Magnetron DC Sputtering 시스템을 이용하여 p형 PbSe(p-PbSe) 박막을 증착하였고, Co-Sputtering 법을 이용하여 n형 PbSe(n-PbSe) 박막을 증착시켯다. p-PbSe 박막을 증착할 때 공정 변수로는 Ar/O₂ 혼합가스 비율을 변화시켰으며, n-PbSe 박막의 경우 도핑 물질로는 니켈(Nickel, Ni)을 사용하였다. 공정 변수로는 Ni 스퍼터건의 입력전력을 변화시켰다. 홀효과 측정을 통해 p-PbSe 및 n-PbSe 각 박막의 전기적 특성을 분석하였다. 먼저 p-PbSe의 경우 박막의 비저항은 혼합가스의 산소분압이 가장 낮을 때 4.855 x 10-1 Ω·cm이며, 캐리어 농도는 2.33 x 1019 cm-3으로 가장 높은 값을 가졌다. n-PbSe의 경우 Ni 스퍼터건의 입력전력이 증가할수록 저항은 2.25 x 10-3 Ω·cm에서 1.335 x 10-2Ω·cm으로 소폭 감소하였으며, 캐리어 농도의 경우 7.918 x 1019 cm-3에서 7.551 x 1020 cm-3으로 선형적으로 증가하였다. 본 연구 결과를 요약하면 Co-Sputtering법을 이용하여 높은 농도의 n형 PbSe 박막을 증착할 수 있었으며, 한 번의 연속공정으로 p-n 접합 다이오드를 제작할 수 있었다.