실리콘 표면에 이온화된 N2 가스를 입사한 후 어닐링을 통해서 SiNx 나노구조를 형성하였다. 원자힘 현미경으로 관찰한 결과 이 나노구조의 밀도는 3×1010/cm2 였으며, 가로 크기는 40~60 nm 이고 높이는 약 15 nm 임을 알 수 있었다. 엑스선 광전자 분광기술을 이용하여 이 나노구조의 화학상태를 측정하였는데, 입사하는 이온화된 N2의 단위시간당 양이 증가함에 따라서 화학상태가 SiNx에서 Si3N4 + SiNx 형태로 변화함을 알 수 있었다. 열처리를 한 시료를 투과전자 현미경으로 측정된 결과는 SiNx 나노구조를 내부에 Si 나노 결정이 형성된 것을 보여주었다. 광여기 발광특성에서 관찰된 400 nm파장의 스펙트럼은 Si 나노결정의 크기를 고려할 때 나노결정과 SiNx 나노구조 사이의 계면상태에서 기인한 것으로 생각된다.Nanostructures of SiNx were made by bombardment of ionized N2 on Si surfaceand subsequent annealing. Atomic force micrograph showed the density of SiNx nanostructures was 3?010/cm2. Their lateral size and height were 40~60 nm and 15 nm, respectively. The chemical state of the nanostructure was measured using X-ray photoelectron spectroscopy, which changed from SiNx to Si3N4 + SiNx as the bombarding ionized gas current increases. Upon annealing, transmission electron micrograph showed a clear evidence for crystalline Si phase formation inside the SiNx nanostructures. Photoluminescence peak observed at around 400 nm was thought to be originated from the interface states between the nanocrystalline Si and surrounding SiNx nanostructures