본 논문에서는 65-nm RFCMOS 공정을 이용하여 능동형 위상 천이기를 설계하였다. 입력 발룬으로 능동형 발룬을 사용했으며, I/Q generator로 1단 RC PPF를 사용하였으며 벡터 합과 가변 이득을 위해 길버트 셀을 사용했다. I/Q 신호의 위상 변위를 줄이기 위해 RC PPF의 대칭 구조를 제안하였으며, 차동 신호의 위상 불균형과 크기 불균형을 줄이기 위해 능동형 발룬에 위상 보정 회로와 출력 부 한 쪽에 부하 인덕터를 사용했다. 측정결과 최대 이득은 -8 dB, 입력 반사 손실은 -6.18 dB 미만, 출력 반사 손실은 -11.02 dB 미만이다. 회로의 위상 분해능은 5.625 도이며, RMS phase error는 2.57 도 미만, RMS gain error는 0.44 dB 미만이다. 설계한 능동형 위상 천이기의 칩 크기는 패드를 제외하고 0.13 mm²이다