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01장 전자 회로의 소개 1.1 전자공학관 전자 회로 1.2 전자 시스템의 예시02장 기초 반도체 물리 2.1 반도체 물질 및 성질 2.2 pn 접합 2.3 역방향 절연 파괴03장 다이오드 모델과 회로 3.1 이상적인 다이오드 3.2 다이오드로서의 pn 접합 3.3 추가 예제 3.4 대신호와 소신호 동작 3.5 다이오드의 응용04장 바이폴과 트랜지스터 물리 4.1 일반적인 고찰 4.2 바이폴라 트랜지스터의 구조 4.3 능동 모드에서의 바이폴라 트랜지스터 동작 4.4 바이폴라 트랜지스터의 모델과 특성 4.5 포화 모드에서의 바이폴라 트랜지스터 동작 4.6 pnp 트랜지스터05장 바이폴라 증폭기 5.1 일반적인 고찰 5.2 동작점 해석 및 설계 5.3 바이폴라 증폭기의 토폴로지06장 MOS 트랜지스터 6.1 MOSFET의 구조 6.2 MOSFET의 동작 6.3 MOS 소자의 모.델 6.4 PMOS 트랜지스터 6.5 CMOS 공정 6.6 바이폴라와 MOS 소자의 비교07장 CMOS 증폭기 7.1 일반적인 고찰 7.2 공통 소스 단 7.3 공통 게이트 단 7.4 소스 폴로어08장 블랙박스로서의 연산 증폭기 8.1 일반적인 고찰 8.2 연산 증폭기 기반 회로 8.3 비선형 기능 8.4 연산 증폭기의 비이상성 8.5 설계 예제09장 캐스코드 단과 전류 거울 9.1 캐스코드 단 9.2 전류 거울10장 차동 증폭기 10.1 일반적인 고찰 10.2 바이폴라 차동쌍 10.3 MOS 차동쌍 10.4 캐스코드 차동 증폭기 10.5 공통 모드 제거 10.6 능동 부하를 가진 차동쌍11장 주파수 응답 11.1 기본개념 11.2 트랜지스터의 고주파 모델 11.3 분석 절차 11.4 공통 이미터 단과 공통 소스 단의 주파수 응답 11.5 공통 베이스 단과 공통 게이트. 단의 주파수 응답 11.6 폴로어의 주파수 응답 11.7 캐스코드 단의 주파수 응답 11.8 차동쌍의 주파수 응답12장 귀환 12.1 일반적인 고찰 12.2 부귀환의 성질 12.3 증폭기 형태 12.4 감지 및 반송 기술 12.5 귀환의 극성 12.6 귀환 토폴로지 12.7 비이상적인 I/O 임피던스의 영향 12.8 귀환 시스템의 안정성13장 발진기 13.1 일반적인 고.찰 13.2 링 발진기 13.3 LC 발진기 13.4 위상 시프트 발진기 13.5 빈 브리지 발진기 13.6 수정 발진기14장 출력단 및 전력 증폭기 14.1 일반적인 고찰 14.2 전력 증폭기로서의 이미터 폴로어 14.3 푸시풀단 14.4 개선된 푸시풀단 14.5 대신호에 대한 고려 14.6 단락 보호 14.7 열 소모 14.8 효율 14.9 전력 증폭기의 등급15장 아날로그 필터 15.1 일반적인 고찰 15.2 1차 필터 15.3 2차 필터 15.4 능동 필터 15.5 필터 응답의 근사16장 디지털 CMOS 회로 16.1 일반적인 고찰 16.2 CMOS 인버터 16.3 CMOS NOR 및 NAND 게이트17장 COMOS 증폭기 17.2 동작점 분석 및 설계 17.3 CMOS 증폭기 토폴로지 17.4 공통 소스 토폴로지부록 A 스파이스의 소개
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