GaAs 반도체의 저주파 BCl₃ 용량 결합 플라즈마 식각이 처음으로 보고된다. 실험은 10 sccm BCl₃ 가스 유량과 130 mTorr 공정 압력에서 수행되었다. 공정 저주파 전원 공급기의 전력은 50 W에서 125 W까지 설정하였다. 발광분석 데이터는 플라즈마 에칭 동안 419.799 및 501.829 nm에서 강한 원자 Cl 피크가 검출되었음을 보여주었다. 720-840 nm 범위의 다른 Cl 피크도 발견되었다. 100 W LF 출력에서 3분간 에칭한 후 GaA 에칭 속도는 ~156 nm/min이었다. 포토레지스트에 대한 GaAs의 식각 선택성은 조건에서 ~3.11:1이었다. 전계 방출형 주사전자현미경 그래프는 저주파 전원공급기의 전력이 100 W 이상일 때 에칭된 표면이 다소 거칠다는 것을 보여주었다. 공정 전력이 100 W 이하일 때 표면 거칠기는 4 nm 미만인 반면, LF 전력 125 W로 에칭 후 ~26 nm까지 증가하였다. 에너지 분산 분광법은 3분간의 에칭 후 에칭된 GaAs 기판에서 잔류 Cl 비율의 검출이 없음을 보여주었다. 3분간 에칭공정을 마친 GaAs 샘플에서 X선 광전자 분광법을 통해 결합에너지 약 200 eV에서 공정가스 BCl₃의 원소 Cl 피크를 확인하였다. 하지만 Cl 피크의 값은 미미한 것으로 나타났다. 전반적으로, 저주파 축전결합형 플라즈마 시스템에서 GaAs의 BCl₃ 식각은 저주파 플라즈마의 모든 물질에 대한 새로운 식각 시스템를 열 수 있는 큰 잠재력이 있음을 보여준다.