[표제지 등]
제출문
칼라
목차
제1장 서론 7
제1절 역사적 배경 7
제2절 본 연구의 추진 과정 8
1. 1차년도 8
2. 2차 년도 8
3. 3차 년도 9
제2장 연구결과 10
제1절 Buffer 층의 특성 조사 10
1. CdTe 기판위에 CdTe 에피층 성장.[원문불량;p.8] 10
2. GaAs 기판위에 CdTe 에피층 성장.[원문불량;p.13] 15
제2절 Hg₁-xCdxTe(이미지참조) 박막 성장과 특성 26
1. 실험방법 27
가. 시료준비 27
나. MBE 박막 성장 30
다. Hg-열처리 31
라. HgCdTe 박막의 수소화 반응 실험 36
마. Si 기판 준비 40
2. 연구결과 및 고찰 42
가. 성장온도에 따른 HgCdTe 두께 측정과 Cd 조성비 결정 42
나. Hg/Te₂ 선속비율에 따른 Hg₁-xCdxTe(이미지참조) 표면 RHEED. 43
다. 기판 방위에 따른 Hg₁-xCdxTe(이미지참조)성장 및 특성. 45
라. GaAs 기판위에 HgCdTe 박막 성장 및 특성 조사 55
마. Hg-열처리 효과 56
바. Hg₁-xCdxTe(이미지참조)박막의 수소화 효과 68
사. Si 기판위에 CdTe 박막 성장 및 특성[원문불량;p.84∼85] 86
아. 인듐(In) 도핑 92
제3장 결론 94
제4장 연구실적 98
제5장 참고문헌 100
제6장 부록 103
제7장 초록 104