig 1-14. Photograph of hydrogen reduction apparatus. 82
Fig 1-15 XRD pattern of reduction products for commercial RuCl3 nH2O on the variation of temperatures. 83
Fig 1-16. XRD pattern of reduction products for prepared RuCl3 nH2O in this study on the variation of temperatures. 84
Fig 1-17. Weight losses of reduction products on the variation of temperatures. 85
Fig 1-18. EDX results of Ru metal after the hydrogen reduction experiment. 86
Fig 1-19. Schematic diagram of resin synthesis 88
Fig 1-20. SEM images of extraction resins using TBP 90
Fig 1-21. Chromatogram of Rh, Pd, Pt mixture (TBP-1M HCl) 90
Fig 1-22. Chromatogram of Rh, Pd, Pt mixture (TBP-1.5M HCl) 91
Fig 1-23. SEM images of extraction resins using Alamine 336 92
Fig 1-24. Chromatogram of Rh, Pd, Pt mixture (Alamine 336-1M HCl) 92
Fig 1-25. Schematic diagram of continuous column test. 94
Fig 1-26. Variation in the concentration fraction with bed volume from the mixed solution of 0.01 M HCl with 3 g PC88A resin.([PtCl4]=0.001M,[FeCl3]=0.005M,[AlCl3]=0.005M) 96
Fig 1-27. Variation in the concentration fraction with bed volume from the mixed solution of 0.01 M HCl with 10 g PC88A resin. ([PtCl4]=0.001M, [FeCl3] =0.005M, [AlCl3] =0.005M) 97
Fig 1-28. Variation in the concentration fraction with bed volume from the mixed solution of 0.001 M HCl and 10 g PC88A resin. ([PtCl4]=0.001M, [FeCl3] =0.005M, [AlCl3] =0.005M) 98
Fig 1-29. Variation in the concentration fraction of Pt(IV) and Al(III) with bed volume from the mixed solution of 0.001 M HCl with 10 g PC88A resin. ([PtCl4] = 0.001M,[AlCl3] = 0.005M) 99
Fig 1-30. Effect of Alamine336 and HCl concentration on the extraction of metals from the mixed solutions of Pt(IV) and Pd(II). ([PtCl4] = 0.001 M, [PdCl2] = 0.001 M) 100
Fig 1-31. Effect of Alamine336 concentration on the separation factor between Pd(II) and Pt(IV) at various HCl concentrations. ([PtCl4] = 0.001 M, [PdCl2] = 0.001 M) 101
Fig 1-32. Effect of Alamine336 and HCl concentration on the extraction of metals from the mixed chloride solutions of Pt(IV), Pd(II) and Cu(II). ([PtCl4] = 0.001 M, [PdCl2] = 0.001 M, [CuCl2] = 0.001 M) 102
Fig 1-33. Variation of the separation factor between Pt(IV) and Pd(II) from the mixded chloride solutions containing Cu(II). 103
Fig 1-34. Effect of Alamine336 and HCl concentration on the extraction of metals from the mixed solutions of Pt(IV), Pd(II) and Al(III). ([PtCl4] = 0.001 M, [PdCl2] = 0.001 M, [AlCl3] = 0.001 M) 104
Fig 1-35. Variation of the separation factor between Pt and Pd from the mixed chloride solutions of Pt(IV), Pd(II) and Al(III). 105
Fig 1-36. Test product of Micro-channel reactor for decomposition of ammonia/ammonia water. 107
[그림 2-1] 고진공 복합 용해 정련 기술 및 분무조주기술 125
[그림 2-2] Arc plasma 장치를 이용하여 용해한 시편 131
[그림 2-3] Arc plasma 장치를 이용하여 용해한 시편의 ICP 성분 분석 131
[그림 2-4] 위탁기관 제공 Mo 시료의 플라즈마 용해 정련후 시료 132
[그림 2-5] 3N 급 Mo 금속소재를 이용하여 전자기 부양용해 실험 결과 133
[그림 2-6] 전자기 부양용해 실험후 시료의 ICP 분석결과 133
[그림 2-7] 플라즈마용해와 전자기 부양용해의 복합용해 정련장치 134
[그림 2-8] N type cold crucible의 유도 전류 분포 135
[그림 2-9] R type cold crucible의 유도전류 분포 136
[그림 2-10] R type cold crucible의 설계 도면 138
[그림 2-11] Schematic droplet mass flux profile in the spray cone 141
[그림 2-12] Position vectors illustrating relationship between gas atomizer, spray cone, growing preformt, and moving pattern. 145
[그림 2-13] Incremental change of preform shape during growth of preform 149
[그림 2-14] CAM Profile #2 적용할 경우 기판 위에 적층되는 스프레이의 적층 빈도 계산 149
[그림 2-15] CAM Profile #2 적용할 경우 기판 위에 적층되는 스프레이의 적층 빈도 계산 150
[그림 2-16] CAM Profile #2 적용할 경우 기판 위에 성장하는 잉곳성형체의 시간에 따른 성장 형상 단면 및 3차원 렌더링 형상 150
[그림 2-17] 몰리브덴 불순물 분석 프로세스 151
[그림 2-18] 추출 조건에 따른 불순원소 회수율(a. pH의 영향, b, 질산 농도의 영향) 152
[그림 2-19] 182W의 ICP-MS 검량선(R=0.9998) 153
[그림 2-20]/[그림 96] a. Thermo사의 GD-MS, b. glow discharge 플라즈마 및 이온화 원리 154
[그림 2-21]/[그림 2-20] 실험장치 모식도. 156
[그림 2-22]/[그림 2-21] 1차환원반응 평형상수의 온도에 따른 변화. 157
[그림 2-23]/[그림 2-22] 2차환원반응의 P H2O/P H2의 온도에 따른 변화. 158
[그림 2-24]/[그림 2-23] 온도변화에 따른 H2O발생거동과 환원율 변화. 160
[그림 2-25]/[그림 2-24] MoO3의 1차환원 반응에 미치는 온도의 영향. 161
[그림 2-26]/[그림 2-25] MoO3의 1차환원 반응에 미치는 온도의 영향. 161
[그림 2-27]/[그림 2-26] MoO3의 1차환원 반응 생성물의 X-선 분석결과. 162
[그림 2-28]/[그림 2-7] 1차 환원반응생성물 SEM 관찰결과. 163
[그림 2-29]/[그림 2-28] 수소가스 분압에 따른 수증기 H2O 발생거동. 164
[그림 2-30]/[그림 2-29] 수소가스 분압에 따른 반응율 변화. 165
[그림 2-31]/[그림 2-30] MoO3 1차환원반응속도 상수의 Arrhenius plot. 166
[그림 2-32]/[그림 2-31] 시약 MoO2의 환원반응에 미치는 온도의 영향. 167
[그림 2-33]/[그림 2-32] 시약 MoO2의 환원율에 미치는 온도의 영향. 167
[그림 2-34]/[그림 2-33] 시약 MoO2의 2차환원반응속도 상수의 Arrhenius plot. 168
[그림 2-35]/[그림 2-34] MoO2 환원반응 생성물의 SEM 관찰 결과. 169
[그림 2-36]/[그림 2-35] MoO2를 850 ℃에서 환원한 경우의 X-선회절 결과. 170
Ⅱ-3. 제3세부과제: 고융점 희유금속 침입형원소 임계제어 (재료연구소) 186
그림 3-1. 분말 압연을 이용한 타이타늄판재 제조 공정도 186
그림 3-2. 고융점 희유금속 침입형원소 임계제어기술의 최종 목표 190
그림 3-3. 분말압연용 롤간격 제어 및 롤교체 시스템 199
그림 3-4. strip 제조를 위한 일반적인 분말압연용 호퍼 200
그림 3-5. 일정분말 공급을 위한 분말압연용 호퍼시스템 개략도 201
그림 3-6. 100mesh Ti 분말의 크기 및 형상 202
그림 3-7. 325mesh Ti 분말의 크기 및 형상 202
그림 3-8. Ti 분말의 입도분포 분석결과 204
그림 3-9/그림 3-8. Ti 분말의 입자간 마찰(interparticle friction) 측정방법 205
그림 3-10/그림 3-9. Ti 분말의 입도별 입자간 마찰 시험 결과 205
그림 3-11/그림 3-10. Ti 분말 공급조건에 따른 스트립 두께 분포 208
그림 3-12/그림 3-11. Ti 분말 공급조건에 따른 시간당 분말 공급량 변화 209
그림 3-13/그림 3-12. 롤속도에 따른 스트립 밀도 및 두께변화 210
그림 3-14/그림 3-13. 롤 속도에 따른 스트립 제조 형상 211
그림 3-15/그림 3-14. 롤 간격에 따른 스트립 균열 213
그림 3-16/그림 3-15. 휘발성 용액을 이용한 스트립 제조 장치 개략도 213
그림 3-17/그림 3-16. 최적 공정변수를 적용한 200mesh Ti 스트립 214
그림 3-18/그림 3-17. 최적 공정변수를 적용한 325 mesh Ti 스트립 214
그림 3-19/그림 3-18. 알루미나를 분리판으로 사용시 EPMA 분석결과 216
그림 3-20/그림 3-19. 분리판과 이형재 사용시 원소 확산이 없는 EPMA 분석결과 217
그림 3-21/그림 3-20. 소결 후 Ti 판재 시험편 형상 218
그림 3-22/그림 3-21. 소결 후 Ti 판재 미세조직 분석결과 219
그림 3-23/그림 3-22. 재압연 후 Ti 판재 미세조직 분석결과 220
그림 3-24/그림 3-23. 재압연 후 Ti 판재 경도 분석결과 222
그림 3-25/그림 3-24. 재압연 후 Ti 판재 인장특성 분석결과 222
그림 3-26/그림 3-25. 재압연 후 Ti 판재 미세조직 분석결과 223
그림 3-27/그림 3-26. 재압연 후 Ti 판재 미세조직 분석결과 224
그림 3-28/그림 3-27. 압연판의 등방성을 나타내는 EBSD 패턴과 Pole figure. 224
Fig. 3-29/Fig. 3-26. Schematic Diagram of hopper for cold roll compaction strip 226
Fig. 3-30/Fig. 3-27. Schematic diagram of Surface morphology side observed as Rolling Direction 226
Fig. 3-31/Fig. 3-28. Schematic diagram of spark plasma sintering apparatus. 227
Fig. 3-32/Fig. 3-29. Experimental procedure of spark plasma sintering within each applied low temperature and high pressure from CP-Ti p 227
Fig. 3-33/Fig. 3-30. Experimental procedure of spark plasma sintering within each applied high temperature and low pressure from CP-Ti powders and compaction. 228
Fig. 3-34/Fig. 3-31. SEM micrographs of (a) -200 mesh and (b) -400 mesh CP-Ti powders. 229
Fig. 3-35/Fig. 3-32. Particle size distributions of (a)-200 mesh, (b)-400 mesh CP-Ti powders. 230
Fig. 3-36/Fig. 3-33. Surface microstructure of raw sheet(J-325) at eact direction.(a: side, b: front, c: upper side) 232
Fig. 3-37/Fig. 3-34. Surface microstructure of raw sheet(K-325) at eact direction.(a:side, b: front, c: upper side) 232
Fig. 3-38/Fig. 3-35. Surface microstructure of raw sheet(K-200) at eact direction.(a:side, b: front, c: upper side) 233
Fig. 3-39/Fig. 3-36. Properties of row CP-Ti Strip; (a) hardness, (b) strength and (c) relative density. 234
Fig. 3-40/Fig. 3-37. Relative densities of specimens with various applied temperature sintered at 10MPa. 235
Fig. 3-41/Fig. 3-38. XRD patterns of -400mesh raw material and sintered with each temperature. 236
Fig. 3-42/Fig. 3-39. Microstructure of sintered CP Ti powder from -200mesh at each temperature: (a) 800℃, (b) 850℃, (c) 900℃, (d) 950℃, (e) 1000℃, (f) 1050℃. 237
Fig. 3-43/Fig. 3-40. Microstructure of sintered CP-Ti powder from -400mesh at each temperature; (a) 800℃, (b) 850℃, (c) 900℃, (d) 950℃, (e) 1000℃, (f) 1050℃. 238
Fig. 3-44/Fig. 3-41. Vickers hardness of sintered CP Ti powder at each temperature. 239
Fig. 3-45/Fig. 3-42. Strength of sintered CP Ti powder at each temperature. 240
Fig. 3-46/Fig. 3-43. Relative densities of specimens with various applied temperature sintered at 10MPa. 241
Fig. 3-47/Fig. 3-44. XRD patterns of raw strip and sintered Ti with applied temperature and various pressure. 242
Fig. 3-48/Fig. 3-45. Microstructure of sintered CP Ti strip from J-325 at each temperature;(a) 750℃, (b) 800℃, (c) 850℃, (d) 900℃, (e) 950℃ and (f) 243
Fig. 3-49/Fig. 3-46. Microstructure of sintered CP Ti strip from K-325 at each temperature; (a) 750℃, (b) 800℃, (c) 850℃, (d) 900℃, (e) 950℃ and (f) 244
Fig. 3-50/Fig. 3-47. Microstructure of sintered CP Ti strip from K-200 at each temperature; (a) 750℃, (b) 800℃, (c) 850℃, (d) 900℃, (e) 950℃ and (f) 1000℃. 245
Fig. 3-51/Fig. 3-48. Vickers hardness of sintered various CP-Ti strip at each temperature. 246
Fig. 3-52/Fig. 3-49. Strength of sintered various CP Ti strip at each temperature. 247
Fig. 3-53/Fig. 3-50. Relative densities of specimens with applied pressure and sintering temperature at 10~80MPa and 650~750℃. 248
Fig. 3-54/Fig. 3-51. XRD patterns of -200mesh and -400mesh raw and sintered material with each temperature and Applied pressure. 249
Fig. 3-55/Fig. 3-52. Microstructure of sintered CP Ti powder from -200mesh at each temperature and applied pressure.(x200) 250
Fig. 3-56/Fig. 3-53. Microstructure of sintered CP Ti powder from -400mesh at each temperature and applied pressure.(x500) 250
Fig. 3-57/Fig. 3-54. Vickers hardness of sintered CP Ti powder at each temperature. 251
Fig. 3-58/Fig. 3-55. Strength of sintered CP Ti powder at each temperature. 252
Fig. 3-59/Fig. 3-56. Relative densities of sintered strip with applied temperature and various pressure. (Especially at 30Mpa) 253
Fig. 3-60/Fig. 3-57. XRD pattern of sintered each strip at 700℃ with 80MPa. 254
Fig. 3-61/Fig. 3-58. Microstructure of comparison between each specimen with various pressure at 700℃.(a, e, j : 10MPa, b, f, j : 30MPa, c, g, k : 60MPa, d, h, l : 80MPa) 255
Fig. 3-62/Fig. 3-59. Microstructure of comparison between each specimen with applied temperature at 30MPa. (a, d, g : 650℃, b, e, h : 700℃, c, f, i : 750℃ ; Magnification for the images are 500 unlike c, f, i are 300. ) 256
Fig. 3-63/Fig. 3-60. Vickers hardness of sintered CP Ti strip with applied various pressure at each temperature. 257
Fig. 3-64/Fig. 3-61. Strength of sintered CP Ti strip with various pressure at each temperature. 258
Figure 3-65/Figure 3-62: The effect of consolidationpressure on the density of green compacts, for each size fraction. 260
Figure 3-66/Figure 3-63: Consolidation data for threefractions plotted on the basis of the Konopicky relationship. 260
Figure 3-67/Figure 3-64: Graphical representation of the interstitial levels achieved at various heat treatments. 263
Figure 3-68/Figure 3-65: Specimens after the different oxidation treatments in an air atmosphere at (a) 300℃ (b) 400℃ and (c) 500℃ (exposure time increases from left to right). 264
Figure 3-69/Figure 3-66: XRD traces for powder heat treated in air at 400℃ and 700℃ to achieve 0.53wt.%O (red) and 11.5wt.%O (blue)respectively. The 4 major peaks for TiO2 are highlighted. 265
Figure 3-70/Figure 3-67: Low magnification images ofparticles containing (a) 0.53wt.% O and (b) 11.5wt.% oxygen, (c) highermagnification image of the oxidized surface of the high oxygen particle and (d)a focused ion beam milled wafer from an individual... 266
Figure 3-71/Figure 3-68: XPS spectra for (a) O(1s) and (b) Ti (2p) from the powder treated at 300℃ in air. 267
Figure 3-72/Figure 3-69: SEM images of particles after exposure to (a) nitrogen atmosphere and (b) hydrogen atmosphere. 268
Figure 3-73/Figure 3-70: Effect of low oxygen content on (a) the apparent and tap densities and(b) the Hausner ratio. 270
Figure 3-74/Figure 3-71: (a) The effect of compaction pressure on the green density of selected oxygenated powders and (b) TheKonopicky plots of the data. 270
Figure 3-75/Figure 3-72: The effect of compaction pressure onthe green density of nitrogenated powders. 272
Figure 3-76/Figure 3-73: Konopicky analysis for (a) nitrogenated and (b) hydrogenated powders. 273
Figure 3-77/Figure 3-74: Predicted changes in yield strength of the powders, based on the Heckel approximation, after alloying with the interstitial elements. Note that the hydrogen and nitrogen contents are over and above the 0.26wt.% oxygen contained... 275
Figure 3-78/Figure 3-75: (a) The effect of compaction pressure on the indirect tensile strength of the as-received powder (b) the effect of relative density on the strength of the same powder. 277
Figure 3-79/Figure 3-76: Strength against density for the as received powder, together with the best curve fit based on the Hwang equation. 278
Figure 3-80/Figure 3-77: Bar chart showing the effect of powder particle size on the green strength of compacts consolidated at a pressure of 397MPa. 278
Figure 3-81/Figure 3-78: The effect of additional oxygenor nitrogen on the green strength of compacts prepared at pressure of 900MPa. 279
Figure 3-82/Figure 3-79: Normalised strength plotted against the total interstitial content for the high oxygen and high nitrogen powders. 280
Figure 3-83/Figure 3-80: Fracture surfaces from (a) as received powder (b) 0.55 wt.% oxygen powder (c) and (d) 0.17 wt.% nitrogen powder. 281
Figure 3-84/Figure 3-81: Effect of higher interstitial levels (a) and (b) 1.34 wt.% oxygen (c) 0.84 wt.% nitrogen and (d) 1.54 wt.% nitrogen. 282
Fig. 3-85/Fig. 3-82. 롤간격 차이에 따른 판재의 응력 분포: (a) 3 mm, (b) 4 mm. 287
Fig. 3-86/Fig. 3-83. 롤간격 차이에 따른 판재의 기공율 분포: (a) 3 mm, (b) 4 mm. 288
Fig. 3-87/Fig. 1. Springback effect against relative density of powder 307
Fig. 3-88/Fig. 2. Schematic of powder compaction 309
Fig. 3-89/Fig. 3. The two-particle contact problem 309
Ⅱ-4. 제4세부과제 : 고순도 희유금속 선택적 상제어 소재화기술 (한국생산기술연구원) 350
그림 4-1. In-situu 이원계 초미립자 분말 제조장치 350
그림 4-2. Ni-Al 복합 초미립자의 TEM images 351
그림 4-3. Ni-Al 복합 초미립자의 HR-TEM images 351
그림 4-4. Ni-Al 복합 초미립자의 BS와 EDS 측정결과 352
그림 4-5. 알카리 에칭 후 Ni-Al 복합 초미립자의 TEM 및 BS images. 353
그림 4-6. Ni-Al 복합 초미립자의 BS와 EDS 측정결과 353
그림 4-7. 합성된 Pt/Pd/Ag spot-coated Ag 초미립자 콜로이드 용액 354
그림 4-8. 액상 PWE에 의해서 Ag spot-coated Ag 초미립자의 TEM 이미지 355
그림 4-9. 고농도 Ag colloid에서 합성한 Ag spot-coated Ag 초미립자의 TEM 이미지 356
그림 4-10. Pd spot-coated Ag 초미립자의 TEM 이미지 356
그림 4-11. Pt colloid의 TEM 이미지 357
그림 4-12. 미세조직 제어된 Pt colloid의 TEM 이미지 358
그림 4-13. 분말 크기에 따른 녹는점 359
그림 4-14. 벌크소재와 나노소재의 표면적비교 360
그림 4-15. NAP 분말의 모식도 361
그림 4-16. NAP 분말과 다각형 분말 361
그림 4-17. 텅스텐 분말 소결공정의 열-하중 곡선 362
그림 4-18. 고온 프레스와 스파크 플라즈마 소결 공정의 비교 363
그림 4-19. 스파크 플라즈마 소결 공정으로 마이크로 분말과 NAP 분말의 소결공정 비교 364
그림 4-20. SPS공정으로 마이크로 분말과 NAP 분말의 소결공정과 HP공정 비교 365
그림 4-21. 플라즈마 장치 366
그림 4-22. 플라즈마 처리 전후의 텅스텐 분말 366
그림 4-23. SPS공정으로 NAP 분말과 플라즈마처리 후 구형화된 분말의 소결공정 비교 367
그림 4-24. 모든 소결 공정에 소결온도에 따른 상대밀도 비교 367
그림 4-25. 모든 소결 공정에 소결온도에 따른 미세조직 비교 368
그림 4-26. 다각형분말과 NAP(Tri-modal) 소결체의 상대밀도에 따른 경도 369
그림 4-27. 소결공정별 유지시간에 따른 상대밀도 369
그림 4-28. Cu54Ni6Zr22Ti18 powder의 SEM image 370
그림 4-29. Cu54Ni6Zr22Ti18 분말을 0.3~0.9KJ로 전기방전 소결한 소결체의 SEM images 371
그림 4-30. 인가된 에너지에 따른 Cu계 비정질의 X-ray pattern 372
그림 4-31. Zr62Al8Ni13Cu17 powder의 SEM image 373
그림 4-32. Zr62Al8Ni13Cu17 분말을 0.3~0.9KJ로 전기방전 소결한 소결체의 SEM images 374
그림 4-33. 인가된 에너지에 따른 Zr계 비정질의 X-ray pattern 375
그림 4-34. pure W 구형과 각형 powder 의 SME images 376
그림 4-35. 1.25KJ의 에너지를 인가하였을 때 각형과 구형 크기별 SEM images 377
그림 4-36. 1.5KJ의 에너지를 인가하였을 때 각형과 구형 크기별 SEM images 378
그림 4-37. 1.75KJ의 에너지를 인가하였을 때 각형과 구형 크기별 SEM images 379
그림 4-38. 2.0KJ의 에너지를 인가하였을 때 각형과 구형 크기별 SEM images 380
그림 4-39. 분말 크기에 따른 분말과 Cu rod 간의 접촉면적 차이 380
그림 4-40. Micro-indentation 으로 시험한 구형 W 성형체의 SEM images 381
그림 4-41. 각형 Ti, 구형 Ti 분말과 각형 W, 구형 W 분말 382
그림 4-42. EDS 후의 W, Ti 의 각형과 구형의 SEM image 383
그림 4-43. 텅스텐 원료분말의 x-선 회절도. (a) 마이크로 분말, (b) 나노 분말 385
그림 4-44. 텅스텐 마이크로 분말의 SEM 사진. 387
그림 4-45. 텅스텐 나노 분말의 SEM 사진 387
그림 4-46. 혼합분말 제조 시 사용된 터뷸런스 mixer기의 외관 및 혼합공정 388
그림 4-47. 나노 분말의 혼합비에 따른 혼합분말의 미세조직 사진 389
그림 4-48. 본 연구에서 진행된 텅스텐 후판 제조공정 390
그림 4-49. 정적성형을 위해 사용된 유압 프레스 장치 391
그림 4-50. 정적성형에 의한 텅스텐 분말의 성형 후 모습 392
그림 4-51. 텅스텐 나노 분말 벌크체의 외관 및 소결을 위한 가열로 393
그림 4-52. 공기 중에서 소결된 벌크체의 형상 393
그림 4-53. 자기펄스압축법의 원리 394
그림 4-54. 동적성형을 위해 사용된 자기펄스성형 장치 395
그림 4-55. 동적성형(MPC)에 의한 텅스텐 분말의 성형 후 모습 396
그림 4-56. 윤활제를 사용하지 않은 나노 텅스텐 분말 후판 성형체 397
그림 4-57. 동적성형(MPC)에 의해 제조된 마이크로 분말 성형체의 미세조직 398
그림 4-58. 동적성형(MPC)에 의해 제조된 나노 분말 성형체의 미세조직 398
그림 4-59. 분위기 소결에 사용된 열처리로 및 MPC 성형 후 소결된 텅스텐 후판 399
그림 4-60. MPC를 이용한 마이크로 분말 후판 소결체의 미세조직 사진 400
그림 4-61. MPC를 이용한 나노 분말 후판 소결체의 미세조직 사진 400
그림 4-62. MPC를 이용한 후판 소결체의 x-선 회절도 401
그림 4-63. MPC를 이용한 후판 소결체의 경도측정 401
그림 4-64. 1차 성형체 제조를 위한 빌렛, 고압프레스 및 제조된 성형체의 외관 402
그림 4-65. 고온가압된 성형체의 외관 403
그림 4-66. 고온가압된 성형체의 단면사진 (x= 0%) 403
그림 4-67. 고온가압 후 소결된 성형체의 단면사 404
그림 4-68. 고온가압 후 소결된 성형체에 대한 밀도특성 404
그림 4-69. 고온가압 후 소결된 성형체에 대한 주사전자현미경조직 405
그림 4-70. 고온가압 후 소결된 성형체의 XRD 분석결과 406
그림 4-71. 고온단조된 텅스텐 후판의 절단면에 대한 미세조직 407
그림 4-72. 방전플라즈마 소결장치의 모식도 408
그림 4-73. SPS 공정상의 온도 상승 조건 409
그림 4-74. SPS에 의한 텅스텐 혼합분말의 성형 후 모습 410
그림 4-75. 3wt.% 혼합분말을 이용한 SPS 소결체의 미세조직 사진 411
그림 4-76. 5wt.% 혼합분말을 이용한 SPS 소결체의 미세조직 사진 411
그림 4-77. 7wt.% 혼합분말을 이용한 SPS 소결체의 미세조직 사진 411
그림 4-78. 혼합분말을 이용한 SPS 소결체의 x-선 회절도 412
그림 4-79. SPS를 이용한 혼합분말 소결체의 경도측정 413
그림 4-80. SPS 공정 후 열간단조된 텅스텐 후판 414
그림 4-81. 열간단조된 3wt.% 후판의 미세조직 사진 415
그림 4-82. 열간단조된 5wt.% 후판의 미세조직 사진 415
그림 4-83. 열간단조된 7wt.% 후판의 미세조직 사진 415
그림 4-84. 열간단조된 텅스텐 후판의 x-선 회절도 416
그림 4-85. 열간단조된 텅스텐 후판의 경도측정 416
그림 4-86. 구형화 플라즈마 처리된 분말의 SEM 417
그림 4-87. 구형화 플라즈마 처리된 분말의 GD-MS 418
그림 4-88. 전기선폭발법으로 제조한 나노입자의 전압별 조성 419
그림 4-89. NAP 장치의 개략도 420
그림 4-90. NAP가 형성된 초미립자 420
그림 4-91. Pore gradient 다고성 소재 벌크화기술 421
그림 4-92. 분말야금기술을 이용한 텅스텐 응용 제품 (초경제품, 스퍼터링 타겟 등) 422
Ⅱ-5. 제5세부과제 : 백금족 촉매소재의 임계성능 극대화 기술(한국화학연구원) 441
그림 5-1. 화학환원법을 이용한 촉매 제조공정 및 장치 441
그림 5-2. 환원조건에 따른 Potential-iORR curve (a)환원온도 (b)환원시간 442
그림 5-3. 환원조건에 따른 Potential-iORR curve (a)환원온도 (b)환원시간 442
그림 5-4. 환원시킨 온도에 따른 TEM image (a) 80℃(1h) (b) 실온(1h) 443
그림 5-5. TEM image (a) 산성(pH3), (b)중성(pH7), (c)염기성(pH11) 443
그림 5-6. 제조한 20%Pt/C 촉매와 PtNi/C 촉매 정전위 측정결과 445
그림 5-7. 제조한 20%Pt/C 촉매와 PtNi(8:2)/C, PtNiFe/C 촉매 정전위 측정결과 446
그림 5-8. Cyclic voltammogram으로부터 EOR, iORR 측정결과 446
그림 5-9. 제조한 20%Pt/C 촉매와 PtMn/C 촉매 정전위 측정결과 447
그림 5-10. Cyclic voltammogram으로부터 EORR(우) , iORR(좌), 정전위 측정결과 448
그림 5-11. 수소 가스 센서의 개략도 449
그림 5-12. 수소 가스 센서 제조를 위해 설계된 마스크 패턴 450
그림 5-13. 수소 가스 센서 제조를 위해 공정도 451
그림 5-14. MEMS 공정을 이용하여 제조된 수소 가스 센서 452
그림 5-15. 벌크 마이크로 머시닝 기술을 통해서 형성된 멤브레인 453
그림 5-16. XRD를 이용한 팔라듐 박막 측정 결과 453
그림 5-17. 스퍼터 장비를 이용하여 증착된 팔라듐의 단면 및 표면 사진 454
그림 5-18. 온도에 따른 각각의 구조체의 저항 측정 그래프 455
그림 5-19. 인가전압에 따른 마이크로 히터의 온도분포 그래프 456
그림 5-20. 수소 가스 센서 측정 시스템 457
그림 5-21. 수소 가스 주입에 따른 저항측정 그래프 458
그림 5-22. 팔라듐 선폭에 따른 수소 가스 감도 특성 그래프 459
그림 5-23. 수소 가스 농도에 따른 감도 특성 그래프 459
그림 5-24. 전구체에 따른 촉매의 정전위 측정결과 460
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