본 연구에서는 QD-LED의 성능 및 효율을 향상시키기 위해 Hole Injection Layer (HIL)의 개선을 시도했으며, 정공 주입을 향상시키기 위해 전도성 개선을 통한 Mobility향상 연구와 Anode와 HIL간 Schottky barrier를 낮추는 연구를 진행하였다. HIL로 널리 사용 중인 유기물 PEDOT:PSS은 금속전극과의 산화 문제를 갖고 있어 이를 해결하기 위해 무기물을 도입했으며 두 가지 관점에서 연구를 진행하였다. 첫째, 전도도가 높으면서 Electron Blocking Layer (EBL)로 사용 가능한 무기물인 NiOx을 도입했다. Anneal 온도 조절에 따라 Ni vacancy양을 조절하여 NiOx film내에 정공 농도를 증가시켜 정공 전도성을 향상시킬 수 있었다. 두 번째 연구는 추가적인 정공 주입능력을 개선하기 위해 ITO와 NiOx사이에 단계적으로 Charge Generation Layer (CGL)로써 5.12eV의 높은 Work-function을 갖는 WO₃를 삽입하여 Bilayer를 구성하였다. WO₃의 높은 일함수로 인해 Schottky barrier가 감소하고 Electric field 인가 시 둘 간의 계면에서 Charge generation이 일어나게 된다. 낮아진 주입장벽을 통해 더 많은 정공이 주입됨으로써 ETL에서 주입되는 전자와의 Charge balance를 맞출 수 있도록 고안되었다. NiOx single layer보다 WO₃/NiOx bilayer를 사용한 QD-LED에서 턴 온 전압은 0.35V 감소되었고, 최대 전류효율은 1.7배, 최대 전력효율은 2배, 최대 양자 효율은 1.7배 개선되면서 전하균형이 향상되었음을 나타냈다.