생몰정보
소속
직위
직업
활동분야
주기
서지
국회도서관 서비스 이용에 대한 안내를 해드립니다.
검색결과 (전체 1건)
원문 있는 자료 (1) 열기
원문 아이콘이 없는 경우 국회도서관 방문 시 책자로 이용 가능
목차보기더보기
표제지
인사말씀 / 양승택
제출문
요약문
SUMMARY
Contents
목차
제1장 서론 40
제2장 갈륨비소 전력소자 기술 개발 44
제1절 서론 44
제2절 Ku-band 전력소자용 마스크 설계 47
제3절 Ku-band 전력소자 제작 공정 50
제4절 Ku-band 전력소자 특성 55
1. DC 특성 55
2. Microwave 특성 57
제5절 결론 59
참고문헌 60
제3장 MMIC Library 기술개발 64
제1절 서론 64
제2절 0.25㎛ MESFET 개발 65
1. 서론 65
2. 소자제작 65
3. 0.25㎛ MESFET의 특성 68
4. 결론 74
참고문헌 75
제3절 디지틀/MMIC 소자 공정 개선 76
1. E/D-Mode MESFET의 제작 및 특성 76
2. 게이트금속 중첩공정 79
3. 결론 81
참고문헌 81
제4절 Pseudomorphic HEMT 소자개발 82
1. GaAs Pseudomorphic HEMTs 82
2. 0.5㎛ Gate InP Pseudomorphic HEMT 89
참고문헌 95
제5절 MMIC Library를 이용한 MMIC 의 제작 96
1. Transmitter MMIC 제작 96
2. Receiver MMIC 제작 99
참고문헌 101
제4장 3인치 에피기판 기술 연구 104
제1절 서론 104
제2절 에피기판 구조분석 105
1. 14GHz전력소자 구조분석 105
2. P-HEMT 에피기판의 구조분석 116
제3절 고전자이동도 재료 성장 129
1. InGaAs/InAlAs/InP 에피 성장 129
2. AIInAs/GaInAs/InP의 계면 관찰 138
3. InGaAs/InAlAs/InP P-HEMT의 이동도 특성 142
4. 구조에 따른 InGaAs/InAlAs/InP P-HEMT의 이동도 특성 146
제4절 Si 델타도핑 특성 148
1. 델타도핑 148
2. 불순물의 델타도핑 149
3. Si 델타도핑 특성 150
참고문헌 156
제5장 결론 160
(표 2-1-1) Ku-band GaAs Power MESFET의 연구결과 46
(표 2-2-1) 설계된 소자의 layout상의 물리적 크기 48
(표 2-2-2) Ku-band용 전력소자의 공정단계 49
(표 2-4-1) 본 연구에서 개발한 Ku-band GaAs Power MESFET의 특성 요약 58
(표 3-2-1) 제작된 0.25㎛ MESFET 에서 추출된 소신호 파라미터(게이트 폭 30㎛) 72
(표 4-2-1) GaAs/Al1Ga1-xAs/GaAs/(Al0.24Ga0.76As/GaAs) 30주기/GaAs에 대한 분석 결과[이미지참조] 115
(표 4-2-2) GaAs/GaAs/GaAs/(AlxGa1-xAs/GaAs) y주기/GaAs에 대한 분석 결과[이미지참조] 116
(표 4-2-3) (In53Ga47As/In52Al68As) n주기/(In53Ga47As/In52Al48As)m주기/InP의 분석 결과[이미지참조] 122
(표 4-3-1) TEM 관찰된 AlInAs/GaInAs/InP P-HEMT 기판의 MBE 성장조건 139
(표 4-4-1) Si δ-doping 량에 따른 P-HEMT 구조에서의 전기적 특성 151
(그림 2-3-1) Ku-band 용 low-high doped GaAs 전력소자의 구조 52
(그림 2-3-2) 제작된 T-형 게이트의 단면 SEM 사진 52
(그림 2-3-3) T-형 게이트 형성을 위한 공정 흐름도 53
(그림 2-3-4) 제작된 Ku-band용 GaAs 전력 MESFET 칩 사진 54
(그림 2-4-1) Ku-band용 전력소자의 전류-전압 특성곡선(200㎛ 게이트폭) 55
(그림 2-4-2) 게이트전압에 따른 트랜스콘덕턴스 및 드레인전류 특성곡선 56
(그림 2-4-3) FET 소신호 등가회로를 이용하여 모사한 차단주파수와 최대주파수 57
(그림 3-2-1) WN 게이트의 전자현미경 사진 66
(그림 3-2-2) 3" 기판 내에서 0.25㎛ WN 게이트의 크기를 나타낸 CD map 67
(그림 3-2-3) WN gate MESFET의 드레인 전류-전압 특성 69
(그림 3-2-4) Transconductance versus gate voltage of the WN gate MESFET with gate length 69
(그림 3-2-5) (a)The measured S-parameters from 1 to 26㎓ of 0.25㎛×200㎛ gate... 71
(그림 3-2-6) Current gain cut-off frequency fT as a funtion of Ids for 0.25㎛x200㎛ gate... 72
(그림 3-2-7) Minimum noise figure and associated gain versus frequency at Vds＝2V,... 73
(그림 3-3-1) 게이트길이에 따른 자기정렬게이트 MESFET의 임계전압 변이 78
(그림 3-3-2) 이온주입 조건과 E/D-FET 형성조건 및 트랜스콘덕턴스 78
(그림 3-3-3) 금속중첩을 위한 절연막식각 단면 형상 79
(그림 3-3-4) 게이트금속 위에 저저항금속이 중첩된 형상 80
(그림 3-4-1) Pseudomorphic InGaAs channel HEMT의 에너지대 구조 83
(그림 3-4-2) Dose split electron beam lithography에 의해 제작된 T-형 게이트의 구조... 85
(그림 3-4-3) 주파수에 따른 PHEMT 소자의 최소잡음지수와 이득 특성 87
(그림 3-4-4) 등가회로 모델(a)과 추출된 파라미터(b) 88
(그림 3-4-5) 제작된 InP PHEMT 소자의 에피구조 단면도 90
(그림 3-4-6) 게이트길이 0.5㎛ 폭 200㎛인 PHEMT 소자의 전류-전압 특성(a)과 트... 92
(그림 3-4-7) PHEMT device 소자의 게이트 바이어스에 따른 차단주차수 특성(a)과 주... 93
(그림 3-5-1) TxMMIC의 기능도 97
(그림 3-5-2) 제작한 TxMMIC의 칩 사진 98
(그림 3-5-3) RxMMIC 의 기능도 99
(그림 3-5-3) 제작한 RxMMIC 의 사진 100
(그림 4-2-1) Al 조성(x) 20, 22, 24, 30%인 시뮬레이션에 이용된 초격자 구조 107
(그림 4-2-2) 초격자층의 Al이 24% 이고, 초격자주기 y가 30, 50 일 때의 구조 108
(그림 4-2-3) 초격자층의 Al이 23%이고, 초격자주기가 30 주기 일때의 구조 108
(그림 4-2-4) Layer 1의 Al이 20% 일때 로킹커브 시뮬레이션 109
(그림 4-2-5) Layer 1의 Al이 22% 일때 로킹커브 시뮬레이션 110
(그림 4-2-6) Layer 1의 Al이 24% 일때 로킹커브 시뮬레이션 110
(그림 4-2-7) Layer 1의 Al이 30% 일때 로킹커브 시뮬레이션 111
(그림 4-2-8) AlGaAs/GaAs 구조에서 Al 몰분율에 대한 △Θ의 변화 111
(그림 4-2-9) 초격자층의 Al이 24%이고 주기가 30 일 때 로킹커브 시뮬레이션 113
(그림 4-2-10) 초격자층의 Al이 24%이고 주기가 50 일때 로킹커브 시뮬레이션 114
(그림 4-2-11) 초격자층의 Al이 23%이고 주기가 30 일때 로킹커브 시뮬레이션 114
(그림 4-2-12) (그림 4-2-1)의 구조로 MBE에 의해 성장된 시료의 측정치와... 115
(그림 4-2-13) In0.₅₃Ga0.₄₇As/InP의 에피층 구조 118
(그림 4-2-14) InP을 기판으로 하는 P-HEMT 소자 구조(#95-196, 197, 198) 118
(그림 4-2-15) InP을 기판으로 하는 P-HEMT 소자 구조(#95-233) 119
(그림 4-2-16) (그림 4.2.15)에 대한 DXRD 분석 및 시뮬레이션 123
(그림 4-2-17) 시료 95-196에 대한 DXRD 회절 분석 123
(그림 4-2-18) 시료 95-197에 대한 초격자 구조의 단면 관찰 124
(그림 4-2-19) 시료 95-197에 대한 DXRD 회절 분석 125
(그림 4-2-20) 시료 95-198에 대한 DXRD 회절 분석 125
(그림 4-2-21) 시료 95-198에 대한 TEM 단면 관찰 126
(그림 4-2-22) 시료 95-233에 대한 DXRD 회절 분석 127
(그림 4-2-23) 시료 95-233에 대한 TEM 단면 관찰 128
(그림 4-3-1) Flux ratio, FIn/FGa, FAl가 각각 1.75, 1.81인 InGaAs, InAlAs의...[이미지참조] 131
(그림 4-3-2) MBE에 의하여 성장된 InGaAs/InAlAs/InP P-HEMT 구조 131
(그림 4-3-3) 광학 현미경 사진 133
(그림 4-3-4) 광학 현미경 사진 133
(그림 4-3-5) 전도층의 In 조성이 58%인 InP baed P-HEMT 구조의... 134
(그림 4-3-6) 전도층의 In 조성이 63%인 InP baed P-HEMT 구조의... 135
(그림 4-3-7) 전도층의 In 조성이 (a)58%, (b)63%인 InGaAs/InAlAs/InP... 136
(그림 4-3-8) InGaAs/InAlAs/InP P-HEMT구조의 PL spectrum 137
(그림 4-3-9) InP 기판에 성장된 AlInAs/GaTnAs/InP P-HEMT 구조의... 140
(그림 4-3-10) InP based P-HEMT 소자 구조에서 InP 기판과 InAlAs... 141
(그림 4-3-11) InGaAs/InAlAs/InP P-HEMT구조의 이차원 전자가스의... 143
(그림 4-3-12) 전도층의 In조성이 63%이고 고전자 농도(7.7×10¹²/㎠)... 144
(그림 4-2-13) 전도층의 In조성이 63%이고 고전자농도(7.7×10¹²/㎠)... 145
(그림 4-3-14) In조성이 약 54%의 InGaAs/InAlAs/InP P-HEMT 구조의 XRD곡선 147
(그림 4-3-15) MBE 방법에 의하여 성장된 Al과 Ga조성이 선형적으로 변화된... 147
(그림 4-4-1) P-HEMT 구조 149
(그림 4-4-2) Si의 δ-doping 시간에 따른 전자이동도와 2DEG 농도 152
(그림 4-4-3) 전자이동도 vs. 2DEG 농도 152
(그림 4-4-4) 전자이동도(μ)×2DEG 농도(ns) vs. 델타도핑 시간[이미지참조] 153
(그림 4-4-5) P-HEMT 구조의 XRD 스펙트럼 155
이용현황보기
가상서가
원문구축 및 2018년 이후 자료는 524호에서 직접 열람하십시요.
도서위치안내: / 서가번호:
우편복사 목록담기를 완료하였습니다.
* 표시는 필수사항 입니다.
* 주의: 국회도서관 이용자 모두에게 공유서재로 서비스 됩니다.
저장 되었습니다.
로그인을 하시려면 아이디와 비밀번호를 입력해주세요. 모바일 간편 열람증으로 입실한 경우 회원가입을 해야합니다.
공용 PC이므로 한번 더 로그인 해 주시기 바랍니다.
아이디 또는 비밀번호를 확인해주세요
