목차
표제지=0,1,1
제출문=0,2,1
요약문=i,3,5
SUMMARY=vi,8,6
CONTENTS=xii,14,5
목차=xvii,19,5
그림목차=xxii,24,6
표목차=xxviii,30,1
I. 나노입자를 이용한 백색광 LED 개발=1,31,2
제1장 Light Emitting Diode 기술 소개=3,33,1
제1절 박막형 Light Emitting DiodE=3,33,1
1. 광원 기술의 변천=3,33,2
2. 박막형 반도체 LED 기술 및 문제점=4,34,3
3. 박막형 반도체 LED 최신 기술=6,36,4
제2절 반도체 나노입자를 이용한 LED 응용=10,40,1
1. 반도체 Quantum Dot의 합성 및 응용=10,40,6
2. Quantum Wire 합성 및 응용=15,45,12
3. 나노입자의 안정성 향상=26,56,7
제3절 연구 목표 및 추진 체계=32,62,3
제2장 Spherical morphology Mesoporous Material 합성=35,65,1
제1절 서론=35,65,1
제2절 실험방법=36,66,1
1. Mesoporous Material 합성법=36,66,1
2. Mesoporus Material 특성 분석법=36,66,1
제3절 실험결과 및 토의=37,67,1
1. 실험재현성 확보=37,67,2
2. 반응물 조성에 따른 생성물의 구조 변화=38,68,13
제4절 결론=51,81,1
제3장 주형 합성에 의한 SnO₂ 나노구조 물질 합성=52,82,1
제1절 서론=52,82,2
제2절 실험방법=54,84,1
1. Mesoporous Material 제조 및 SnO₂ 나노입자 합성법=54,84,1
2. SnO₂ 나노입자 특성 조사법=54,84,1
제3절 실험결과 및 토의=55,85,1
1. Template 제거법 최적화=55,85,1
2. 상암 함침법에 의한 나노구조 SHO₂ 제조=55,85,5
3. 감암 함침법에 의한 SRO₂ Nanowire 제조=59,89,6
제4절 결론=65,95,1
제4장 증발법에 의한 Mesoporous Thin Film 합성=66,96,1
제1절 서론=66,96,1
제2절 실험방법=67,97,1
1. Mesoporous Thin Film 제조방법=67,97,1
2. Mesoporus Thin Film 특성 조사법=67,97,2
제3절 실험결과 및 토의=69,99,1
1. Mesoporous Thin Film 형성=69,99,8
2. Mesoporous Thin Film 구조 조절=76,106,2
제4절 결론=77,107,1
제5장 결론 및 향후 계획=78,108,1
제1절 서론=78,108,1
제2절 향후계획=79,109,1
참고문헌=80,110,3
II. 백색 반도체 광원 고출력화 기술 개발=83,113,2
제1장 서론=85,115,1
제1절 LED 기술의 발전 개요=85,115,2
제2절 백색 LED의 구현 방법=87,117,3
제3절 현재 LED 기술의 문제점=89,119,3
제4절 조명용 광원으로서의 LED=92,122,1
1. 좋은 조명의 요건=92,122,3
2. 조명 광원의 요건=94,124,2
3. LED 조명을 위한 과제=95,125,5
제2장 국내·외 기술 개발 현황=100,130,1
제1절 백색 LED 개발 프로젝트 현황=100,130,2
제2절 고출력 LED 구현 기술 동향=101,131,1
1. Fabrication 기술 동향=101,131,2
2. Package 기술 동향=102,132,2
3. 각 국의 기술 동향=104,134,5
제3절 LED 특허기술 동향 및 분석=109,139,1
1. 특허기술 동향=109,139,7
2. 주요 특허기술 분석=116,146,2
제3장 멀티 칩 고출력화 기술 개발=118,148,1
제1절 LED 고출력화 기술=119,149,1
1. AllnGaP LED 기술=119,149,3
2. InGaN LED 기술=121,151,4
제2절 멀티 칩의 LED 램프 설계 및 제작=125,155,1
1. LED 칩의 선정=125,155,2
2. 리드 프레임의 설계 및 제작=126,156,2
3. LED 램프의 제작=128,158,4
제3절 LED 램프 시제품의 성능평가=132,162,4
제4절 LED 램프 모델링 및 해석=135,165,4
제4장 LED 램프의 조명효율 개선 소재 개발=139,169,2
제1절 고출력 LED 형광체 기술=140,170,1
1. 무기 형광체 기술=140,170,6
2. 유기 형광체 기술=145,175,7
제2절 형광체의 발광 특성 개선=151,181,1
1. 적색 형광체의 발광 특성 개선=151,181,4
2. 녹색 형광체의 발광 특성 개선=155,185,2
3. 청색 형광체의 발광 특성 개선=156,186,2
제5장 결론=158,188,2
참고문헌=160,190,3
III. 고성능 LED 마이크로 방열 기숱=163,193,2
제1장 서론=165,195,3
제2장 방열기의 종류 및 응용범위=168,198,1
제1절 공냉 및 수냉 방열기=169,199,1
1. 사출식=169,199,1
2. 전기용접식=169,199,1
3. 알루미늄 핀 접촉식=170,200,1
4. 스크러빙 타입=171,201,1
5. 수냉식 냉각장치=171,201,1
제2절 히트파이프=172,202,2
1. 히트파이프의 종류와 응용분야=174,204,3
2. 히트파이프의 응용사례=177,207,4
제3절 열전소자=180,210,1
1. 열전소자의 특징=181,211,1
2. 열전소자의 전기적인 현상=181,211,5
3. 열전소자의 열전변환=186,216,2
4. 열전소자의 응용=187,217,3
제3장 마이크로 채널 수치해석=190,220,2
제1절 마이크로 채널의 수치해석=192,222,5
제2절 해석결과=197,227,1
제4장 마이크로 채널 제작 및 실험=198,228,1
제1절 마이크로 유로 및 실험용 칩 제작=198,228,2
제2절 실험장치 구성=200,230,1
제3절 열전달 계수의 측정=201,231,2
1. 마이크로 센서의 보정=202,232,1
2. 시험결과 및 분석=203,233,3
3. 이론값과 실험값의 비교=206,236,2
제5장 마이크로 펌프 실험=208,238,2
제1절 마이크로 치터의 제작=210,240,1
제2절 실험장치 및 실험방법=211,241,1
1. 실험장치=211,241,1
2. 실험방법=211,241,2
3. 결과 및 토의=212,242,2
제3절 마이크로 펌프 유동특성=213,243,1
1. 원형 챔버=213,243,2
2. 사각 챔버=215,245,2
제4절 결론=216,246,1
제6장 결론=217,247,1
참고문헌=218,248,3
서지정보양식=221,251,2
영문목차
[title page etc.]=0,1,7
CONTENTS=xii,14,17
I. Development of white-light LED using nanoparticles=1,31,2
Chapter 1. General Introduction of Light Emitting Diode=3,33,1
Section 1. Thin Film Semiconductor LED=3,33,7
Section 2. Nanoparticle Semiconductor LED=10,40,23
Section 3. Research Objective and Methods=32,62,3
Chapter 2. Spherical Morphology Mesoporous Material Synthesis=35,65,1
Section 1. Introduction=35,65,1
Section 2. Experimental=36,66,1
1. Synthesis Method for Mesopours Material=36,66,1
2. Characterization of Mesoporus Material=36,66,1
Section 3. Result and Discussion=37,67,1
1. Reproducible Synthesis Method=37,67,2
2. Structure Change by Reactant Composition=38,68,13
Section 4. Conclusion=51,81,1
Chapter 3. Template Synthesis of SnO₂ Nanostructured Materials=52,82,1
Section 1. Introduction=52,82,2
Section 2. Experimental=54,84,1
1. Synthesis of SnO₂ Nanoparticles=54,84,1
2. Characterization of SnO₂ Nanoparticles=54,84,1
Section 3. The Performance Test and Evaluation=55,85,1
1. Optimization of Template Removal=55,85,1
2. Incipient Wetness at Ambient Pressure=55,85,5
3. Incipient Wetness at Reduced Pressure=59,89,6
Section 4. Conclusion=65,95,1
Chapter 4. Synthesis of Mesoporous Thin Film by EISA=66,96,1
Section 1. Introduction=66,96,1
Section 2. Experimental=67,97,1
1. Synthesis Method=67,97,1
2. Characterization=67,97,2
Section 3. Result and Discussion=69,99,1
1. Mesopours Thin Film Formation=69,99,8
2. The Structure Control of Mesoporous Thin Film=76,106,2
Section 4. Conclusion=77,107,1
Chapter 5. Conclusion and Futrue Plan=78,108,1
Section 1. Conclusion=78,108,1
Section 2. Future Plan=79,109,1
References=80,110,3
II. Development of the High Power White LED=83,113,2
Chapter 1. Introduction=85,115,1
Section 1. The Outline of LED Development=85,115,2
Section 2. Methods of White LED Realization=87,117,3
Section 3. Limitations of White LED Technology=89,119,3
Section 4. LED for the Lighting Source=92,122,1
1. Conditions of Good Lighting=92,122,3
2. Conditions of Lighting Source=94,124,2
3. Issues for LED Lighting=95,125,5
Chapter 2. The Present Condition of White LED Development=100,130,1
Section 1. The projects of White LED Development=100,130,2
Section 2. A State of the High Power LED Technology=101,131,1
1. Fabrication Technology=101,131,2
2. Packaging Technology=102,132,2
3. Technology of Several Countries=104,134,5
Section 3. Patents of LED technology=109,139,1
1. Patents of LED technology=109,139,7
2. Analysis of Patents=116,146,2
Chapter 3. High Power LED using the Multi-chip Concept=118,148,1
Section 1. High Power LED Technology=119,149,1
1. AlInGaP LED=119,149,3
2. InGaN LED=121,151,4
Section 2. Design and Fabrication of Multi-chip LED=125,155,1
1. LED Chip=125,155,2
2. Lead Frame=126,156,2
3. LED Lamp=128,158,4
Section 3. The Performance Test and Evaluation=132,162,4
Section 4. Modeling and Analysis of LED Lamp=135,165,4
Chapter 4. Development of Phosphor Materials=139,169,2
Section 1. Phosphor technology for LED=140,170,1
1. Mineral Phosphor=140,170,6
2. Organic Phosphor=145,175,7
Section 2. Development of Phosphor Materials=151,181,1
1. Red Phosphor=151,181,4
2. Green Phosphor=155,185,2
3. Blue Phosphor=156,186,2
Chapter 5. Conclusions=158,188,2
References=160,190,3
III. High efficient micro heat dissipation technologies for LED=163,193,2
Chapter 1. Introduction=165,195,3
Chapter 2. Heat dissipator and application scope=168,198,1
Section 1. Air cooling and water cooling heat dissipator=169,199,1
1. Die casting=169,199,1
2. Electric welding=169,199,1
3. Aluminum fin type=170,200,1
4. Scrubbing type=171,201,1
5. water cooling cooler=171,201,1
Section 2. Heat pipe=172,202,2
1. Heat pipe class and application=174,204,3
2. Heat pipe application illustration=177,207,4
Section 3. Thermoelectric module=180,210,1
1. Characteristics of thermoelectric module=181,211,1
2. Electric phenomenon=181,211,5
3. Thermoelectric convert=186,216,2
4. Application of themoelectric module=187,217,3
Chapter 3. Micro channel numerical analysis=190,220,2
Section 1. Numerical analysis=192,222,5
Section 2. Analysis result=197,227,1
Chapter 4. Micro channel manufacture and experiment=198,228,1
Section 1. Micro channel and experimental chip manufactrue=198,228,2
Section 2. Experimental system composition=200,230,1
Section 3. Heat transfer coefficient measure=201,231,2
1. Micro sensor calibration=202,232,1
2. Experiment results and analysis=203,233,3
3. Comparison of theoretical value and experimental value=206,236,2
Chapter 5. Micro pump experiment=208,238,2
Section 1. Micro heater manufacture=210,240,1
Section 2. Experimental system and experimental method=211,241,1
1. Experimental system=211,241,1
2. Experimental method=211,241,2
3. Result and discussion=212,242,2
Section 3. Micro pump flow characteristic=213,243,1
1. Circular chamber=213,243,2
2. Rectangular chamber=215,245,2
Section 4. Conclusion=216,246,1
Chapter 6. Conclusion=217,247,1
References=218,248,3
BIBLIOGRAPHIC INFORMATION SHEET=221,251,2
[그림 1-1-1] 전형적인 LED 구조=5,35,1
[그림 1-1-2] GaN/ZnO coaxial nanorods and GaN nanotubes=7,37,1
[그림 1-1-3] n-ZnO/p-GaN nanowire device 형성 개략도=9,39,1
[그림 1-2-1] (a) Type I quantum dot 내의 전자,정공의 분포,(b) Type II quantum dot 내의 전자,정공 분포=12,42,1
[그림 1-2-2] CdSe/ZnS quantum dot/polymer 구조의 LED=14,44,1
[그림 1-2-3] 금(Au)-촉매,GaAs-QW 상평형도:liq:액체,s:고체=17,47,1
[그림 1-2-4] Quantum Wire Super-lattice 합성법 도식도=18,48,1
[그림 1-2-5] Core-shell quantum wire 합성법:a. QW 형성,b. CVD 방식에 의한 shell 형성,c. CVD 방식에 의한 2차 shell 형성=19,49,1
[그림 1-2-6] (a) micro-cavi1y 단면도,(b) micro-cavi1y에 정렬된 CdSe QW=22,52,1
[그림 1-2-7] 전기장에 의한 QW의 정렬:(a) 전기장 적용 전 QW의 random orientation,(b) 전기장 적용 후의 QW 정렬됨=23,53,1
[그림 1-2-8] 개별 CdS QW를 이용한 LED device 구조 (a) 단면도,(b) 측면도=24,54,1
[그림 1-2-9] 촉매법에 의해 형성된 반도체 QW에 대한 금속접합:1. Si QW(blue) 형성 2. CVD법으로 QW 표면에 Ni 형성(red) 3. 550℃ 열처리를 통해서 금속성 NiSi QW (greedn) 형성 4. 선택적 식각에 의한 잔류 Ni 제거=25,55,1
[그림 1-2-10] UV illumination (366 nm) 에 대한 유기용매 상에서 분산되어 있는 QD들의 시간에 대한 QY의 안정성=27,57,1
[그림 1-2-11] 붉은색-실선 Alkyl-monophosphine (왼쪽) 과 oligomeric-phosphine (오른쪽)에 의한 QD의 안정화 개념도=29,59,1
[그림 1-2-12] 사용 ligand 종류에 따른 CdSe/ZnS (core/shell) QD의 시간에 따른 Phot0luminescence 강도 변화=30,60,1
[그림 1-2-13] Dendron(3-generation)에 의한 CdSe/CdS(Core/shell) QD의 안정화 및 후속 methathiesis=30,60,1
[그림 1-3-1] 반도체 나노입자/고분자 복합체 LED의 시간에 따른 출력 저하=33,63,1
[그림 1-3-2] 본 연구의 추진 계획=34,64,1
[그림 2-3-1] 세척유무에 따른 mesoporous 물질의 XRD order 변화=37,67,1
[그림 2-3-2] 건조 조건에 따른 mesoporous 물질의 XRD peak 변화=39,69,1
[그림 2-3-3] 건조 시간에 따른 mesoporous 물질의 XRD peak 변화=40,70,1
[그림 2-3-4] H₂O 조성비에 따른 mesoporous material의 구조 영향성=43,73,1
[그림 2-3-5] H₂O 조성비에 따른 mesoporous material의 구조 영향성=44,74,1
[그림 2-3-6] Ethanol,H₂O 몰비율에 따른 mesoporous material의 구조=45,75,1
[그림 2-3-7] 소성처리에 의한 mesoporous material의 구조 변화=46,76,1
[그림 2-3-8] NH3 몰비율에 따른 mesoporous material의 구조 변화=47,77,1
[그림 2-3-9] 실험결과로 도출된 sorfactant/silicate hybrid micelle model=48,78,1
[그림 2-3-10] MCM-41(상),MCM-48(중),SSP(하)에 대한 SEM imagE=50,80,1
[그림 3-1-1] SnO₂ (110) 표면 구조:ball model illustration=53,83,1
[그림 3-3-1] ICP 농도분석을 통한 HF 처리 횟수에 따른 SiO₂ SnO₂용해도 및 선택도=56,86,1
[그림3-3- 2) XRD pattern:(상) Template로 사용된 calcined MCM-48,(중) 상압함침 및 소성 후의 SnO₂/MCM-48,(하) HF 처리 후의 나노구조 SnO₂XRD=57,87,1
[그림3-3-3] 상압 함침법으로 제조된 SnO₂ 나노구조의 TEM image:(위) 뭉쳐져 있는 SnO₂ nanoparticle들,(아래) SnO₂ nanoparticle들의 미세구조=58,88,1
[그림3-3-4] Template인 MCM-41과 template에 의해서 합성된 SnO₂ 나노구조의 XRD=60,90,1
[그림3-3-5] 감압함침법으로 제조된 SnO₂ 나노구조의 TEM image:(좌상) 저배율로 확인한 SnO₂ 나노구조 입자 집합체,(우상) SnO₂ nanorod 집합체,(하) 결정화된 직경 3 ㎚의 SnO₂ nanorod 내부 구조=61,91,1
[그림3-3-6] TEM EDX를 통해서 확인한 silica template 제거 유무=62,92,1
[그림4-2-1] Thin film 단면 관찰을 위한 TEM 시료 제작 과정=68,98,1
[그림4-3-1] Coating된 mesoporous thin film의 투명도 비교=70,100,1
[그림4-3-2] Mesoporous thin film이 coating된 glass substrate에 대한 파장별 투광도 변화=71,101,1
[그림4-3-3] (상) as-synthesized (하) calcined mesoporous thin film의 XRD pattern=72,102,1
[그림4-3-4] 계면활성제를 이용한 pore size 조절=73,103,1
[그림4-3-5] Calcination에 의한 구조 변화-XRD=74,104,1
[그림4-3-6] Calcination에 의한 구조 변화-TEM=75,105,1
[그림 1-1] LED 성능 지수와 연도별 발전 추이=86,116,1
[그림 1-2] 청색 LED와 노랑 형광체를 이용한 백색광 구현=87,117,1
[그림 1-3] 자외선 LED와 적색,녹색,청색 형광체를 이용한 백색광 구현=88,118,1
[그림 1-4] 적색,녹색,청색 LED 칩을 이용한 백색광 구현=88,118,1
[그림 1-5] 기존 조명기구에 대한 백색 LED 램프의 가격 경쟁력=90,120,1
[그림 1-6] 조명용 램프의 색온도와 연색성 평가지수와의관계=91,121,1
[그림 1-7] 실내 조도 및 반사율의 추천치=93,123,1
[그림 1-8] VDT에서의 반사글레어=93,123,1
[그림 1-9] 일반 조명에 사용하는 LED 조명기구 사례=95,125,1
[그림 1-10] 여러 가지 형광램프의 분광분포(광색과 연색성에 따름)=98,128,1
[그림 2-1] 금속 전극면의 형상=102,132,1
[그림 2-2] Flip chip bonding type package=102,132,1
[그림 2-3] Metal bonding type package=103,133,1
[그림 2-4] SMT LED 단면=103,133,1
[그림 2-5] Lumileds Co.의 LED 구조=104,134,1
[그림 2-6] Lumileds Co.의 LED 램프 구조=104,134,1
[그림 2-7] Lumileds Co. 램프의 Chip 및 램프의 구조=105,135,1
[그림 2-8] Flip Chip bonding type의 package=106,136,1
[그림 2-9] Metal bonding type의 package=106,136,1
[그림 2-10] Osram Co의 white LED lamp의 package=107,137,1
[그림 2-11] UEC Co.의 white LED package=107,137,1
[그림 2-12] 국내 제품의 백색 LED 전극 및 램프 구조=108,138,1
[그림 2-13] 청색 발광소자 관련 연도별 국가별 출원 동향=110,140,1
[그림 2-14] 외국 특허의 연도별 출원 동향=111,141,1
[그림 2-15] 외국 특허의 출원인별 점유 비율=112,142,1
[그림 2-16] 외국 특허의 기술분야별 출원 비율=113,143,1
[그림 2-17] 청색 발광소자 관련 한국특허 출원 동향=114,144,1
[그림 2-18] 국내 특허 주요 출원인 현황=115,145,1
[그림 2-19] 국내의 특허 기술 분야별 출원 비율=115,145,1
[그림 2-20] 청색 발광소자의 요소기술과 주요특허 일람=116,146,1
[그림 3-1] 절두형 역피라미드 구조 LED의 단면=120,150,1
[그림 3-2] AIGalnP LED 칩의 발광 모습=121,151,1
[그림 3-3] Multi-Quantum Well LED 구조=123,153,1
[그림 3-4] 고출력 InGaN 플립 칩 형태의 LED 칩 구조=123,153,1
[그림 3-5] Cree의 칩 모델=124,154,1
[그림 3-6] 시제품용 LED 칩의 구조=125,155,1
[그림 3-7] 멀티 칩용 리드 프레임 설계 사양=126,156,1
[그림 3-8] 멀티 칩용 LED 리드 프레임의 사진=127,157,1
[그림 3-9] 소면적 25개 LED 칩으로 구성된 LED 램프=128,158,1
[그림 3-10] 소면적 49개 LED 칩으로 구성된 LED 램프=128,158,1
[그림 3-11] 대면적 1개 LED 칩으로 구성된 LED 램프=129,159,1
[그림 3-12] 대면적 5개 LED 칩으로 구성된 LED 램프=129,159,1
[그림 3-13] 대면적 9개 LED 칩으로 구성된 LED 램프=130,160,1
[그림 3-14] 여러 형태로 제작된 멀티 칩 LED 램프=130,160,2
[그림 3-15] 시제품의 성능평가 설비 구성=132,162,1
[그림 3-16] 주변온도에 의한 LED의 전압-전류 특성 변화=134,164,1
[그림 3-17] 시제품의 접합면의 온도 특성=135,165,1
[그림 3-18] 저출력 LED와 고출력 LED의 구조=136,166,1
[그림 3-19] 고출력 LED-Luxeon Star=136,166,1
[그림 3-20] Luxeon Star의 배광 분포=137,167,1
[그림 3-21] 반사경의 역할=137,167,1
[그림 3-22] 모델링 결과와 시험 결과의 비교=138,168,1
[그림 3-23] 수정된 모델의 모의실험 결과=138,168,1
[그림 4-1] 유기 EL에 사용되는 유기발광 저분자의 예=148,178,1
[그림 4-2] OLED 제작에 자주 사용되는 발광 고분자들의 화학구조=149,179,1
[그림 4-3] X+Y+0.08Eu₂O₃형광체의 흡수 및 발광 스펙트럼=152,182,1
[그림 4-4] X+Y+0.12Eu₂O₃형광체의 흡수 및 발광 스펙트럼=153,183,1
[그림 4-5] X+Y+0.08Eu₂O₃+ Ln 형광체의 흡수 및 발광 스펙트럼=153,183,1
[그림 4-6] ABLiEuW₂O8(이미지참조) 형광체의 흡수 및 발광 스펙트럼=154,184,1
[그림 4-7] LiYW208 형광체의 흡수 및 발광 스펙트럼=155,185,1
[그림 4-8] Kaolin + xWt%(이미지참조)Eu₂O₃형광체의 흡수 및 발광 스펙트럼=157,187,1
[그림 2-1] 사출식 방열기=169,199,1
[그림 2-2] 전기 용접식 방열기=169,199,1
[그림 2-3] 알루미늄 핀 접착식 방열기=170,200,1
[그림 2-4] 스크러빙 타입 방열기=171,201,1
[그림 2-5] 대용량 수처리 냉각장치=171,201,1
[그림 2-6] 열전소자 한개용 수냉 키트=171,201,1
[그림 2-7] 히트파이프의 흡열부와 발열부=172,202,1
[그림 2-8] 히트파이프 내의 wicks=173,203,1
[그림 2-9] 열전소자의 구조 및 pe1tier 효과=184,214,1
[그림 2-10] 열전소자의 전류 흐름도=184,214,1
[그림 3-1] 마이크로 채널과 미소유로의 형상=190,220,1
[그림 3-2] 마이크로 채널의 2차원 평면도=191,221,1
[그림 3-3] 계산영역과 좌표계=193,223,1
[그림 3-4] 4면채로 이루어진 계산 격자계=195,225,1
[그림 3-5] z=0.05㎜에서의 온도장과 유선=195,225,1
[그림 3-6] z=0.05㎜에서의 압력장과 유선=196,226,1
[그림 4-1] 마이크로 채널,히터,온도센서 제적 공정 순서도=198,228,1
[그림 4-2] 실험용 칩의 그림=199,229,1
[그림 4-3] 실험장치 구성도=200,230,1
[그림 4-4] 채널 길이 방향에 따른 벽과 유체의 온도분포=201,231,1
[그림 4-5] 100×100 ㎛² 온도센서의 보정선=202,232,1
[그림 4-6] 자연대류 상태의 입력 전력량에 따른 폭 100㎛ 채널의 길이방향의 온도분포=203,233,1
[그림 4-7] 일정한 입력 전력량에서 유량변화에 따른 폭 100㎛ 채널의 길이방향의 온도분포=203,233,1
[그림 4-8) 깊이 100㎛ 마이크로 채널에서의 이론 Nusselt수와 실험 Nusselt수의 관계=204,234,1
[그림 4-9] 구동압력에 따른 벽 온도에 의한 열전달계수=205,235,1
[그림 4-10] 물을 사용한 폭 100㎛ 채널 내의 Reyonolds수에 따른 마찰계수=205,235,1
[그림 4-11] z-50㎛,X=1.0㎜에서 2.O㎜까지의 온도분포도=206,236,1
[그림 4-12] 입력 전력량 4.27W,구동압력 150㎪에서의 채널 길이방향의 heat fluxs와 heat transfer coefficients=207,237,1
[그림 5-1] 마이크로펌프 구조=209,239,1
[그림 5-2] 마이크로 라인히터 제작공정=210,240,1
[그림 5-3] 실험장치 구성도=211,241,1
[그림 5-4] 기포 동력 마이크로펌프의 작동 현상=212,242,1
[그림 5-S] 원형 챔버를 갖는 마이크로펌프의 전류 흐름률에 따른 유량변화=213,243,1
[그림 5-6] 정상 기포의 미 발생 현상=214,244,1
[그림 5-7] 원형 챔버를 갖는 마이크로펌프의 주파수변화에 따른 유량변화=214,244,1
[그림 5-8] 사각 챔버를 갖는 마이크로펌프의 전류 흐름률에 따른 유량변화=215,245,1
[그림 5-9] 사각 챔버를 갖는 마이크로펌프의 주파수변화에 따른 유량변화=216,246,1
[표 1-1] 제조 방법에 따른 백색 LED의 특성 비교=89,119,1
[표 1-2] 각종 광원의 제원=96,126,1
[표 2-1] 각 국의 국가주도 프르젝트 현황=100,130,1
[표 2-2] 청색 발광소자 관련 연도별/국가별 특허출원건수=110,140,1
[표 2-3] 니치아 화학의 국내특허 출원 현황=117,147,1
[표 3-1] LED 칩의 사양 및 스펙=126,156,1
[표 3-2] 리드 프레임의 제작 공정=127,157,1
[표 3-3] 25개 칩 LED 램프의 성능 시험 결과=133,163,1
[표 3-4] 49개 칩 LED 램프의 성능 시험 결과=133,163,1
[표 3-5] 5개 침 LED 램프의 성능 시험 결과=133,163,1
[표 3-6] 9개 칩 LED 램프의 성능 시험 결과=134,164,1
[표 4-1] 형광체의 특성 및 개선 방향=140,170,1
[표 4-2] 형광체의 종류 및 발광색=141,171,1
[표 4-3] 국내·외 OLED의 개발 현황=150,180,1
[표 1] 작동유체의 귀환 방법에 의한 히트파이프의 구조=172,202,1
[표 2] 히트파이프 작동유체의 작동온도 범위=173,203,1
[표 3] 이용목적과 구체적인 예=176,206,1
[표 4] 마이크로 채널과 작동유체(물)의 물성치=193,223,1
[표 5] 유동의 경계조건=194,224,1