반응 소결 탄화규소 (RB-SiC)를 제조하기 위하여 0.5~5.0 wt% Y₂O₃를 첨가한 탄소 프리폼에 금속 Si 분말을 덮고 1,450~1,550℃ 범위의 낮은 온도에서 반응 소결하였다.
Y₂O₃ 무첨가 반응 소결체는 융융 Si의 침투가 불균질하지만, Y₂O₃ 첨가한 탄소 프리폼으로부터 반응 소결한 탄화규소는 Si가 균질하게 침투하여 Si + C = SiC 반응이 이루어졌다. RB-SiC는 6H와 3C의 SiC와 Si 상 및 Y₂O₃ 상 이 XRD에서 검출되고 잔류 탄소는 검출한계 이하였다. Y₂O₃ 첨가량이 1.0~5.0 wt%인 탄소 프리폼으로부터 제조한 RB-SiC는 온도가 높아지고 유지 시간이 길어지면 부피 밀도가 증가하고 겉보기 기공은 감소하였다. 1,450℃에서 반응한 소재는 기공이 분포하고 있지만, 1,500℃ 이상에서 제조한 RB-SiC는 SiC와 Si가 치밀한 미세구조를 이루고 있다.
2.0 wt% Y₂O₃ 첨가한 탄소 프리폼으로부터 1,500℃에서 제조한 RB-SiC는 3.04 g/㎤의 밀도, 0.20%의 겉보기 기공률과 1600 Hv의 비커스 경도를 가져 광학 소재용으로서 가공 위상차를 감소시킬 것으로 판단된다.