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표제지
목차
요약 2
I. 개요 6
1. 분석 배경 및 목적 7
1-1. 분석 배경 7
1-2. 분석 목적 7
2. 분석 범위 8
2-1. 분석대상 특허 검색 DB 및 검색범위 8
2-2. 분석대상 기술 및 검색식 도출 9
2-3. 유효특허 선별 기준 및 결과 14
2-4. 분석 방법 16
II. 특허동향분석 17
1. 특허기술 Landscape 18
1-1. 주요 국가별 연도별 출원동향 18
1-2. 주요 국가별 내ㆍ외국인 출원동향 24
1-3. 특허기술 성장단계 30
2. 주요 출원인 분석 37
2-1. 주요 출원인 현황 37
2-2. 주요 출원인 특허동향 44
3. 세부기술별 Landscape 47
3-1. 세부기술별 특허동향 47
3-2. 세부기술별 특허기술 성장단계 53
3-3. 세부기술 주요 출원인 분석 56
3-4. 세부기술 특허점유율 및 증가율 68
4. 소결 74
III. 지재권 중심의 핵심기술분석 75
IV. 특허분석 결론 및 시사점 76
1. 종합결론 77
2. 시사점 79
판권기 80
〈표 1-1〉 검색 DB 및 검색범위 8
〈표 1-2〉 분석대상 기술분류 9
〈표 1-3〉 분석대상 기술분류기준 10
〈표 1-4〉 기술분류체계에 따른 Raw Data 건수 11
〈표 1-5〉 기술분류체계에 따른 최종 검색식 12
〈표 1-6〉 분석대상 기술분류 14
〈표 1-7〉 유효특허 선별결과 15
〈표 2-1〉 다출원 기준 주요 출원인 37
〈표 2-2〉 국가별 다출원 기준 주요 출원인 40
〈표 2-3〉 신규 시장진입자 현황 분석(최근 5년) 42
〈표 2-4〉 주요 출원인별 제품 및 연구개발 내용 45
〈표 2-5〉 고효율 Shielded gate trench cell 설계 및 공정 기술(AAA)의 다출원 기준 주요 출원인 56
〈표 2-6〉 온저항 감소를 위한 도핑 영역 설계 및 공정 기술(AAB)의 다출원 기준 주요 출원인 59
〈표 2-7〉 고내압 특성 확보를 위한 Edge termination 설계 및 공정 기술(AAC)의 다출원 기준 주요 출원인 62
〈표 2-8〉 Solderable top metal layer(STM) 공정기술(ABA)의 다출원 기준 주요 출원인 65
〈그림 2-1〉 주요 출원국 연도별 특허동향(AA) 18
〈그림 2-2〉 주요 출원국 연도별 특허동향(AB) 21
〈그림 2-3〉 연도별 주요 출원국 내ㆍ외국인 특허출원현황(AA) 24
〈그림 2-4〉 연도별 주요 출원국 내ㆍ외국인 특허출원현황(AA) 24
〈그림 2-5〉 연도별 주요 출원국 내ㆍ외국인 특허출원현황(AB) 27
〈그림 2-6〉 연도별 주요 출원국 내ㆍ외국인 특허출원현황(AA) 27
〈그림 2-7〉 특허기술 성장단계별 의미 30
〈그림 2-8〉 주요 국가별 특허기술 성장단계(AA) 31
〈그림 2-9〉 주요 국가별 특허기술 성장단계(AB) 34
〈그림 2-10〉 다출원 기준 주요 출원인(상위 20위) 국적 및 기관특성 비중 38
〈그림 2-11〉 주요 출원인 국가별 출원 동향 44
〈그림 2-12〉 주요 출원인 기술분류별 출원 동향 44
〈그림 2-13〉 세부기술별 특허건수 현황 47
〈그림 2-14〉 세부기술별 연도별 특허동향 47
〈그림 2-15〉 세부기술별 연도별 특허동향(AAA) 49
〈그림 2-16〉 세부기술별 연도별 특허동향(AAB) 50
〈그림 2-17〉 세부기술별 연도별 특허동향(AAC) 51
〈그림 2-18〉 세부기술별 연도별 특허동향(ABA) 52
〈그림 2-19〉 고효율 저손실 Trench MOSFET 기술(TOTAL) 특허기술 성장단계(AA) 53
〈그림 2-20〉 세부기술별 특허기술 성장단계(AAA~AAC) 53
〈그림 2-21〉 Solderable top metal layer(STM) 공정기술 기술(TOTAL) 특허기술 성장단계(ABA) 54
〈그림 2-22〉 고효율 Shielded gate trench cell 설계 및 공정 기술(AAA)의 다출원 기준 주요 출원인(상위 20위) 국적 및 기관특성 비중 57
〈그림 2-23〉 온저항 감소를 위한 도핑 영역 설계 및 공정 기술(AAB)의 다출원 기준 주요 출원인(상위 20위) 국적 및 기관특성 비중 60
〈그림 2-24〉 고내압 특성 확보를 위한 Edge termination 설계 및 공정 기술(AAC)의 다출원 기준 주요 출원인(상위 20위) 국적 및 기관특성 비중 63
〈그림 2-25〉 Solderable top metal layer(STM) 공정기술(ABA)의 다출원 기준 주요 출원인(상위 20위) 국적 및 기관특성 비중 66
〈그림 2-26〉 특허점유율 및 증가율에 따른 포트폴리오 분석 해석 68
〈그림 2-27〉 특허점유율 및 증가율에 따른 포트폴리오 분석 69
〈그림 2-28〉 특허점유율 및 증가율에 따른 포트폴리오 분석(한국) 70
〈그림 2-29〉 특허점유율 및 증가율에 따른 포트폴리오 분석(미국) 70
〈그림 2-30〉 특허점유율 및 증가율에 따른 포트폴리오 분석(일본) 71
〈그림 2-31〉 특허점유율 및 증가율에 따른 포트폴리오 분석(유럽) 71
원문구축 및 2018년 이후 자료는 524호에서 직접 열람하십시요.
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