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SUMMARY
CONTENTS
목차
제1장 서론 7
1절 연구개발의 목적 7
2절 연구개발의 필요성 7
1. 기술적 중요성 및 필요성 7
2. 경제/산업적 중요성 및 필요성 9
3. 군사적 중요성 및 필요성 11
3절 연구개발 범위 11
제2장 국내외 기술 개발 현황 14
1. 국내·기술 동향 및 수준 14
가. 대학 및 연구기관 15
나. 국내 기업 16
1. 국외 기술 동향 및 수준 16
가. 국외 기술 현황 16
가. 국외 기업 20
제3장 연구개발수행 내용 및 결과 23
1절 GaN TR칩 23
1. Ku-대역용 GaN 핵심 소자 개발 23
2절 GaN TR모듈 33
1. High frequency, High power package 설계 및 해석 33
2. Carrier의 구조 34
3. Package Lid 개발 및 Sealing 34
4. Load pull test 34
5. 정합회로 설계 34
6. Eutectic bonding 35
7. Wire bonding 36
8. GaN TR 모듈 측정 36
3절 고출력 증폭기 설계 41
1. 200W급 Ku대역 고출력 증폭기 설계 41
2. 40W급 Ku대역 고출력 증폭기 설계 64
제4장 연구개발 목표 달성도 68
1절 GaN TR칩 68
2절 GaN TR모듈 68
3절 고출력 증폭기 설계 68
제5장 연구개발결과의 활용계획 70
초록보기 더보기
I. GaN 트랜지스터 기반의 Ku-Band 고출력 증폭기 개발
II. 연구개발의 목적 및 필요성
GaN 트랜지스터 기반 고출력 전력증폭기는 각종 레이더 및 통신 시스템의 핵심 단위 부품으로써 전체 시스템의 성능, 효율, 신뢰성을 결정하는 가장 중요한 역할을 한다. 또한, 전체 기술 중에서 난이도가 가장 높아 현재까지도 해외 선진사들이 독점하고 있는 기술 분야이다.
현재 GaN 트랜지스터를 기반으로 하는 고출력전력증폭기에 대한 국내외 수요업체의 관심이 집중되고 있으며 주요 기술 및 시장 분석기관에서는 향후 2~3년 사이에 기존 TWTA와 GaAs, Si 기반의 기술을 전면적으로 대치할 것으로 예상하고 있다. 본 민군겸용기술과제를 통한 GaN 기반 반도체 고출력 증폭기 기술 개발은 국내 국방기술의 선진화와 향후 민수분야의 급격한 시장 확대를 고려할 때 매우 시기 적절하며 반드시 확보되어야할 미래 핵심기술이다.
III. 연구개발의 범위
GaN 트랜지스터 기반의 Ku 대역 고출력 증폭기 개발과제를 통하여 그간 연구개발 수준에 머물러 있던 국내 GaN 트랜지스터 소자 기술을 실제 군수 및 민수분야에 생산적용가능한 수준까지 끌어올려 국산화하고 이를 적용한 Ku대역의 고출력증폭기 또한 국산화개발 하고자 한다.
IV. 연구개발결과
본 과제의 응용연구단계에서의 결과물로 GaN TR칩, GaN TR칩을 이용한 패키징한 모듈이 있다. 고출력증폭기는 응용연구단계에서 개발되는 GaN TR을 이용하여 제작되어지므로, 평가항목에서 제외되며 설계만 하는 것이 1차년도 계획이다. 응용연구단계서의 GaN TR칩 및 GaN TR모듈은 전반적으로 만족할만한 성능의 결과를 얻었다.
V. 연구개발결과의 활용계획
본 과제의 성과물로서 GaN TR칩, GaN TR 패키징, 고출력 증폭기 둥 크게 세 가지로 구분할 수 있으며 고객의 요구사항에 맞는 패키징 설계 및 제작이 가능하므로 유연하게 대응할 수 있는 장점이 있으며, 더 넓은 시장을 개척할 수 있을 것이다.
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