쌍결정 경계 (TB)는 박막의 초기 성장 중에 필연적으로 형성되는 결함이다. 낱알 경계(GB)가 없는 박막을 성장시키는 것도 어려운 주제이지만 TB가 없는 박막을 성장하는 것은 불가능에 가깝다. GB 없이 박막을 성장하는 이상적인 경우, 박막성장 초기에 약 1012개의 TB가 2인치 기판에 나타나지만, 박막이 계속 성장함에 따라 쌍둥이 영역은 동일한 결정학적 배향을 공유하는 더 큰 영역으로 합쳐진다. 일반적인 박막성장 과정에서 엄청난 수의 TB와 GB가 모두 존재하면 이 둘을 구별하는 것이 복잡해지고 필름 두께가 증가함에 따라 달라지는 TB의 거동을 분석하기가 어렵다. 이 연구에서는 GB가 없는 단결정 Ag (은) 박막을 성공적으로 성장시켜 박막 두께가 증가함에 따라 TB의 수가 어떻게 변화하는지 조사하였다. 표면이 원자수준으로 평평한 Cu (구리)(111) 기판의 사용은 Ag 단결정 박막의 성장에 결정적으로 기여한다. 5 nm에서 40 nm 두께의 Ag 박막을 조사한 결과, 박막의 두께가 대략 80 nm에 도달하면 TB가 없는 영역에 도달할 수 있을 것으로 예상된다.