페로브스카이트 태양전지의 계면 엔지니어링은 소자의 광전 변환 효율과 안정성을 높이기 위한 필수적인 공정이다. 특히, 금속 산화물 전자 수송층의 고분자 패시베이션은 표면 결함을 감소시킬 뿐만 아니라, 페로브스카이트의 morphology를 개선하는 역할을 한다. 그러나, 페로브스카이트 용액의 Dimethylformamide (DMF)는 패시베이션 층을 분해시켜 소자의 광전 변환 효율과 재생산성을 저해할 수 있다. 본 연구에서는 산화된 poly (4-vinylpyridine) (O-P4VP)를 이중 기능성 패시베이션 층으로 제안한다. O-P4VP 층은 DMF에 분해되지 않으므로, 페로브스카이트 층의 손상 없이 재현성 높은 증착이 가능하다. 나아가, 금속-피리딘 복합화에 의해 SnO₂ 전자 수송층의 표면에 존재하는 산소 공핍은 O-P4VP에 의해 패시베이션되고, 핵 형성 및 성장 속도의 제어에 의해 페로브스카이트 결정립의 크기가 증가했다. 계면 패시베이션은 전자 수송층의 깊은 에너지 준위와 효율적인 전하 거동에 기여했다. 결과적으로, O-P4VP 층을 도입한 페로브스카이트 태양전지의 광전 변환 효율은 19.05 %에서 21.11 %로 향상되었다. 또한, 1 sun 환경에서 720 시간 동안 초기 값의 92.8 %이 유지되며 안정한 소자 특성을 보였다.