목차
센서 및 통신 응용 핵심 소재 In0.8Ga0.2As HEMT 소자의 게이트 길이 스케일링 및 주파수 특성 개선 연구 = Gate length scaling behavior and improved frequency characteristics of In0.8Ga0.2As high-electron-mobility transistor, a core device for sensor and communication applications / 조현빈 ; 김대현 1
Abstract 1
1. 서론 1
2. 소자 공정 2
3. 결과 및 고찰 2
3.1. 제작된 In0.8Ga0.2As HEMT의 DC 스케일링 특성[이미지참조] 2
3.2. Lg=19nm In0.8Ga0.2As HEMT RF 특성[이미지참조] 4
4. 결론 5
REFERENCES 5