목차 1
단일 식각 홀을 갖는 SiO₂ 희생층의 불화수소 증기 식각 = Hydrogen fluoride vapor etching of SiO₂ sacrificial layer with single etch hole / 김차영 ; 노은식 ; 신금재 ; 문원규 1
Abstract 1
1. INTRODUCTION 1
2. VHF ETCHING MECHANISM 2
3. SAMPLE PREPARATION 2
4. RESULTS & DISCUSSION 3
5. CONCLUSION 4
6. APPENDIX 5
REFERENCES 5