본 논문에서는 PMOS와 병렬 커패시터, 두 개의 가변 전압을 이용해 넓은 가변 이득 범위와 위상 보상을 갖는 가변 이득 증폭기를 설계하였다. 설계된 가변 이득 증폭기는 이득을 확보하기 위해 2단 차동구조로 설계하였으며, 대역폭을 넓히기 위해 양 끝 단에 병렬 저항을 추가하였다. 넓은 가변 이득 범위를 위해 PMOS와 두 개의 가변 전압을 사용하였고, 그에 따라 생기는 위상 변화는 PMOS와 병렬 커패시터로 보상해 주었다. PMOS와 병렬 커패시터는 전압을 가변함에 따라 생성되는 기생 커패시턴스 성분들을 상쇄시켜주며, 기생 커패시턴스 성분들이 영향을 끼치는 위상을 보상해주는 역할을 한다. 위상 보상을 통해 가변 이득 증폭기의 이득 조절 기능을 안정적으로 수행할 수 있도록 하였다.
설계된 가변 이득 증폭기는 5G 대역인 Ka-band에서 동작하며, 65nm RF CMOS 공정을 사용하였다. 패드를 포함한 칩 사이즈는 0.231 mm²이고, 패드를 제외한 칩 사이즈는 0.056 mm² 이다. 측정한 가변 이득 증폭기는 3-dB 대역폭 기준으로 26.5 GHz부터 30.1 GHz까지 총 3.6 GHz의 대역폭을 갖는다. 가변 이득 조절 범위는 -9.1 dB부터 15.4 dB까지 총 24.5 dB이고, 가변 시의 위상 변화는 3.1° 미만이다. 위상 변화를 RMS phase error로 나타냈을 때, 2.1° 미만의 값이 도출된다.