이 연구에서는 개발된 몬테카를로 (kMC) 기반의 시간 의존 유전 유해(TDDB) 분석 시뮬레이터를 활용하여, 3나노미터 기술 노드의 스택된 멀티 나노시트 필드 효과 트랜지스터 (mNS-FET)에서 TDDB에 의한 수명 특성 변화를 조사했습니다. mNS-FET 채널 영역에서 관찰된 자가 가열 (SH) 및 전기장 혼잡 효과의 TDDB에 미치는 영향은 상용 기술 컴퓨터 지원 설계 (TCAD) 시뮬레이터와 개발된 TDDB 시뮬레이터를 연결하여 확인되었습니다. 잘 보정된 시뮬레이터를 사용한 분석에서 정적 SH 효과는 단일 소자 운영에서 DC 전압으로 인해 TDDB 수명을 90% 이상 감소시킬 수 있지만, 실제 논리 회로 운영 중 발생하는 동적 SH 효과는 감소되어 TDDB 수명이 42.7% ~ 51.4% 감소하며 이는 회로 동작에 따라 다릅니다. 또한, 게이트 올 어라운드 채널의 코너 라운딩 정도에 따른 전기장 혼잡 효과와 유효 폭 변화가 TDDB 수명 특성에 영향을 미치는 것이 검증되었습니다. 코너 라운딩 효과가 TDDB 수명 특성에 미치는 영향은 유효 폭의 변화와 전기장 혼잡으로 인한 코너 가장자리 영역의 전기장 강화로 설명됩니다. 이 분석 결과를 통해 TDDB 수명 특성을 분석할 때 SH 효과를 고려해야 하며, 또한 채널 모양을 최적화함으로써 TDDB 특성을 개선할 수 있다는 것이 확인되었습니다.