원자층증착은 화학 흡착을 통해 박막을 만드는 방법으로 박막의 성장이 자기 제한적이다. 원자층증착은 증착 온도가 낮아 전구체 분자가 열분해하지 않고 원자층 단위로 증착할 수 있다. 최근 반도체의 고집적화에 따라 저온 상태에서 우수한 특성을 가진 박막의 필요성이 대두되고 있다. 대표적인 저온 ALD 공정 중 하나가 촉매를 사용한 SiO₂ ALD이다. 이 공정은 주로 아민 계열 촉매를 사용하여 박막을 증착한다. 이 연구에서는 헥사클로로디실란을 전구체로 피리딘과 트리에틸아민을 촉매로 사용하여 화학적 표면에서 일어나는 박막 성장 메커니즘을 파악하였다. 푸리에 변환 적외선 분광법과 수정 미세 저울을 사용한 실시간 분석을 통해 화학 흡착이 이루어지는 ALD의 2가지 반쪽 반응들을 분석했다. 이에 따르면, 한쪽 반쪽 반응에만 촉매를 주입했을 때 SiO₂의 예상치 못한 성장은 이전 반쪽 반응에서 아직 탈착되지 않은 잔류 피리딘의 존재로 인해 발생했다는 사실이 밝혀졌다. 또한, Cl-말단 표면보다 OH-말단 표면에서 촉매 탈착이 더 느리게 일어나는 것으로 나타났다. 온도에 따른 증착 양상을 살펴보면, 고온에서 피리딘에 의한 수소 결합이 약해져 약 150~160도에서는 증착이 되지 않는 것을 확인하였다.