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국내기사

  • 수록정보 : 한국재료학회지 = Korean journal of materials research. 제24권 제9호 (2014. 9), pp.443-450
  • 발행사항 : 서울 : 韓國材料學會, 2014.09.27
  • 자료이용 :
    • 서울관정기간행물실(524호)
Silicide-Enhanced Rapid Thermal Annealing을 이용한 다결정 Si 박막의 제조 및 다결정 Si 박막 트랜지스터에의 응용초록 Silicide-Enhanced Rapid Thermal Annealing을 이용한 다결정 Si 박막의 제조 및 다결정 Si 박막 트랜지스터에의 응용권호기사

한국학술지인용색인(NRF)

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국내기사

  • 수록정보 : Current applied physics. 12권 6호 (2012. 11), pp.1454-1458
  • 발행사항 : 서울 : 한국물리학회, 2012.11.30
  • 자료이용 :
    • 서울관해당자료 없음
Growth of very large grains in polycrystalline silicon thin films by the sequential combination of vapor induced crystallization using AlCl3 and pulsed rapid thermal annealing권호기사

한국학술지인용색인(NRF)

3 .

국내기사

  • 수록정보 : 한국재료학회지. 제19권 제1호 (2009. 1), pp.37-43
  • 발행사항 : 서울 : 韓國材料學會, 2009.01.27
  • 자료이용 :
    • 서울관정기간행물실(524호)
플라즈마 산화방법을 이용한 질소가 첨가된 실리콘 산화막의 제조와 산화막 내의 질소가 박막트랜지스터의 특성에 미치는 영향초록 플라즈마 산화방법을 이용한 질소가 첨가된 실리콘 산화막의 제조와 산화막 내의 질소가 박막트랜지스터의 특성에 미치는 영향권호기사

한국학술지인용색인(NRF)

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